"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Изучение многополосного экситонного спектра ZnSe в области 477-490 нм
Морозова Н.К.1, Аббасов И.И.2, Гаврищук Е.М.3,4, Мусаев М.А.2, Гусейнов Дж.И.5, Маммадова А.Дж.6
1Национальный исследовательский университет "Московский энергетический институт", Москва, Россия
2Азербайджанский государственный университет нефти и промышленности, Баку, Азербайджан
3Институт химии высокочистых веществ им. Г.Г. Девятых РАН, Нижний Новгород, Россия
4Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
6Институт Биофизики, Национальной академии наук Азербайджана, AZ Баку, Азербайджан
Email: MorozovaNK@mail.ru, ibrahimabbasov179@gmail.com
Поступила в редакцию: 11 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 16 сентября 2021 г.
Принята к печати: 16 сентября 2021 г.
Выставление онлайн: 18 октября 2021 г.

Изучены спектры фотолюминесценции поликристаллического CVD (chemical vapour deposition) ZnSe, выращенного с большим избытком селена и содержащего комплексы O*Se-Cu+i на дефектах упаковки. Измерено поглощение, дополняющее эти данные. Рассмотрены особенности спектров фотолюминесценции по сравнению с катодолюминесценцией. Показано, что идентичные полосы фотолюминесценции наблюдаются как несколько более коротковолновые, чем полосы катодолюминесценции. Для исследованных кристаллов представлена зонная модель согласно результатам, полученным в данной работе. Длинноволновое смещение спектров фотолюминесценции при уменьшении энергии возбуждения соответствует сдвигу по энергетической шкале зонной модели с соответствующим изменением типа излучательных переходов. Внесены изменения, определяющие природу группы эквидистантных полос 477-490 нм, характерных для образцов ZnSe с избытком кислорода и Se. Результаты могут быть полезны для более полного изучения структуры многофононных экситонных спектров фото- и катодолюминесценции кристаллов АIIВVI. Ключевые слова: зонная модель, узколинейчатые многофононные спектры, экситонное излучение, дефекты упаковки, изоэлектронная примесь кислорода, несущая эффективный отрицательный заряд.
  1. Н.К. Морозова. Новое в оптике соединений II-VI-О: Новые возможности оптической диагностики монокристаллических систем с дефектами (Riga, Latvia, LAP LAMBERT Academic Publishing, 2021)
  2. N.K. Morozova, I.N. Miroshnikova. Semiconductors, 54 (1), 102 (2020)
  3. В.И. Олешко, С.С. Вильчинская, Н.К. Морозова. ФТП, 55 (5), 403 (2021)
  4. R. Тriboulet, J.O. Ndap, A. Tromson-Carli, P. Lemasson, C. Morhain, G. Neu. J. Cryst. Growth, 159 (1-4), 156 (1996)
  5. В.В. Блинов. Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2B6 ( на примере ZnSe). Канд. дис. (М., МЭИ, 2003)
  6. W. Walukiewicz, W. Shan, K.M. Yu, J.W. Ager III, E.E. Haller, I. Miotkowski, M.J. Seong, H. Alawadhi, A.K. Ramdas. Phys. Rev. Lett., 85 (7), 1552 (2000)
  7. Jingbo Li, Su-Huai Wei. Phys. Rev. B, 73, 041201 (2006)
  8. W. Shan, W. Walukiewicz, J.W. Ager III, K.M. Yu, J. Wu, E.E. Haller, Y. Nabetani, T. Mukawa, Y. Ito, T. Matsumoto. Appl. Phys. Lett., 83 (2), 299 (2003)
  9. M.A. Mayer, Kin Man Yu, E.E. Haller, W. Walukiewicz. J. Appl. Phys., 111 (11), 113 (2012)
  10. K.M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, J.W. Beeman, M.A. Scarpulla, O.D. Dubon, P. Becla. Phys. Rev. Lett., 91 (24), 246403 (2003)
  11. Ю.Ю. Петер, М. Кардона. Основы физики полупроводников (М., Физматлит, 2002)
  12. Г.Г. Девятых, Е.М. Гаврищук, А.Ю. Даданов. Высокочистые вещества, 2, 174 (1990)
  13. Д.А. Мидерос. Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории антипересекающихся зон. Канд. дис. (М., МЭИ, 2008)
  14. Н.К. Морозова, И.Н. Мирошникова. ФТП, 55 (11), 1068 (2021).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.