"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фоточувствительные структуры на монокристаллах ZnIn2Se4
Вайполин А.А.1, Николаев Ю.А.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.1, Теруков Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Впервые получены фоточувствительные поверхностно-барьерные и гомопереходные структуры на монокристаллах n-ZnIn2Se4. Исследованы и обсуждаются спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Сделан вывод о перспективности практического применения разработанных структур.
  1. А.Н. Гергобиани, С.И. Радауцан, И.М. Тигиняну. ФТП, 19, 193 (1985)
  2. А.Н. Гергобиани, В.С. Дону, З.П. Плюхина, В.И. Павленко, И.М. Тигиняну. ФТП, 17, 1524 (1983)
  3. B.F. Levine, C.G. Bethea, N.M. Kasper. J. Quant. Electron., QE-10, 904 (1972)
  4. Полупроводники A-=SUP=-2-=/SUP=-B-=SUP=-4-=/SUP=-C-=SUB=-2-=/SUB=--=SUP=-5-=/SUP=- под ред. Ю.А. Валова, Н.А. Горюновой (М., Сов. радио, 1968)
  5. H. Hahn, G. Frank, W. Klinger. Z. Anorg. Allgem. Chem., 279, 241 (1955)
  6. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ. Справочник (М., Наука, 1975)
  7. А.А. Вайполин. ФТТ, 32, 2086 (1990)
  8. Н.М. Мехтиев, З.З. Гусейнов, Э.Ю. Салаев. ФТП, 18, 1088 (1984)
  9. Н.М. Мехтиев. Автореф. докт. дис. (Баку, ИФ АН Азербайджана, 1991)
  10. R. Tzykorko, J. Filipowcz. Jap. J. Appl. Phys., 49, Suppl. 19-3, 153 (1980)
  11. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.