Вышедшие номера
Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO2(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.08.54104.21
РНФ, 22-22-00866
Министерство науки и высшего образования России , 0729-2020-0058
Коряжкина M.Н. 1, Филатов Д.О.1, Шенина М.Е. 1, Антонов И.Н. 1, Круглов А.В. 1, Ершов А.В. 1, Горшков А.П. 1, Денисов С.А. 1, Чалков В.Ю. 1, Шенгуров В.Г. 1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mahavenok@mail.ru, cyrix@bk.ru, ivant@nifti.unn.ru, krualex@yandex.ru, gorshkovap@mail.ru, denisov@nifti.unn.ru, chalkov@nifti.unn.ru, shengurov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

Исследовано влияние электромагнитного излучения видимого и ближнего инфракрасного диапазонов на резистивное переключение МДП-структуры на основе пленок ZrO2(Y) на подложке n-Si(001) с самоорганизованными наноостровками Ge на ее поверхности. Наблюдалось увеличение логического коридора резистивных переключений при фотовозбуждении, связанное с влиянием фотоэдс на барьере Si/Ge/ZrO2(Y), в том числе при фотовозбуждении в области энергий квантов, меньших ширины запрещенной зоны Si. В последнем случае эффект связан с пространственно-непрямыми межзонными оптическими переходами в наноостровках Ge. Ключевые слова: мемристор, фотоиндуцированное резистивное переключение, стабилизированный диоксид циркония, МДП-структура, наноостровки Ge/Si.