Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Определение типов оптических переходов и концентраций доноров и акцепторов в GaN по зависимости интенсивности фотолюминесценции от мощности возбуждения
Осинных И.В.1, Александров И.А.1, Малин Т.В.1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: igor-osinnykh@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

Представлены результаты расчетной и экспериментальной зависимостей интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения для легированных кремнием слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что анализ зависимости интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности возбуждения с помощью модели электронных переходов в GaN при межзонной генерации электронно-дырочных пар позволяет определить механизм рекомбинации и концентрации доноров и акцепторов в полупроводнике. Ключевые слова: GaN, аммиачная МЛЭ, фотолюминесценция, гетероструктуры, точечные дефекты.
  1. K. Jones, T. Chow, M. Wraback, M. Shatalov, Z. Sitar, F. Shahedipour, K. Udwary, G. Tompa. J. Mater. Sci., 50, 3267 (2015)
  2. J.Y. Tsao, S. Chowdhury, M.A. Hollis, D. Jena, N.M. Johnson, K.A. Jones, R.J. Kaplar, S. Rajan, C.G. Van De Walle, E. Bellotti, C.L. Chua, R. Collazo, M.E. Coltrin, J.A. Cooper, K.R. Evans, S. Graham, T.A. Grotjohn, E.R. Heller, M. Higashiwaki, M.S. Islam, J.A. Simmons. Adv. Electron. Mater., 4, 1600501 (2018)
  3. M.A. Reshchikov, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 97, 061301 (2005)
  4. A. Bell, I. Harrisson, D. Korakakis, Ec. Larkins, Jm. Hayes, M. Kuball, N. Grandjean, J. Massies. J. Appl. Phys., 89, 1070 (2001)
  5. Er. Glaser, Ta. Kennedy, K. Doverspike, Lb. Rowland, Dk. Gaskill, Ja. Freitas, M.A. Khan, Dt. Olson, Jn. Kuznia, Dk. Wickenden. Phys. Rev. B, 51, 13326 (1995)
  6. T. Ogino, M. Akoki. Jpn. J. Appl. Phys., 19, 2395 (1980)
  7. P. Hacke, A. Maekawa, N. Koide, K. Hiramatsu, N. Sawaki. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 1, 33, 6443 (1994)
  8. U. Kaufmann, M. Kunzer, H. Obloh, M. Maier, Ch. Manz, A. Ramakrishnan, B. Santic. Phys. Rev. B, 59, 5561 (1999)
  9. E.F. Schubert, I.D. Goepfert, J.M. Redwing. Appl. Phys. Lett., 71 3224 (1997)
  10. I.-H. Lee, I.-H. Choi, C.R. Lee, S.K. Noh. Appl. Phys. Lett., 71, 1359 (1997)
  11. R. Seitz, C. Gaspar, T. Monteiro, E. Pereira, M. Leroux, B. Beamont, P. Gibart. J. Cryst. Growth, 189/ 190, 546 (1998)
  12. M.A. Reshchikov, H. Morkoc, S.S. Park, K.Y. Lee. Appl. Phys. Lett., 81, 4970 (2002)
  13. C. Di az-Guerra, J. Piqueras, A. Castaldini, A. Cavallini, L. Polenta. J. Appl. Phys., 94, 2341 (2003)
  14. A. Sedhain, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang. Appl. Phys. Lett., 96, 151902 (2010)
  15. S. Ito, T. Nakagita, N. Sawaki, H. Soo Ahn, M. Irie, T. Hikosaka, Y. Honda, M. Yamaguchi, H. Amano. Jpn. J. Appl. Phys., 53, 11RC02 (2014)
  16. T. Mattila, R.M. Nieminen. Phys. Rev. B, 55, 9571 (1997)
  17. J.L. Lyons, A. Janotti, C.G. Van de Walle. Appl. Phys. Lett., 97, 152108 (2010)
  18. D.O. Demchenko, I.C. Diallo, M.A. Reshchikov. Phys. Rev. Lett., 110, 087404 (2013)
  19. M.A. Reshchikov, D.O. Demchenko, A. Usikov, H. Helava, Yu. Makarov. Phys. Rev. B, 90, 235203 (2014)
  20. D. Jana, T.K. Sharma. J. Appl. Phys., 122, 035101 (2017)
  21. W. Grieshaber, E.F. Schubert, I.D. Goepfert, R.F. Karlicek, Jr., M.J. Schurman, C. Tran. J. Appl. Phys., 80, 4615 (1996)
  22. G. Tamulaitis, J. Mickeviv cius, P. Vitta, A. v Zukauskas, M.S. Shur, K. Liu, Q. Fareed, J.P. Zhang, R. Gaska. ECS Transactions, 3, 307 (2006)
  23. K. Fujii, T. Goto, S. Nakamura, T. Yao. Jpn. J. Appl. Phys., 60, 011002 (2021).
  24. M.A. Reshchikov, R.Y. Korotkov. Phys. Rev. B, 64, 115205 (2001)
  25. M.A. Reshchikov. Appl. Phys. Lett., 88, 202104 (2006)
  26. T. Schmidt, K. Lischka, W. Zulehner. Phys. Rev. B, 45, 8989 (1992)
  27. A.E. Wickenden, L.B. Rowland, K. Doverspike, D.K. Gaskill, J.A. Freitas, D.S. Simons, P.H. Chi. J. Electron. Mater., 24, 1547 (1995)
  28. I.V. Osinnykh, T.V. Malin, D.S. Milakhin, V.F. Plyusnin, K.S. Zhuravlev. Jpn. J. Appl. Phys., 58, SCCB27 (2019)
  29. Muth, J.F, J.H. Lee, I.K. Shmagin, R.M. Kolbas, H.C. Casey, jr., B.P. Keller, U.K. Mishra, S.P. DenBaars. Appl. Phys. Lett., 71 (18) 2572 (1997)
  30. W.R. Willoughby, M.E. Zvanut, J. Dashdorj, M. Bockowski. J. Appl. Phys., 120, 115701 (2016)
  31. M.A. Reshchikov, J.D. Mc Namara, M. Toporkov, V. Avrutin, H. Morkoc, A. Usikov, H. Helava, Y. Makarov. Sci. Rep., 6, 37511 (2016)
  32. P. Boguslawski, J. Bernholc. Phys. Rev. B, 56, 9496 (1997)
  33. M. Matsubara, E. Bellotti. J. Appl. Phys., 121, 195702 (2017).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.