"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности электрофизических параметров кремния, легированного последовательно примесными атомами фосфора и бора
Зикриллаев Х.Ф.1, Аюпов К.С.1, Мавлонов Г.Х.1, Усмонов А.А.1, Шоабдурахимова М.М.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: u-anvarjon@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 15 марта 2022 г.
Принята к печати: 15 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

Изучены образцы кремния, последовательно легированные примесными атомами фосфора и бора. Эти исследования позволили получить данные о взаимодействии и распределении примесных атомов фосфора и бора в кремнии. Установлено, что в таких образцах кремния меняется подвижность электронов и дырок. Из анализа полученных результатов было установлено, что атомы бора изменяют тип проводимости материала до глубины 2 мкм за счет компенсации атомов фосфора, которые в 4 раза превышают концентрацию бора в кремнии. Ключевые слова: полупроводник, кремний, фосфор, бор, легирование, подвижность, диффузия, концентрация.
  1. М.К. Бахадирханов, Н.Ф. Зикриллаев, С.Б. Исамов, Х.С. Турекеев, С.А. Валиев. ФТП, 56 (2), 199 (2022)
  2. А.В. Уваров, К.С. Зеленцов, А.С. Гудовских. ФТП, 53 (8), 1095 (2019)
  3. М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников, А.А. Усмонов, Г.Х. Мавлонов. Неорг. матер., 58 (1), 3 (2022)
  4. M.K. Bakhadyrhanov, U.X. Sodikov, Kh.M. Iliev, S.A. Tachilin, Tuerdi Wumaier. J. Mater. Phys. Chem., 1, 1 (2018)
  5. М.К. Бахадырханов, У.Х. Содиков, Х.М. Илиев, С.А. Тачилин, Тurdi Omar. Гелиотехника, N 4, 3 (2017)
  6. М.К. Бахадырханов, У.Х. Содиков, А.Ш. Мавлянов, М. Хаккулов. Гелиотехника, N 4, 28 (2015)
  7. X. Ru, M. Qu, J. Wang, T. Ruan, M. Yang, F. Peng, W. Long, K. Zheng, H. Yan, X. Xu. Solar Energy Mater. Solar Cells, 215, 110643 (2020)
  8. M.A. Green, E.D. Dunlop, D.H. Levi, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, A.W.Y. Ho-Baillie. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 27, 565 (2019)
  9. М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов. ЖТФ, 91 (11), 1678 (2021)
  10. М.К. Бахадирханов, Б.А. Абдурахманов, Х.Ф. Зикриллаев. Приборы. 5 (215), 39 (2018)
  11. M.K. Bahadirkhanov, B.K. Ismaylov, K.A. Ismailov, N.F. Zikrillaev, S.B. Isamov. Intern. J. Adv. Sci. Technol., 29 (9s), 6308 (2020)
  12. M.K. Bakhadyrkhanov, K.S. Ayupov, G.Kh. Mavlyanov, S.B. Isamov. Negative Semicond., 44 (9), 1145 (2010)
  13. Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
  14. О.В. Александров. ФТП, 35 (11), 1289 (2001)
  15. Г.В. Гадияк. ФТП, 31 (4), 385 (1997)
  16. Е.Г. Тишковский, В.И. Ободников, А.А. Таскин, К.В. Феклистов, В.Г. Серяпин. ФТП, 34 (6), 655 (2000)
  17. Н.Ф. Зикриллаев, Э.Б. Саитов. Вестн. ТашГТУ, N 1 (102), 51 (2018). https: // assets.uzsci.uz /edition / file /20191014121851\_1-%D1 %81%D0%BE%D0%BD%202018%D0%B9.pdf
  18. К.С. Аюпов, М.К. Бахадырханов, Н.Ф. Зикриллаев, Х.М. Илиев, Н.О. Норкулов. ДАН РУз., N 2, 21 (2007)
  19. Н.Ф. Зикриллаев, О.Б. Турсунов, К.К. Курбоналиев, М.М. Шоабдурахимова. Физика полупроводников и микроэлектроника, 2 (2), 15 (2020). https:// uzjournals.edu.uz /cgi /viewcontent.cgi?article=1116\& context=semiconductors
  20. М.К. Бахадырханов, Х.М. Илиев, О.Б. Турсунов. Молодой ученый, N 43 (281), 22 (2019). https://moluch.ru/archive/281/
  21. А.С. Гудовских, Д.А. Кудряшов, А.И. Баранов, А.В. Уваров, И.А. Морозов. Письма ЖТФ, 47 (2), 49 (2021).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.