"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц
Российский научный фонд, 20-79-10285
Бабичев А.В. 1, Колодезный Е.С. 1, Гладышев А.Г. 1, Денисов Д.В.2, Jollivet A.3, Quach P.3, Карачинский Л.Я.1,4,5, Неведомский В.Н.4, Новиков И.И. 1,4,5, Tchernycheva M. 3, Julien F.H.3, Егоров А.Ю. 5
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies (C2N), UMR CNRS, Universite Paris-Saclay, Palaiseau, France
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: a.babichev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 15 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 29 октября 2021 г.
Принята к печати: 29 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 26 декабря 2021 г.

Предложена конструкция и реализована методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктура квантово-каскадного детектора частотного диапазона 2.5 ТГц. Для оптимизации толщин слоев периодов гетероструктуры использовался численный метод итерационного решения уравнения Шредингера-Пуассона в k· p формализме. Выращенная гетероструктура квантово-каскадного детектора показала высокое структурное совершенство, подтвержденное малыми значениями средней ширины на половине высоты пиков-сателлитов высоких порядков на рентгенодифракционных кривых качания, которые составили (8.3±0.5)''. Анализ темнопольных изображений, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии, показал, что суммарная толщина слоев в периоде каскада составляет 137.3± 6.9 нм, что соответствует расчетной толщине слоев периода каскада гетероструктуры квантово-каскадного детектора. Ключевые слова: сверхрешетки, квантово-каскадный детектор, эпитаксия, арсенид галлия.
  1. L. Consolino, S. Bartalini, H. Beere, D. Ritchie, M. Vitiello, P. De Natale. Sensors, 13 (3), 3331 (2013)
  2. G.-R. Kim, T.-I. Jeon, D. Grischkowsky. Opt. Express, 25 (21), 25422 (2017)
  3. M. Locatelli, M. Ravaro, S. Bartalini, L. Consolino, M.S. Vitiello, R. Cicchi, F. Pavone, P. De Natale. Sci. Rep., 5 (1), 13566 (2015)
  4. N. Rothbart, O. Holz, R. Koczulla, K. Schmalz, H.-W. Hubers. Sensors, 19 (12), 2719 (2019)
  5. P.U. Jepsen, D.G. Cooke, M. Koch. Laser Photon. Rev., 5 (1), 124 (2010)
  6. A. Khalatpour, A.K. Paulsen, C. Deimert, Z.R. Wasilewski, Q. Hu. Nature Photonics, 15 (1), 16 (2020)
  7. A. Vardi, N. Kheirodin, L. Nevou, H. Machhadani, L. Vivien, P. Crozat, M. Tchernycheva, R. Colombelli, F.H. Julien, F. Guillot, C. Bougerol, E. Monroy, S. Schacham, G. Bahir. Appl. Phys. Lett., 93 (19), 193509 (2008)
  8. M. Hakl, Q. Lin, S. Lepillet, M. Billet, J.-F. Lampin, S. Pirotta, R. Colombelli, W. Wan, J.C. Cao, H. Li, E. Peytavit, S. Barbieri. ACS Photonics, 8 (2), 464 (2021).
  9. D. Palaferri, Y. Todorov, Y.N. Chen, J. Madeo, A. Vasanelli, L.H. Li, A.G. Davies, E.H. Linfield, C. Sirtori. Appl. Phys. Lett., 106 (16), 161102 (2015)
  10. H. Li, W.-J. Wan, Z.-Y. Tan, Z.-L. Fu, H.-X. Wang, T. Zhou, Z.-P. Li, C. Wang, X.-G. Guo, J.-C. Cao. Sci. Rep., 7 (1), 3452 (2017)
  11. B. Paulillo, S. Pirotta, H. Nong, P. Crozat, S. Guilet, G. Xu, S. Dhillon, L.H. Li, A.G. Davies, E.H. Linfield, R. Colombelli. Optica, 4 (12), 1451 (2017)
  12. P. Micheletti, J. Faist, T. Olariu, U. Senica, M. Beck, G. Scalari. APL Phot. Optica, 6, 106102 (2021)
  13. M. Graf, G. Scalari, D. Hofstetter, J. Faist, H. Beere, E. Linfield, D. Ritchie, G. Davies. Appl. Phys. Lett., 84 (4), 475 (2004)
  14. J. Popp, M. Haider, M. Franckie, J. Faist, C. Jirauschek. In: 2020 Int. Conf. on Numerical Simulation of Optoelectronic Devices (NUSOD) (Turin, Italy, 2020). doi: 10.1109/NUSOD49422.2020.9217784
  15. J. Popp, M. Haider, M. Franckie, J. Faist, C. Jirauschek. In: 2020 XXXIIIrd General Assembly and Scientific Symposium of the Int. Union of Radio Science (Rome, Italy, 2020). doi: 10.23919/URSIGASS49373.2020.9232167
  16. J. Popp, M. Haider, M. Franckie, J. Faist, C. Jirauschek. Opt. Quant. Electron., 53 (6), 287 (2021)
  17. link: https://www.nextnano.de/. Accepted date: 21.09.2021
  18. A.V. Babichev, V.V. Dudelev, A.G. Gladyshev, D.A. Mikhailov, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, V.E. Bougrov, V.N. Nevedomskiy, L.Y. Karachinsky, I.I. Novikov, D.V. Denisov, A.S. Ionov, S.O. Slipchenko, A.V. Lutetskiy, N.A. Pikhtin, G.S. Sokolovskii, A.Y. Egorov. Techn. Phys. Lett., 45 (7), 735 (2019)
  19. A.V. Babichev, A.S. Kurochkin, E.C. Kolodeznyi, A.V. Filimonov, A.A. Usikova, V.N. Nevedomsky, A.G. Gladyshev, L.Y. Karachinsky, I.I. Novikov, A.Y. Egorov. Semiconductors, 52 (6), 745 (2018)
  20. A.E. Zhukov, G.E. Cirlin, R.R. Reznik, Y.B. Samsonenko, A.I. Khrebtov, M.A. Kaliteevski, K.A. Ivanov, N.V. Kryzhanovskaya, M.V. Maximov, Z.I. Alferov. Semiconductors, 50 (5), 662 (2016)
  21. G.E. Cirlin, R.R. Reznik, A.E. Zhukov, R.A. Khabibullin, K.V. Maremyanin, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Semiconductors, 54 (9), 1092 (2020)
  22. H.E. Beere, J.R. Freeman, O.P. Marshall, C.H. Worrall, D. Ritchie. J. Cryst. Growth, 311 (7), 1923 (2009)
  23. X. Wang, C. Shen, T. Jiang, Z. Zhan, Q. Deng, W. Li, W. Wu, N. Yang, W. Chu, S. Duan. AIP Adv., 6 (7), 075210 (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.