"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инверсия типа проводимости в монокристаллах ZnSe, полученных методом свободного роста
Ваксман Ю.Ф.1, Ницук Ю.А.1, Пуртов Ю.Н.1, Шапкин П.В.2
1Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова Одесса, Украина
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Исследованы монокристаллы ZnSe : In и (ZnSe : In) : Zn, полученые методом свободного роста. Инверсия типа проводимости достигнута путем отжига кристаллов в атмосфере насыщенных паров селена. Впервые достигнута дырочная проводимость в кристаллах (ZnSe : In) : Zn, исходно имевших высокую электронную проводимость (3--5 Ом-1·см-1). Установлена природа донорных и акцепторных центров, ответственных за проводимость кристаллов.
  1. Ю.В. Ваксман, Ю.А. Ницук, Ю.Н. Пуртов, П.В. Шапкин. ФТП, 35 (8), 920 (2001)
  2. Yu.V. Korostelin, V.I. Kozlovsky, A.S. Nasibov, P.V. Shapkin. J. Cryst. Growth, 197, 449 (1999)
  3. Д.Д. Недеогло, А.В. Симашкевич. Электрические и люминесцентные свойства селенида цинка (Кишинев, Штиинца, 1980)
  4. V.V. Serdyuk, N.N. Korneva, Yu.F. Vaksman. Phys. St. Sol. (a), 91, 173 (1985)
  5. А.Н. Краснов, Ю.Ф. Ваксман, Ю.Н. Пуртов. Письма ЖТФ, 18(12), 1 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.