Исследованы электронные состояния в зоне проводимости сверхрешеток (AlAs)_M(Al_xGa_1-xAs)_N (110) при различных M и N. Показано, что электронные свойства этих структур в основном определяются электронами двух пар долин - или Gamma-X^Z, или X^X-X^Y. Расчеты проведены на основе разработанной нами модели сшивания огибающих функций. Найдены и проанализированы минизонные спектры, симметрия и локализация волновых функций, а также вероятности межминизонного инфракрасного поглощения. Показано, что в случае X^X-X^Y-связки долин вероятности поглощения имеют значительную величину не только при поляризации света в направлении оси роста сверхрешетки, но также и при нормальном к поверхности структуры падении световой волны.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.