Представлены результаты исследований по отработке технологических приемов формирования низкоомных контактных систем к n- и p-SiC на основе монослойных и многослойных Ni-, Al- и Ti-композиций для биполярных 4H-SiC приборов. Показано, что формирование низкоомных контактов на основе Ni к n-4H-SiC (rho_c=3.6·10^-4 Ом·см²) и Ni/Al к p-4H-SiC (rho_c=5.9·10^-5 Ом · см²) возможно в одном цикле вакуумного отжига при 1000^oС длительностью 120 с. Данное технологическое решение позволяет уменьшить количество высокотемпературных процессов. Ключевые слова: 4H-SiC, n-тип, p-тип, омические контакты, быстрый термический отжиг (RTA), Transmission Line Method, удельное контактное сопротивление.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.