Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 6 » Статья стр. 547
<<<>>>
Рост тонкопленочных AlGaN/GaN эпитаксиальных гетероструктур на гибридных подложках, содержащих слои карбида кремния и пористого кремния
DOI: 10.21883/FTP.2022.06.52587.9816
Середин П.В.1,2, Радам Али Обаид1, Голощапов Д.Л.1, Леньшин А.С.1,3, Буйлов Н.С.1, Барков К.А.1, Нестеров Д.Н.1, Мизеров А.М.4, Тимошнев С.Н.4, Никитина Е.В.4, Арсентьев И.Н.5, Шарофидинов Ш.5, Вавилова Л.С.5, Кукушкин С.А.6, Касаткин И.А.7
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Воронежский государственный университет инженерных технологий, Воронеж, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
7Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: paul@phys.vsu.ru
Поступила в редакцию: 15 февраля 2022 г.
В окончательной редакции: 21 февраля 2022 г.
Принята к печати: 21 февраля 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.
PDF версия
Проведено структурно-спектроскопическое исследование эпитаксиальных слоев AlGaN/GaN, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на гибридной подложке SiC/por-Si, содержавшей слои карбида кремния и пористого кремния. С использованием методов рентгеновской дифрактометрии, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии показано, что сформированные на гибридной подложке тонкие пленки имеют минимальные остаточные напряжения и интенсивную фотолюминесценцию. Ключевые слова: AlGaN, GaN, por-Si, молекулярно-пучковая эпитаксия.
  1. A.M. Mizerov, S.N. Timoshnev, M.S. Sobolev, E.V. Nikitina, K.Yu. Shubina, T.N. Berezovskaia, I.V. Shtrom, A.D. Bouravleuv. Semiconductors, 52, 1529 (2018). doi: 10.1134/S1063782618120175
  2. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. Appl. Phys., 47, 313001 (2014). doi: 10.1088/0022-3727/47/31/313001
  3. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Inorg. Mater., 57, 1319 (2021). doi: 10.1134/S0020168521130021
  4. P.V. Seredin, D.L. Goloshchapov, I.N. Arsentyev, S. Sharofidinov, I.A. Kasatkin, T. Prutskij. Optical Mater., 117, 111130 (2021). doi: 10.1016/j.optmat.2021.111130
  5. P.V. Seredin, H. Leiste, A.S. Lenshin, A.M. Mizerov. Appl. Surf. Sci., 508, 145267 (2020). doi: 10.1016/j.apsusc.2020.145267
  6. V.S. Harutyunyan, A.P. Aivazyan, E.R. Weber, Y. Kim, Y. Park, S.G. Subramanya. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, A35 (2001). doi: 10.1088/0022-3727/34/10A/308
  7. H. Morko c. Handbook of Nitride Semiconductors and Devices: Materials Properties, Physics and Growth (Wiley, 2009) v. 1
  8. Collaboration: Authors and editors of the volumes III/17A-22A-41A1a. in Group IV Elem. IV-IV III-V Compd. Part-Lattice Prop., ed. by O. Madelung, U. Rossler, M. Schulz (Springer Verlag, Berlin-Heidelberg, 2001) p. 1-7. doi: 10.1007/10551045_2
  9. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 481 (2011). doi: 10.1134/S106378261104021X
  10. Y. Feng, V. Saravade, T.-F. Chung, Y. Dong, H. Zhou, B. Kucukgok, I.T. Ferguson, N. Lu. Sci. Rep., 9, 10172 (2019). doi: 10.1038/s41598-019-46628-4
  11. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, A.V. Glotov, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 1094 (2014). doi: 10.1134/S1063782614080211
  12. P. Seredin, A. Glotov, E. Domashevskaya, I. Arsentyev, D. Vinokurov, A. Stankevich, I. Tarasov. In: Adv. Mater. Technol. MicroNano-Devices Sens. Actuators, ed. by E. Gusev, E. Garfunkel, A. Dideikin (Springer Netherlands, Dordrecht, 2010) p. 225
  13. A.P.V. Seredin, A.V. Glotov, A.S. Lenshin, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, T. Prutskij, H. Leiste, M. Rinke. Semiconductors, 48, 21 (2014). doi: 10.1134/S1063782614010217
  14. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov. Phys. B: Condens. Matter, 405, 2694 (2010). doi: 10.1016/j.physb.2010.03.049
  15. A. Olivier, H. Wang, A. Koke, D. Baillargeat. Int. J. Nanotechnol., 11, 243 (2014). doi: 10.1504/IJNT.2014.059826
  16. V. Lughi, D.R. Clarke. Appl. Phys. Lett., 89, 241911 (2006). doi: 10.1063/1.2404938
  17. H. Okumura, E. Sakuma, J.H. Lee, H. Mukaida, S. Misawa, K. Endo, S. Yoshida. J. Appl. Phys., 61, 1134 (1987). doi: 10.1063/1.338157
  18. S. Perkowitz. Optical Characterization of Semiconductors: Infrared, Raman, and Photoluminescence Spectroscopy (Academic Press, London-San Diego, 1993)
  19. S. Tripathy, S.J. Chua, P. Chen, Z.L. Miao. J. Appl. Phys., 92, 3503 (2002). doi: 10.1063/1.1502921
  20. H.-P. Lee, J. Perozek, L.D. Rosario, C. Bayram. Sci. Rep., 6, 37588 (2016). doi: 10.1038/srep37588
  21. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, D.N. Nikolaev, A.V. Zhabotinskiy. Phys. B: Condens. Matter, 530, 30 (2018). doi: 10.1016/j.physb.2017.11.028
  22. P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011). doi: 10.1134/S1063782611110236
  23. P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov, I.A. Zhurbina. Semiconductors, 44, 184 (2010). doi: 10.1134/S1063782610020089
  24. P.V. Seredin, A.S. Lenshin, D.S. Zolotukhin, I.N. Arsentyev, A.V. Zhabotinskiy, D.N. Nikolaev. Phys. E Low-Dim. Syst. Nanostructures, 97, 218 (2018). doi: 10.1016/j.physe.2017.11.018
  25. P.V. Seredin, P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, A.L. Stankevich, T. Prutskij. Semiconductors, 47, 1 (2013). doi: 10.1134/S106378261301020X
  26. D.G. Zhao, S.J. Xu, M.H. Xie, S.Y. Tong, H. Yang. Appl. Phys. Lett., 83, 677 (2003). doi: 10.1063/1.1592306
  27. P. Specht, J.C. Ho, X. Xu, R. Armitage, E.R. Weber, R. Erni, C. Kisielowski. Solid State Commun., 135, 340 (2005). doi: 10.1016/j.ssc.2005.04.041
  28. A.G. Taboada, T. Kreiliger, C.V. Falub, F. Isa, M. Salvalaglio, L. Wewior, D. Fuster, M. Richter, E. Uccelli, P. Niedermann, A. Neels, F. Mancarella, B. Alen, L. Miglio, A. Dommann, G. Isella, H. von Kanel. Appl. Phys. Lett., 104, 022112 (2014). doi: 10.1063/1.4861864
  29. E.M. Anastassakis, J.D. Joannopoulous. In: Proc. 20th Int. Conf. Phys. Semicond. (World Scientific, Thessaloniki, Greece, 1990) p. 981
  30. S. Choi, E. Heller, D. Dorsey, R. Vetury, S. Graham. J. Appl. Phys., 113, 093510 (2013). doi: 10.1063/1.4794009
  31. V.Yu. Davydov, N.S. Averkiev, I.N. Goncharuk, D.K. Nelson, I.P. Nikitina, A.S. Polkovnikov, A.N. Smirnov, M.A. Jacobson, O.K. Semchinova. J. Appl. Phys., 82, 5097 (1997). doi: 10.1063/1.366310
  32. F. Demangeot, J. Frandon, P. Baules, F. Natali, F. Semond, J. Massies. Phys. Rev. B, 69, 155215 (2004). doi: 10.1103/PhysRevB.69.155215
  33. C. Kisielowski, J. Kruger, S. Ruvimov, T. Suski, J.W. Ager, E. Jones, Z. Liliental-Weber, M. Rubin, E.R. Weber, M.D. Bremser, R.F. Davis. Phys. Rev. B, 54, 17745 (1996). doi: 10.1103/PhysRevB.54.17745

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme