Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2022, выпуск 2 » Статья стр. 225
<<<>>>
Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок n-3C-SiC, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек 6H-SiC
DOI: 10.21883/FTP.2022.02.51966.9752
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.02.53047.9752
РФФИ, № 20-0200117
Лебедев А.А. 1, Давыдов В.Ю. 1, Елисеев И.А. 1, Лебедев С.П.1, Никитина И.П.1, Оганесян Г.А. 1, Смирнов А.Н. 1, Шахов Л.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: shura.lebe@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 октября 2021 г.
В окончательной редакции: 18 октября 2021 г.
Принята к печати: 18 октября 2021 г.
Выставление онлайн: 22 ноября 2021 г.
PDF версия
Методом сублимационной эпитаксии получены сильно легированные пленки 3C-SiC на основе полуизолирующих подложек 6H-SiC. Структурное совершенство полученных образцов контролировалось методом рентгеновской дифрактометрии. Проведенные измерения спектров фотолюминесцении и эффекта Холла подтвердили достаточно высокое совершенство полученных эпитаксиальных слоев. Ключевые слова: SiC, гетероэпитаксия, кубический карбид кремния, рентгеновская дифрактометрия, эффект Холла, фотолюминесценция.
  1. Properties of Advanced Semiconductor Materials: GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe, eds M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur (John Wiley \& Sons, N.Y.-Chichester--Weinheim-Brisbane Singapore-Toronto, 2001)
  2. J.A. Lely. Ber. Dt. Keram. Ges, 32, 229 (1955)
  3. Yu.M. Tairov, V.F. Tsvetkov. J. Cryst. Growth, 43, 209 (1978)
  4. S.N. Gorin, L.M. Ivanova. Phys. Status Solidi B, 202, 221 (1997)
  5. S. Nishino, J. Powel, N.A. Will. Appl. Phys. Lett., 42, 460 (1983)
  6. A.A. Lebedev, E.V. Bogdanova, P.L. Abramov, S.P. Lebedev, D.K. Nel'son, G.A. Oganesyan, A.S. Tregubova, R. Yakimova. Semicond. Sci. Technol., 23, 075004 (2008)
  7. D.V. Davydov, A.A. Lebedev, A.S. Tregubova, V.V. Kozlovski, A.N. Kuznetsov, E.V. Bogdanova. Mater. Sci. Forum, 338-342, 221 (2000)
  8. А.А. Лебедев, П.Л. Абрамов, В.В. Зеленин, Е.В. Богданова, С.П. Лебедев, Д.К. Нельсон, Б.С. Разбирин, М.П. Щеглов, А.С. Трегубова, M. Suvajarvi, R. Yakimova. ФТП, 41, 273 (2007)
  9. L.V. Shakhov, A.A. Lebedev, N.V. Seredova, S.P. Lebedev, V.V. Kozlovski, A.V. Zubov, I.P. Nikitina. Mater. Sci. Forum, 1004, 278 (2020)
  10. J.A. Freitas, jr., W.J. Moore. Braz. J. Phys., 28 (1), 12 (1998)
  11. S. Nakashima, H. Harima. Phys. Status Solidi A, 162, 39 (1997)
  12. N. Piluso, A. Severino, M. Camarda, R. Anzalone, A. Canino, G. Condorelli, G. Abbondanza, F. La Via. Mater. Sci. Forum, 645-648, 255 (2010)
  13. M. Chafai, A. Jaouhari, A. Torres, R. Anton, E. Martin, J. Jimenez, W.C. Mitchel. J. Appl. Phys., 90, 5211 (2001)
  14. A. Suzuki, H. Matsunami, T. Tanaka. J. Electrochem. Soc., 124, 241 (1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme