"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Определение потока и энергии активации десорбции фосфора при отжиге в потоке мышьяка подложки InP(001) в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии
Колосовский Д.А. 1, Дмитриев Д.В. 1, Пономарев С.А. 1, Торопов А.И. 1, Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: d.kolosovsky@isp.nsc.ru, ddmitriev@isp.nsc.ru, ponomarev@isp.nsc.ru, toropov@isp.nsc.ru, zhur@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2022 г.

Экспериментально исследован процесс десорбции фосфора с epi-ready подложек InP(001) при высокотемпературном отжиге в потоке мышьяка. При отжиге на поверхности формируется твердый раствор InPAs и островки InAs. Предложена оригинальная методика определения количества атомов фосфора, десорбирующих с поверхности, путем определения количества атомов мышьяка в твердом растворе InPAs и островках InAs. Поток фосфора, десорбирующий с поверхности, повышается от 1·10-4 монослоя · см-2·с-1 при температуре отжига 500oC до 7.3·10-4 монослоя · см-2· с-1 при 540oC. Энергия активации процесса десорбции фосфора составляет 2.7±0.2 эВ. Ключевые слова: фосфид индия, отжиг, десорбция, энергия активации.
  1. S. Lee, M. Winslow, C.H. Grein, S.H. Kodati, A.H. Jones, D.R. Fink, P. Das, M.M. Hayat, T.J. Ronningen, J.C. Campbell, S. Krishna. Sci. Rep., 10, 16735 (2020)
  2. J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  3. W.C. Huang, C.T. Horng. Appl. Surf. Sci., 257, 3565 (2011)
  4. H. Yoo, K.S. Lee, S. Nahm, G.W. Hwang, S. Kim. Appl. Surf. Sci., 578, 151972 (2022)
  5. R. Nagarajan, M. Kato, J. Pleumeekers, P. Evans, S. Corzine, S. Hurtt, A. Dentai, S. Myrthy, M. Missey, R. Muthiah, R. Salvatore, C. Joyner, R. Schneider, M. Ziari, F. Kish, D. Welch. IEEE J. Selеct. Topics Quant. Electron., 16, 1119 (2010)
  6. K.S. Zhuravlev, A.L. Chizh, K.B. Mikitchuk, A.M. Gilinsky, I.B. Chistokhin, N.A. Valisheva, D.V. Dmitriev, A.I. Toropov, M.S. Aksenov. J. Semicond., 43, 012302 (2022)
  7. D.V. Dmitriev, N.A. Valisheva, A.M. Gilinsky, I.B. Chistokhin, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev. IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng., 475, 012022 (2019)
  8. Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, А.И. Торопов, К.С. Журавлев. Автометрия, 57 (5), 1 (2021)
  9. R. Averbeck, H. Riechert, H. Schlotterer. Appl. Phys. Lett., 59, 1732 (1991)
  10. S. Kanjanachuchai, T. Wongpinij, C. Euaruksakul, P. Photongkam. Appl. Surf. Sci., 542, 148549 (2021)
  11. C.H. Li, L. Li, D.C. Law, S.B. Visbeck, R.F. Hicks. Phys. Rev. B, 65, 205322 (2002)
  12. G.J. Davies, R. Heckingbottom, H. Ohno, C.E.C. Wood, A.R. Calawa, Appl. Phys. Lett., 37, 290 (1980)
  13. S.L. Zuo, W.G. Bi, C.W. Tu, E.T. Yu. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 2395 (1998)
  14. A. Chen, E. Murphy. Broadband optical modulators: Science, Technology, and Applications (Boca Raton, CRC Press, 2012)
  15. H. Ikeda, Y. Miura, N. Takahashi, A. Koukitu, H. Seki. Appl. Surf. Sci., 82, 257 (1994)
  16. Z. Sobiesierski, D.I. Westwood, P.J. Parbrook, K.B. Ozanyan, M. Hopkinson, C.R. Whitehouse. Appl. Phys. Lett., 70, 1423 (1997)
  17. N. Kobayashi, Y. Kobayashi. J. Cryst. Growth, 124, 525 (1992)
  18. J.M. Moison, M. Bensoussan, F. Houzay. Phys. Rev. B, 34 (3), 2018 (1986)
  19. G. Hollinger, D. Gallet, M. Gendry, C. Santinelli, P. Viktorovitch. J. Vac. Sci. Technol. B, 8, 832 (1990)
  20. J.M. Moison, C. Guille, M. Van Rompay, F. Barthe, F. Houzay, M. Bensoussan. Phys. Rev. B, 39, 1772 (1989)
  21. T.W. Lee, H. Hwang, Y. Moon, E. Yoon. J. Vac. Sci. Technol. A, 17, 2663 (1999)
  22. N. Kobayashi, Y. Kobayashi. Jpn. J. Appl. Phys. Pt 2, 30, L1699 (1991)
  23. Y. Sun, D.C. Law, S.B. Visbeck, R.F. Hicks. Surf. Sci., 513, 256 (2002)
  24. D.V. Dmitriev, D.A. Kolosovsky, T.A. Gavrilova, A.K. Gutakovskii, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev. Surf. Sci., 710, 121861 (2021)
  25. D.V. Dmitriev, I.A. Mitrofanov, D.A. Kolosovsky, A.I. Toropov, K.S. Zhuravlev. 21st Int. Conf. Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices (EDM), 5 (2020)
  26. D. Kolosovsky, D. Dmitriev, T. Gavrilova, A. Toropov, A. Kozhukhov, K. Zhuravlev. IEEE 22nd Int. Conf. Young Professionals in Electron Devices and Materials (EDM), 17 (2021)
  27. Д.В. Дмитриев, Д.А. Колосовский, Е.В. Федосенко, А.И. Торопов, К.С. Журавлев. ФТП, 55 (10), 877 (2021)
  28. G. Hollinger, E. Bergignat, J. Joseph, Y. Robach. J. Vac. Sci. Technol. A, 3, 2082 (1985)
  29. Y.S. Lee, W.A. Anderson. J. Appl. Phys., 65 (10), 4051 (1989)
  30. A. Nelson, K. Geib, C.W. Wilmsen. J. Appl. Phys., 54 (7), 4134 (1983)
  31. N. Shibata, H. Ikoma. Jpn. J. Appl. Phys., 31 (12R), 3976 (1992)
  32. M.B. Panish, J.R. Arthur. J. Chem. Therm., 2 (3), 299 (1970)
  33. J.R. Arthur. J. Phys. Chem. Sol., 28 (11), 2257 (1967)
  34. H. Seki, A. Koukitli. J. Cryst. Growth, 78 (2), 342 (1986)
  35. S. Katsura, Y. Sugiyama, O. Oda, M. Tacano. Appl. Phys. Lett., 62, 1910 (1993)
  36. Q.-K. Xue, T. Hashizume, T. Sakurai. Progr. Surf. Sci., 56, 1 (1997)
  37. A.Y. Cho, J.C. Tracy. US Patent N 3,969,164
  38. H. Yamaguchi, Y. Horikoshi. Phys. Rev. B, 44, 5897 (1991)
  39. O. Feron, M. Sugiyama, W. Asawamethapant, N. Futakuchi, Y. Feurprier, Y. Nakano, Y. Shimogaki. Appl. Surf. Sci., 157, 318 (2000)
  40. L. Li, B.-K. Han, D. Law, C.H. Li, Q. Fu, R.F. Hicks. Appl. Phys. Lett., 75, 683 (1999)
  41. D. Yap, K.R. Elliott, Y.K. Brown, A.R. Kost, E.S. Ponti. IEEE Phot. Techn. Lett., 13, 26 (2001)
  42. H. Takeuchi, K. Tsuzuki, K. Sato, M. Yamamoto, Y. Itaya, A. Sano, M. Yoneyama, T. Otsuji. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 336 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.