Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Структурные и оптические свойства двумерных слоев Si и Ge, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках CаF2/Si(111)
Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ), 20-52-00016
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований (БРФФИ), Ф20Р-082
Зиновьев В.А. 1, Дерябин А.С.1, Кацюба А.В.1, Володин В.А.1,2, Зиновьева А.Ф.1,2, Черкова С.Г.1, Смагина Ж.В.1, Двуреченский А.В.1,2, Крупин А.Ю.3, Бородавченко О.М.4, Живулько В.Д.4, Мудрый А.В.4
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
4Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
Email: zinoviev@isp.nsc.ru, das@isp.nsc.ru, kacyuba@isp.nsc.ru, volodin@isp.nsc.ru, aigul@isp.nsc.ru, cherkova@isp.nsc.ru, smagina@isp.nsc.ru, dvurech@isp.nsc.ru, mirazh@eml.ru, borodavchenko@physics.by, vad.zhiv@gmail.com, mudryi@physics.by
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

Развиты подходы к получению эпитаксиальных структур, содержащих двумерные слои Si и Ge, встроенные в диэлектрическую матрицу CaF2. Исследования методом комбинационного рассеяния света продемонстрировали наличие узких пиков рассеяния на колебаниях Si-Si- и Ge-Ge-связей в плоскости роста структур. В спектрах фотолюминесценции созданных структур обнаружены полосы излучения, которые могут быть связаны с излучательной рекомбинацией носителей заряда в двумерных слоях Si и Ge, встроенных в CaF2. Ключевые слова: фторид кальция, кремний, германий, молекулярно-лучевая эпитаксия, электронное облучение, атомная структура, фотолюминесценция.
  1. M. Galbiati, N. Motta, M. De Crescenzi, L. Camilli. Appl. Phys. Rev., 6, 041310 (2019)
  2. M. Houssa, E. Scalise, K. Sankaran, G. Pourtois, V.V. Afanas'ev, A. Stesmans. Appl. Phys. Lett., 98, 223107 (2011)
  3. L.C. Lew Yan Voon, E. Sandberg, R.S. Aga, A.A. Farajian. Appl. Phys. Lett., 97, 163114 (2010)
  4. G. Vogg, A.J.-P. Meyer, C. Miesner, M.S. Brandt, M. Stutzmann. Appl. Phys. Lett., 78, 3956 (2001)
  5. G. Vogg, M.S. Brandt, M. Stutzmann, M. Albrecht. J. Cryst. Growth, 203, 570 (1999)
  6. B. Lalm, H. Oughaddou, H. Enriquez, A. Kara, S. Vizzini, B. Ealet, B. Aufray. Appl. Phys. Lett., 97, 223109 (2010)
  7. M E Davila, L. Xian, S. Cahangirov, A. Rubio, G. Le Lay. New J. Phys., 16, 095002 (2014)
  8. P. Castrucci, F. Fabbri, T. Delise, M. Scarselli, M. Salvato, S. Pascale, R. Francini, I. Berbezier, C. Lechner, F. Jardali, H. Vach, M. De Crescenzi. Nano Research, 11, 5879 (2018)
  9. L. Tao, E. Cinquanta, D. Chiappe, C. Grazianetti, M. Fanciulli, M. Dubey, A. Molle, D. Akinwande. Nature Nanotech., 10, 227 (2015)
  10. А. С. Качко, В. Н. Ваховский, В. А. Володин. Вестн. НГУ, Сер. Физика, 5, 48 (2010)
  11. A.V. Kacyuba, A.V. Dvurechenskii, G.N. Kamaev, V.A. Volodin, A.Y. Krupin. Mater. Lett., 268, 127554 (2020)
  12. S.M. Castillo, Z. Tang, A.P. Litvinchuk, A.M. Guloy. Inorg. Chem., 55, 10203 (2016)
  13. В.А. Зиновьев, А.В. Кацюба, В.А. Володин, А.Ф. Зиновьева, С.Г. Черкова, Ж.В. Смагина, А.В. Двуреченский, А.Ю. Крупин, О.М. Бородавченко, В.Д. Живулько, А.В. Мудрый. ФТП, 55, 808 (2021)
  14. В.А. Володин, М.Д. Ефремов, А.С. Дерябин, Л.В. Соколов. ФТП, 40, 1349 (2006)
  15. S. Kanemaru, H. Ishiwara, S. Furukawa. J. Appl. Phys., 63, 1060 (1988)
  16. P.J. Dean, J.R. Haynes, W.F. Flood. Phys. Rev., 61, 711 (1967)
  17. N.S. Minaev, A.V. Mudryi. Phys. Status Solidi A, 68, 561 (1981)
  18. S. Pizzini, M. Guzzi, E. Grilli, G. Borionetti. J. Phys.: Condens. Matter., 12, 10131 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.