Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
In situ эллипсометрический мониторинг состава и температуры слоeв HgCdTe в процессе их роста
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.14.53870.9714 
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия 
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: basi5353@mail.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2021 г.
Принята к печати: 2 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.
Разработана эллипсометрическая методика, позволяющая наблюдать за изменениями состава и температуры слоeв кадмий-ртуть-теллур в процессе их выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Методика опробована для диагностики состава и температуры при выращивании слоeв в режиме постоянной мощности нагревателя подложки и при еe резком изменении. Установлено, что падение мощности и последующее уменьшение температуры роста сопровождается также монотонным уменьшением состава. В случае постоянной мощности нагревателя наблюдается незначительное увеличение температуры образца при практически неизменном составе растущего слоя. Ключевые слова: эллипсометрия, кадмий-ртуть-теллур, HgCdTe, состава, in situ контроль температуры, эпитаксиальный рост.
- M.J. Bevan, L.A. Almeida, W.M. Duncan, H.D. Shih. J. Electron. Mater., 26 (6), 502 (1997)
- B. Johs, C. Herzinger, J.H. Dinan, A. Cornfeld, J.D. Benson, D. Doctor, G. Olson, I. Ferguson, M. Pelczynski, P. Ghow, C.H. Kuo, S. Johnson. Thin Sol. Films, 313-314, 490 (1998)
- D. Edwall, J. Phillips, D. Lee, J. Arias. J. Electron. Mater., 30 (6), 643 (2001)
- T.J. De Lion, G.L. Olson, J.A. Roth, J.E. Jensen, A.T. Hunter, M.D. Jack, S.L. Bailey. J. Electron. Mater., 31 (7), 688 (2002)
- K.K. Svitashev, S.A. Dvoretsky, Yu.G. Sidorov, V.A. Shvets, A.S. Mardezhov, I.E. Nis, V.S. Varavin, V. Liberman, V.G. Remesnik. Cryst. Res. Technol., 29 (7), 931 (1994)
- К.К. Свиташeв, В.А. Швец, А.С. Мардежов, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров, В.С. Варавин. ЖТФ, 65 (9), 110 (1995)
- H. Arvin, D.E. Aspnes. J. Vac. Sci. Technol. A, 2 (3), 1316 (1984)
- L. Vina, C. Umbach, M. Cardona, L. Vodopyanov. Phys. Rev. B, 29 (12), 6752 (1984)
- В.А. Швец, И.А. Азаров, Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, М.В. Якушев, Д.В. Марин, Н.Н. Михайлов, В.Д. Кузьмин, В.Г. Ремесник, С.А. Дворецкий. ПТЭ, N 6, 87 (2016)
- I.V. Sabinina, A.K. Gutakovsky, Y.G. Sidorov, A. Latyshev. J. Cryst. Growth, 274, 339 (2005)
- П.А. Бахтин, В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, А.Ф. Кравченко, А.В. Латышев, Н.Н. Михайлов, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев. Автометрия, N 2, 83 (2002)
- G.L. Olson, J.A. Roth, P.D. Brewer, R.D. Rajavel, D.M. Jamba, J.E. Jensen, B. Johs, J. Electron. Mater., 28 (6), 749(1999)
- J.A. Roth, T.J. De Lyon, M.E. Adel. In: Proc. 1993 Fall Meeting of the Materials Research Society (Boston, MA, USA) v. 324, p. 353
- T.J. de Lyon, J.A. Roth, D.H. Chow. J. Vac. Sci. Technol. B, 15, 329 (1997)
- T.J. De Lyon, R.D. Rajavel, J.A. Roth, J.E. Jensen. In: Handbook of Infrared Detection Technologies, ed. by M. Henini and M. Razegh (Elsevier Science, 2002) p. 309
- M. Daraselia, C.H. Grein, R. Rujirawat B. Yang, S. Sivananthan, F. Aqariden, H.D. Shih. J. Electron. Mater., 28, 743(1999)
- И.А. Азаров, В.А. Швец, С.А. Дулин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, И.Н. Ужаков, С.В. Рыхлицкий. Автометрия, 53 (6), 111 (2017)
- R. Schlereth, J. Hajer, L. Furst, S. Schreyeck, H. Buhmann, L.W. Molenkamp. J. Cryst. Growth, 537, 125602 (2020)
- В.А. Швец, И.А. Азаров, Д.В. Марин, М.В. Якушев, С.В. Рыхлицкий. ФТП, 53 (1), 137 (2019)
- D.V. Marin, V.A. Shvets, I.A. Azarov, M.V. Yakushev, S.V. Rykhlitskii. Infrared Phys. Technol., 116, 103793 (2021)
- Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, М.В. Якушев, И.В. Сабинина. ФТП, 35 (9), 1092 (2001)
- Е.В. Спесивцев, С.В. Рыхлицкий, В.А. Швец. Автометрия, 47 (5), 5 (2011)
- В.А. Швец, Д.В. Марин, В.Г. Ремесник, И.А. Азаров, М.В. Якушев, С.В. Рыхлицкий. Опт. и спектр., 128 (12), 1815 (2020)
- А.А. Бабенко, Д.В. Брунев, Ю.Г. Сидоров, В.А. Швец, М.В. Якушев. Неорг. матер., 44 (4), 431 (2008)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
