"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Туннельная эмиссия электронов в фотополевых детекторах и в оже-транзисторе в сверхсильных электрических полях
Калганов В.Д.1, Милешкина Н.В.1, Остроумова Е.В.2
1Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Исследовалось влияние сильного электрического поля, (5-7)· 107 B/см, на эмиссию электронов из полупроводника в вакуум в полевых фотодетекторах и в структурах металл--диэлектрик--полупроводник с туннельно-прозрачным слоем диэлектрика в оже-транзисторе Al--SiO2--n-Si. Впервые показано, что существование глубоких самосогласованных квантовых колодцев на поверхности полупроводника в сильном электрическом поле позволяет управлять энергией быстрых электронов, участвующих в ударной ионизации вблизи базы оже-транзистора и изменяет фоточувствительность узкозонных полевых фотокатодов в инфракрасной области спектра за счет образования транзисторной структуры на границе полупроводник--вакуум. Показано также, что и в полевых фотодетекторах, и в туннельных транзисторных структурах Al--SiO2--n-Si нужно учитывать только туннельный ток электронов и не учитывать ток дырок, поскольку в вакууме существует только ток электронов, а в структуре Al--SiO2--n-Si туннелирование дырок из полупроводника в металл маловероятно из-за большой эффективной массы дырок в валентной зоне SiO2.
  1. A.A. Rogachev, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, E.V. Ostroumova. Microelectronics J., 31, 905 (2000)
  2. T. Deck, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, A. Moscardini, E.V. Ostroumova. Phys. Low-Dim. Struct., N 11/12, 147 (2000)
  3. D.R. Schreder, R.N. Thomas. IEEE Trans., 21, 785 (1974)
  4. Ненакаливаемые катоды, под ред. М. Елинсона (М., Сов. радио, 1974)
  5. T. Deck, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, A. Moscardini. Phys. Low-Dim. Struct., N 5/6, 9 (2001)
  6. Р. Фишер, Х. Нойман. Автоэлектронная эмиссия полупроводников (М., Наука, 1971) гл. 4
  7. И.В. Грехов, Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев, А.Ф. Шулекин. Письма ЖТФ, 17 (7), 44 (1991) [Sov. Tech. Phys. Lett., 17 (7), 476 (1991)]
  8. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП, 28 (8), 1411 (1994) [Semiconductors, 28 (8), 793 (1994)]
  9. E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. Microelectronics J., 29, 701 (1998)
  10. E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. In: Fundamental Aspects of Ultrathin Dielectrics on Si-Based Devices: Towards an Atomic-Scale Understanding [NATO Sci. Ser. 3. High Technology (Kluwer Academic Publishers in cooperation with NATO Scientific Affairs Division, Dordrecht--Boston--London, 1998) v. 47, p. 383]
  11. А. Милнс, Д. Фойхт. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., Мир 1975) с. 45 [A.G. Milns, J.J. Feucht. Heterojunctions and Metal--Semiconductor Junctions (N. Y., Academic Press, 1972)]
  12. Е.В. Остроумова, А.А. Рогачев. ФТП 33 (9), 1126 (1999) [Semiconductors, 33 (9), 1027 (1999)]
  13. E.V. Ostroumova, A.A. Rogachev. Appl. Surf. Sci., 166, 480 (2000)
  14. S.N. Goncharov, V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, A.I. Priloutsky, P.G. Shlyahtenko. Phys. Low-Dim. Struct., N 9/10, 143 (2001)
  15. V.D. Kalganov, N.V. Mileshkina, E.V. Ostroumova. Proc. 10th Int. Symp. Nanostructures: Physics and Technology (St. Petersburg, 2002) p. 357

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.