Вышедшие номера
Инверсия типа проводимости в монокристаллах ZnSe, полученных методом свободного роста
Ваксман Ю.Ф.1, Ницук Ю.А.1, Пуртов Ю.Н.1, Шапкин П.В.2
1Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова Одесса, Украина
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 января 2003 г.

Исследованы монокристаллы ZnSe : In и (ZnSe : In) : Zn, полученые методом свободного роста. Инверсия типа проводимости достигнута путем отжига кристаллов в атмосфере насыщенных паров селена. Впервые достигнута дырочная проводимость в кристаллах (ZnSe : In) : Zn, исходно имевших высокую электронную проводимость (3-5 Ом-1·см-1). Установлена природа донорных и акцепторных центров, ответственных за проводимость кристаллов.