Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Полуизолирующие слои карбида кремния, полученные диффузией ванадия в пористый 4H-SiC
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2НП "Центр по исследованию роста кристаллов", Санкт-Петербург, Россия
2НП "Центр по исследованию роста кристаллов", Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 сентября 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.
Полуизолирующие слои карбида кремния получены диффузией ванадия в пористый 4H-SiC. Диффузия проведена из пленки, полученной сораспылением кремния и ванадия, и содержавшей 20% ванадия. Диффузионный профиль ванадия в пористом карбиде кремния имел сложную структуру с коэффициентом быстрой диффузии 7·10-15 см2/с. Энергия активации удельного сопротивления диффузионно-легированных ванадием слоев пористого SiC была равна 1.45 эВ. Удельное сопротивление легированных ванадием полуизолирующих слоев составило 5·1011 Ом·см при 500 K и на 2 порядка превышало удельное сопротивление нелегированного пористого SiC. Полученные результаты указывают на перспективность использования пористого SiC для создания полуизолирующих подложек для приборных структур на основе широкозонных полупроводников.
- H.McD. Hobgood, R.C. Glass, G. Augustine, R.H. Hopkins, J. Jenny, M. Skowronski, W.C. Mitchel, M. Roth. Appl. Phys. Lett., 66, 1364 (1995)
- S.A. Reshanov. Diamond Relat. Mater., 9, 480 (2000)
- T.S. Sudarshan, G. Gradinaru, G. Korony, S.A. Gradinaru, W. Mitchel. Diamond Relat. Mater., 6, 1392 (1997)
- А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1999)
- S.A. Reshanov, V.P. Rastegaev. Diamond Relat. Mater., 10, 2035 (2001)
- T. Kimoto, T. Nakajima, H. Matsunami, T. Nakata, M. Inoue. Appl. Phys. Lett., 69, 1113 (1996)
- A. Edwards, D.N. Dwight, M.V. Rao, M.C. Ridgway, G. Kelner, N. Papanicolau. J. Appl. Phys., 82, 4223 (1997)
- M. Bickermann, B.M. Epelbaum, D. Hofmann, T.L. Straubinger, R. Weingartner, A. Winnacker. J. Cryst. Growth. 223, 211 (2001)
- H. Yamanaka, M. Kamashiba. Jap. J. Appl. Phys., 13, 1661 (1974)
- M. Mynbaeva, S.E. Saddow, G. Melnychuk, I. Nikitina, M. Scheglov, A. Sitnikova, N. Kuznetsov, K. Mynbaev, V. Dmitriev. Appl. Phys. Lett., 78, 117 (2001)
- J.E. Spanier, G.T. Dunne, L.B. Rowland, I.P. Hermann. Appl. Phys. Lett., 76, 3879 (2000)
- J.K. Jeong, M.Y. Um, H.J. Na, B.S. Kim, I.B. Song, H.J. Kim. Mater. Sci. Forum, 389--393, 267 (2002).
- M. Mynbaeva, A. Titkov, A. Kryzhanovski, I. Kotousova, A.S. Zubrilov, V.V. Ratnikov, V.Yu. Davydov, N.I. Kuznetsov, K. Mynbaev, D.V. Tsvetkov, S. Stepanov, A. Cherenkov, V.A. Dmitriev. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res., 4, 14 (1999)
- A.O. Konstantinov, C.I. Harris, E. Janzen. Appl. Phys. Lett., 65, 2699 (1994)
- S.E. Saddow, M. Mynbaeva, M. McMillan. In: Silicon Carbide: Materials, Devices and Applications, ed. by Z.C. Feng, J.H. Zhao. Ser.: Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices (2003, in press)
- V.A. Dmitriev, M.G. Spencer. In: SiC Materials and Devices. Semiconductors and Semimetals (Academic Press, N.Y., 1998) v. 52, p. 61
- A. Ellison, B. Magnusson, C. Hemmingson, W. Magnusson, T. Iakimov, L. Storasta, A. Henry, N. Henelius, E. Janzen. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 640, H1.2 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
