"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия в пористый 4H-SiC
Мынбаева М.Г.1, Лаврентьев А.А.2, Кузнецов Н.И.1, Кузнецов А.Н.1, Мынбаев К.Д.1, Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НП "Центр по исследованию роста кристаллов", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Полуизолирующие слои карбида кремния получены диффузией ванадия в пористый 4H-SiC. Диффузия проведена из пленки, полученной сораспылением кремния и ванадия, и содержавшей 20% ванадия. Диффузионный профиль ванадия в пористом карбиде кремния имел сложную структуру с коэффициентом быстрой диффузии 7·10-15 см2/с. Энергия активации удельного сопротивления диффузионно-легированных ванадием слоев пористого SiC была равна 1.45 эВ. Удельное сопротивление легированных ванадием полуизолирующих слоев составило 5·1011 Ом·см при 500 K и на 2 порядка превышало удельное сопротивление нелегированного пористого SiC. Полученные результаты указывают на перспективность использования пористого SiC для создания полуизолирующих подложек для приборных структур на основе широкозонных полупроводников.
  1. H.McD. Hobgood, R.C. Glass, G. Augustine, R.H. Hopkins, J. Jenny, M. Skowronski, W.C. Mitchel, M. Roth. Appl. Phys. Lett., 66, 1364 (1995)
  2. S.A. Reshanov. Diamond Relat. Mater., 9, 480 (2000)
  3. T.S. Sudarshan, G. Gradinaru, G. Korony, S.A. Gradinaru, W. Mitchel. Diamond Relat. Mater., 6, 1392 (1997)
  4. А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1999)
  5. S.A. Reshanov, V.P. Rastegaev. Diamond Relat. Mater., 10, 2035 (2001)
  6. T. Kimoto, T. Nakajima, H. Matsunami, T. Nakata, M. Inoue. Appl. Phys. Lett., 69, 1113 (1996)
  7. A. Edwards, D.N. Dwight, M.V. Rao, M.C. Ridgway, G. Kelner, N. Papanicolau. J. Appl. Phys., 82, 4223 (1997)
  8. M. Bickermann, B.M. Epelbaum, D. Hofmann, T.L. Straubinger, R. Weingartner, A. Winnacker. J. Cryst. Growth. 223, 211 (2001)
  9. H. Yamanaka, M. Kamashiba. Jap. J. Appl. Phys., 13, 1661 (1974)
  10. M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk, I. Nikitina, M. Scheglov, A. Sitnikova, N. Kuznetsov, K. Mynbaev, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 78, 117 (2001)
  11. J.E. Spanier, G.T. Dunne, L.B. Rowland, I.P. Hermann. Appl. Phys. Lett., 76, 3879 (2000)
  12. J.K. Jeong, M.Y. Um, H.J. Na, B.S. Kim, I.B. Song, H.J. Kim. Mater. Sci. Forum, 389--393, 267 (2002).
  13. M. Mynbaeva, A. Titkov, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, A.S. Zubrilov, V.V. Ratnikov, V.Yu. Davydov, N.I. Kuznetsov, K. Mynbaev, D.V. Tsvetkov, S. Stepanov, A. Cherenkov, V.A. Dmitriev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4, 14 (1999)
  14. A.O. Konstantinov, C.I. Harris, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2699 (1994)
  15. S.E. Saddow, M. Mynbaeva, M. McMillan. In: Silicon Carbide: Materials, Devices and Applications, ed. by Z.C. Feng, J.H. Zhao. Ser.: Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices (2003, in press)
  16. V.A. Dmitriev, M.G. Spencer. In: SiC Materials and Devices. Semiconductors and Semimetals (Academic Press, N.Y., 1998) v. 52, p. 61
  17. A. Ellison, B. Magnusson, C. Hemmingson, W. Magnusson, T. Iakimov, L. Storasta, A. Henry, N. Henelius, E. Janzen. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 640, H1.2 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.