"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Defect profiling in semiconductor layers by electrochemical method
Nemcsics Akos1, Makai Janos P.1
1Hungarian Academy of Sciences, Research Institute for Technical Physics and Materials Science, Budapest, Hungary
Поступила в редакцию: 18 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2003 г.

A special selective electrochemical etching based equipment is presented which is appropriate for in-situ observation of the defect structure. The working of the set-up is demonstrated on the InGaAs/GaAs (001) heteroepitaxial systems where the epitaxial layer thickness was above the critical layer thickness. By incremental layer removal, the depth profile on the dislocation density was mapped. The measured defects density is inversely proportional to the layer thickness and corresponds to theoretical model.
  1. E.A. Fitzgerald. Mater. Sci. Rep., 7, 87 (1991)
  2. A. Nemcsics, L. Petras, K. Somogyi. Vacuum, 41, 1015 (1990)
  3. A. Nemcsics, F. Riesz, L. Dobos. Thin Sol. Films, 343--344, 520 (1999)
  4. www.elektroflex.hu (elektroflex@deltav.hu)
  5. M.M. Faktor, J.L. Stevenson. J. Electrochem. Soc., 125, 621 (1978)
  6. T. Ambridge, M.M. Fakrot. J. Appl. Electrochem., 5, 319 (1975)
  7. M. Racz, I. Reti. S. Ferenczi. Opt. Eng., 32, 2517 (1993)
  8. M. Racz, I. Reti, S. Ferenczi. Proc. Int. Conf. Photodetectors and Power Meters ", July 15--16, 1993 (San Diego, California). [SPIE, 2022, 192 (1993)]
  9. A. Nemcsics, J. Olde, M. Geyer, R. Schnurpfeil, R. Manzke, M. Skibowski. Phys. St. Sol. (a), 155, 427 (1996)
  10. A. Nemcsics, K. Somogyi. Acta Phys. Hung., 70, 259 (1991)
  11. A. Nemcsics, M. Schuszter, L. Dobos, Gy. Ballai. Mater. Sci. Eng. B, 90, 67 (2002)
  12. H.H. Wehmann. Hablitationschrift, TUCarolo-Wilhemina zu Braunschweig, 2000
  13. H.H. Wehmann, G.P. Tang, A. Schlachetzki. Sol. St. Phenomena, 32--33 445 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.