"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электронные и оптические свойства сверхрешеток AlAs / AlxGa1-xAs (110)
Караваев Г.Ф.1, Чернышов В.Н.1, Егунов Р.М.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 29 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2003 г.

Исследованы электронные состояния в зоне проводимости сверхрешеток (AlAs)M(AlxGa1-xAs)N (110) при различных M и N. Показано, что электронные свойства этих структур в основном определяются электронами двух пар долин - или Gamma-XZ, или XX-XY. Расчеты проведены на основе разработанной нами модели сшивания огибающих функций. Найдены и проанализированы минизонные спектры, симметрия и локализация волновых функций, а также вероятности межминизонного инфракрасного поглощения. Показано, что в случае XX-XY-связки долин вероятности поглощения имеют значительную величину не только при поляризации света в направлении оси роста сверхрешетки, но также и при нормальном к поверхности структуры падении световой волны.
  1. Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов. ФТП, 36, 558 (2002)
  2. Г.Ф. Караваев, В.Н. Чернышов, Р.М. Егунов. ФТП, 36, 709 (2002)
  3. P. Tronc, Yu.E. Kitaev, A.G. Panfilov, M.F. Limonov, G. Wang, V.P. Smirnov. Phys. Rev. B, 61, 1999 (2000)
  4. M. Yoshita, N. Kondo, H. Sakaki, M. Baba, H. Akiyama. Phys. Rev. B, 63, 075305 (2001)
  5. S. Nojima. Phys. Rev. B, 47, 13 535 (1993)
  6. U. Schmid, N.E. Christensen, M. Cardona, F. Luke, K. Ploog. Phys. Rev. B, 45, 3546 (1992)
  7. О.В. Ковалев. Неприводимые и индуцированные представления и копредставления федоровских групп (М., Наука, 1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.