Вышедшие номера
Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок n-3C-SiC, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек 6H-SiC
РФФИ, № 20-0200117
Лебедев А.А. 1, Давыдов В.Ю. 1, Елисеев И.А. 1, Лебедев С.П.1, Никитина И.П.1, Оганесян Г.А. 1, Смирнов А.Н. 1, Шахов Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 18 октября 2021 г.
Принята к печати: 18 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 22 ноября 2021 г.

Методом сублимационной эпитаксии получены сильно легированные пленки 3C-SiC на основе полуизолирующих подложек 6H-SiC. Структурное совершенство полученных образцов контролировалось методом рентгеновской дифрактометрии. Проведенные измерения спектров фотолюминесцении и эффекта Холла подтвердили достаточно высокое совершенство полученных эпитаксиальных слоев. Ключевые слова: SiC, гетероэпитаксия, кубический карбид кремния, рентгеновская дифрактометрия, эффект Холла, фотолюминесценция.