"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Туннельная рекомбинация в кремниевых лавинных диодах
Булярский С.В.1, Ионычев В.К.1, Кузьмин В.В.2
1Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
2Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Поступила в редакцию: 18 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2002 г.

Методом математического моделирования исследовано распределение потока туннельной рекомбинации по области пространственного заряда p-n-перехода. Показано, что при малых значениях вероятности туннелирования скорость рекомбинации достигает насыщения. Приведено выражение для вольт-амперной характеристики p-n-перехода в случае туннельной рекомбинации. Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик кремниевых лавинных диодов, содержащих дислокации. Результаты численных расчетов на основе модели туннельной рекомбинации согласуются с экспериментальными данными.
  1. С.В. Булярский, Н.С. Грушко. ЖЭТФ, 118, 1222 (2000)
  2. П.В. Акимов, Ю.Н. Сережкин, В.М. Федосеев. Деп. в ВИНИТИ, 1985, N 8126-В
  3. К. Рейви. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии, пер. с англ. (М., Мир, 1984)
  4. С.Д. Барановский, В.Г. Карпов, Б.И. Шкловский. ЖЭТФ, 94, 278 (1988)
  5. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  6. Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках, пер. с англ. (М., Мир, 1974)
  7. С.Д. Барановский, Е.Л. Ивченко, Б.И. Шкловский. ЖЭТФ, 92, 2234 (1987)
  8. Н.С. Грушко. В сб.: Критические технологии и фундаментальные проблемы физики конденсированных сред: Труды лекторов Школы (Ульяновск, Изд-во УлГУ, 1999) с. 81

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.