"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние олова на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в облученном кремнии
Хируненко Л.И.1, Кобзарь О.А.1, Помозов Ю.В.1, Соснин М.Г.1, Трипачко Н.А.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Проведено исследование влияния легирования оловом на реакции, протекающие с участием межузельного углерода в кремнии. Показано, что Sn в кремнии является эффективным стоком для межузельного углерода, в результате чего в кремнии, легированном оловом, не наблюдается образования центров CIOI и CICS, характерных для кремния, а возникают центры CISnS. Центры CIOI и CICS образуются в Si : Sn после отжига обнаруженных комплексов CISnS. Установлено, что атомы CI могут располагаться в двух различных положениях относительно атомов олова. Проведено рассмотрение процесса радиационного дефектообразования в Si : Sn в приближении квазихимических реакций. Получены выражения для зависимостей концентраций основных радиационных дефектов от содержания олова, проведено сопоставление с экспериментальными результатами.
  1. G.D. Watkins. Radiation Demage in Semiconductors, ed. by P. Baruch (Dunod, Paris, 1965) p. 97
  2. G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 12, 5824 (1975)
  3. G.D. Watkins. Phys. Rev., 155, 802 (1967)
  4. A. Brelot. IEEE Trans. Nucl. Sci., 19, 220 (1972)
  5. G. Davies, A.S. Oates, R.C. Newman, R. Woolley, E.C. Lightowlerst, M.J. Binns, J.G. Wilkes. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 19, 841 (1986)
  6. E.V. Lavrov, M. Fanciulli. Physica B, 302-- 303, 263 (2001)
  7. E.V. Lavrov, M. Fanciulli, M. Kaukonen, R. Jones, P.R. Briddon. Phys. Rev. B, 64, 125 212 (2001)
  8. G.D. Watkins. Phys. Rev. B, 12, 4383 (1975)
  9. A. Nylandsted Larsen, J.J. Goubet, P. Mejlholrn, J. Sherman Christensen, M. Fanciulli, J. Wulff Petersen, A. Resende, M. Kaukonen, R. Jones, S. Oberg, P.R. Briddon, B.G. Svensson, J.L. Lindstrom, S. Dannefaer. Phys. Rev. B, 62, 4535 (2000)
  10. A. Brelot, J. Charlemagne. Radiation Effects in Semiconductors, ed. by J.W. Corbett and G.D. Watkins (Gordon and Breach, London, 1971) p. 161
  11. В.Б. Неймаш, М.Г. Соснин, Б.М. Туровский, В.И. Шаховцев, В.Л. Шиндич. ФТП, 16 (5), 901 (1982)
  12. B.G. Svensson, J. Svensson, J.L. Lindstrom, G. Davies, J.M. Corbett. Appl. Phys. Lett., 51, 2257 (1987)
  13. R.C. Newman, A.R. Bean. Rad. Eff., 8, 189 (1971)
  14. J.M. Trombetta, G.D. Watkins. Appl. Phys. Lett., 51, 1103 (1987)
  15. R.C. Newman, A.R. Bean. Rad. Eff., 8, 189 (1971)
  16. M.T. Asom, J.L. Benton, R. Sauer, L.C. Kimerling. Appl. Phys. Lett., 51, 256 (1987)
  17. L.W. Song, X.D. Zhan, B.W. Benson, G.D. Watkins. Phys. Rev. Lett., 60, 460 (1988)
  18. L.C. Kimerling, M.T. Asom, J.L. Benton, P.J. Drevinsky, C.E. Caefer. Mater. Sci. Forum, 38-- 41, 141 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.