Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
Исследование влияния оптического излучения на резистивное переключение МДП-структур на основе ZrO2(Y) на подложках Si(001) с наноостровками Ge
РНФ, 22-22-00866
Министерство науки и высшего образования России , 0729-2020-0058
Коряжкина M.Н. 1, Филатов Д.О.1, Шенина М.Е. 1, Антонов И.Н. 1, Круглов А.В. 1, Ершов А.В. 1, Горшков А.П. 1, Денисов С.А. 1, Чалков В.Ю. 1, Шенгуров В.Г. 1
1Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: mahavenok@mail.ru, cyrix@bk.ru, ivant@nifti.unn.ru, krualex@yandex.ru, gorshkovap@mail.ru, denisov@nifti.unn.ru, chalkov@nifti.unn.ru, shengurov@phys.unn.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 17 июля 2022 г.

Исследовано влияние электромагнитного излучения видимого и ближнего инфракрасного диапазонов на резистивное переключение МДП-структуры на основе пленок ZrO2(Y) на подложке n-Si(001) с самоорганизованными наноостровками Ge на ее поверхности. Наблюдалось увеличение логического коридора резистивных переключений при фотовозбуждении, связанное с влиянием фотоэдс на барьере Si/Ge/ZrO2(Y), в том числе при фотовозбуждении в области энергий квантов, меньших ширины запрещенной зоны Si. В последнем случае эффект связан с пространственно-непрямыми межзонными оптическими переходами в наноостровках Ge. Ключевые слова: мемристор, фотоиндуцированное резистивное переключение, стабилизированный диоксид циркония, МДП-структура, наноостровки Ge/Si.
  1. S.H. Lee, X. Zhu, W.D. Lu. Nano Research, 13, 1228 (2020)
  2. J. Zhu, T. Zhang, Y. Yang, R. Huang. Appl. Phys. Rev., 7, 011312 (2020)
  3. С.В. Тихов, О.Н. Горшков, М.Н. Коряжкина, И.Н. Антонов, А.П. Касаткин. Письма в ЖТФ, 42, 78 (2016)
  4. С.В. Тихов, В.Г. Шенгуров, С.А. Денисов, И.Н. Антонов, А.В. Круглов, А.И. Белов, Д.О. Филатов, О.Н. Горшков, А.Н. Михайлов. ЖТФ, 90, 1741 (2020)
  5. С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.А. Толомасов, Г.Н. Горшенин, В.Ю. Чалков. Приборы и техника эксперимента, 5, 137 (2001)
  6. В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов, Д.О. Филатов, А.В. Круглов, М.В. Степихова, Д.Е. Спирин. Вестн. ННГУ им. Н.И. Лобачевского. Сер. ФТТ, 2 (2), 28 (2013)
  7. Д.О. Филатов, М.В. Круглова, М.А. Исаков, С.В. Сипрова, M.О. Марычев, В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, С.А. Денисов. Изв. РАН. Сер. физ., 72, 267 (2008)
  8. B.Е. Примаченко, О.В. Снитко. Физика легирования металлами поверхности полупроводников (Киев, Наук. думка, 1988)
  9. M. Tomitori, K. Watanabe, M. Kobayashi, O. Nishikawa. Appl. Surf. Sci., 76-77, 322 (1994)
  10. А.А. Бухараев, Н.В. Бердунов, Д.В. Овчинников, К.М. Салихов. Микроэлектроника, 26, 163 (1997)
  11. N.V. Vostokov, I.V. Dolgov, Yu.N. Drozdov, Z.F. Krasil'nik, D.N. Lobanov, L.D. Moldavskaya, A.V. Novikov, V.V. Postnikov, D.O. Filatov. J. Cryst. Growth, 209, 302 (2000)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.