"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnIn2Se4
Вайполин А.А.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Впервые получены фоточувствительные поверхностно-барьерные и гомопереходные структуры на монокристаллах n-ZnIn2Se4. Исследованы и обсуждаются спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Сделан вывод о перспективности практического применения разработанных структур.
  • А.Н. Гергобиани, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТП, 19, 193 (1985)
  • А.Н. Гергобиани, В.С. Дону, З.П. Плюхина, В.И. Павленко, И.М. Тигиняну. ФТП, 17, 1524 (1983)
  • B.F. Levine, C.G. Bethea, N.M. Kasper. J. Quant. Electron., QE-10, 904 (1972)
  • Полупроводники A-=SUP=-2-=/SUP=-B-=SUP=-4-=/SUP=-C-=SUB=-2-=/SUB=--=SUP=-5-=/SUP=- под ред. Ю.А. Валова, Н.А. Горюновой (М., Сов. радио, 1968)
  • H. Hahn, G. Frank, W. Klinger. Z. Anorg. Allgem. Chem., 279, 241 (1955)
  • Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1975)
  • А.А. Вайполин. ФТТ, 32, 2086 (1990)
  • Н.М. Мехтиев, З.З. Гусейнов, Э.Ю. Салаев. ФТП, 18, 1088 (1984)
  • Н.М. Мехтиев. Автореф. докт. дис. (Баку, ИФ АН Азербайджана, 1991)
  • R. Tzykorko, J. Filipowcz. Jap. J. Appl. Phys., 49, Suppl. 19-3, 153 (1980)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.