Физика и техника полупроводников
Вышедшие номера
О формировании низкоомных контактов для биполярных приборов на основе 4H-SiC
Афанасьев А.В.1, Ильин В.А.1, Лучинин В.В.1, Серков А.В.1, Чигирев Д.А.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: a_afanasjev@mail.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 25 марта 2022 г.
Принята к печати: 25 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

Представлены результаты исследований по отработке технологических приемов формирования низкоомных контактных систем к n- и p-SiC на основе монослойных и многослойных Ni-, Al- и Ti-композиций для биполярных 4H-SiC приборов. Показано, что формирование низкоомных контактов на основе Ni к n-4H-SiC (rhoc=3.6·10-4 Ом·см2) и Ni/Al к p-4H-SiC (rhoc=5.9·10-5 Ом · см2) возможно в одном цикле вакуумного отжига при 1000oС длительностью 120 с. Данное технологическое решение позволяет уменьшить количество высокотемпературных процессов. Ключевые слова: 4H-SiC, n-тип, p-тип, омические контакты, быстрый термический отжиг (RTA), Transmission Line Method, удельное контактное сопротивление.
  1. T. Kimoto, J.A. Cooper. Fundamentals of silicon carbide technology: growth, characterization, devices and applications (Singapore, John Wiley \& Sons, Inc., 2014)
  2. F. Roccaforte, M. Vivona, G. Greco, R. Lo Nigro, F. Giannazzo, S. Rascun\`a, M. Saggio. Mater. Sci. Forum, 924, 339 (2018)
  3. M.Г. Растегаева. Автореф. канд. дис. (СПб., ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 1999) с. 16
  4. А.В. Афанасьев. Автореф. канд. дис. (СПб., СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 1999) с. 16
  5. I.P. Nikitina, K.V. Vassilevski, N.G. Wright, A.B. Horsfall, A.G. O'Neill, C.M. Johnson. J. Appl. Phys., 97, 083709 (2005)
  6. M. Vivona, G. Greco, F. Giannazzo, R. Lo Nigro, S. Rascun\`a, M. Saggio, F. Roccaforte. Semicond. Sci. Technol., 29, 075018 (2014)
  7. H. Elahipanah, A. Asadollahi, M. Ekstrom, A. Salemi, C. Zetterling, M. Ostling. ECS J. Solid State Sci. Technol., 6 (4), 197 (2017)
  8. T. Sledziewski, T. Erlbacher, A. Bauer, L. Frey, X. Chen, Y. Zhao, C. Li, X. Dai. Mater. Sci. Forum, 963, 490 (2019)
  9. M. Vivona, G. Greco, C. Bongiorno, S. Di Franco, R. Lo Nigro, S. Scalese, S. Rascun\`a, M. Saggio, F. Roccaforte. Mater. Sci. Forum, 924, 377 (2018)
  10. A.V. Afanasyev, Yu.A. Demin, B.V. Ivanov, V.A. Ilyin, A.F. Kardo-Sysoev, V.V. Luchinin, S.A. Reshanov, A. Schoner, K.A. Sergushichev, A.A. Smirnov. Mater. Sci. Forum, 924, 841 (2018)
  11. А.В. Афанасьев, В.А. Ильин, С.А. Решанов, А.А. Романов, К.А. Сергушичев, А.В. Серков, Д.А. Чигирев. Нано- и микросистемная техника, 18 (5), 331 (2016)
  12. G.K. Reeves, H.B. Harrison. IEEE Electron Dev. Lett., 3 (5), 111 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.