Особенности электрофизических параметров кремния, легированного последовательно примесными атомами фосфора и бора
Зикриллаев Х.Ф.1, Аюпов К.С.1, Мавлонов Г.Х.1, Усмонов А.А.1, Шоабдурахимова М.М.1
1Ташкентский государственный технический университет, Ташкент, Узбекистан
Email: u-anvarjon@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 15 марта 2022 г.
Принята к печати: 15 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.
Изучены образцы кремния, последовательно легированные примесными атомами фосфора и бора. Эти исследования позволили получить данные о взаимодействии и распределении примесных атомов фосфора и бора в кремнии. Установлено, что в таких образцах кремния меняется подвижность электронов и дырок. Из анализа полученных результатов было установлено, что атомы бора изменяют тип проводимости материала до глубины 2 мкм за счет компенсации атомов фосфора, которые в 4 раза превышают концентрацию бора в кремнии. Ключевые слова: полупроводник, кремний, фосфор, бор, легирование, подвижность, диффузия, концентрация.
- М.К. Бахадирханов, Н.Ф. Зикриллаев, С.Б. Исамов, Х.С. Турекеев, С.А. Валиев. ФТП, 56 (2), 199 (2022)
- А.В. Уваров, К.С. Зеленцов, А.С. Гудовских. ФТП, 53 (8), 1095 (2019)
- М.К. Бахадырханов, З.Т. Кенжаев, С.В. Ковешников, А.А. Усмонов, Г.Х. Мавлонов. Неорг. матер., 58 (1), 3 (2022)
- M.K. Bakhadyrhanov, U.X. Sodikov, Kh.M. Iliev, S.A. Tachilin, Tuerdi Wumaier. J. Mater. Phys. Chem., 1, 1 (2018)
- М.К. Бахадырханов, У.Х. Содиков, Х.М. Илиев, С.А. Тачилин, Тurdi Omar. Гелиотехника, N 4, 3 (2017)
- М.К. Бахадырханов, У.Х. Содиков, А.Ш. Мавлянов, М. Хаккулов. Гелиотехника, N 4, 28 (2015)
- X. Ru, M. Qu, J. Wang, T. Ruan, M. Yang, F. Peng, W. Long, K. Zheng, H. Yan, X. Xu. Solar Energy Mater. Solar Cells, 215, 110643 (2020)
- M.A. Green, E.D. Dunlop, D.H. Levi, J. Hohl-Ebinger, M. Yoshita, A.W.Y. Ho-Baillie. Progr. Photovolt.: Res. Appl., 27, 565 (2019)
- М.К. Бахадырханов, С.Б. Исамов. ЖТФ, 91 (11), 1678 (2021)
- М.К. Бахадирханов, Б.А. Абдурахманов, Х.Ф. Зикриллаев. Приборы. 5 (215), 39 (2018)
- M.K. Bahadirkhanov, B.K. Ismaylov, K.A. Ismailov, N.F. Zikrillaev, S.B. Isamov. Intern. J. Adv. Sci. Technol., 29 (9s), 6308 (2020)
- M.K. Bakhadyrkhanov, K.S. Ayupov, G.Kh. Mavlyanov, S.B. Isamov. Negative Semicond., 44 (9), 1145 (2010)
- Б.И. Болтакс. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л., Наука, 1972)
- О.В. Александров. ФТП, 35 (11), 1289 (2001)
- Г.В. Гадияк. ФТП, 31 (4), 385 (1997)
- Е.Г. Тишковский, В.И. Ободников, А.А. Таскин, К.В. Феклистов, В.Г. Серяпин. ФТП, 34 (6), 655 (2000)
- Н.Ф. Зикриллаев, Э.Б. Саитов. Вестн. ТашГТУ, N 1 (102), 51 (2018). https: // assets.uzsci.uz /edition / file /20191014121851_1-%D1 %81%D0%BE%D0%BD%202018%D0%B9.pdf
- К.С. Аюпов, М.К. Бахадырханов, Н.Ф. Зикриллаев, Х.М. Илиев, Н.О. Норкулов. ДАН РУз., N 2, 21 (2007)
- Н.Ф. Зикриллаев, О.Б. Турсунов, К.К. Курбоналиев, М.М. Шоабдурахимова. Физика полупроводников и микроэлектроника, 2 (2), 15 (2020). https:// uzjournals.edu.uz /cgi /viewcontent.cgi?article=1116\& context=semiconductors
- М.К. Бахадырханов, Х.М. Илиев, О.Б. Турсунов. Молодой ученый, N 43 (281), 22 (2019). https://moluch.ru/archive/281/
- А.С. Гудовских, Д.А. Кудряшов, А.И. Баранов, А.В. Уваров, И.А. Морозов. Письма ЖТФ, 47 (2), 49 (2021).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
