Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs

DOI: 10.21883/FTP.2021.11.51563.9697

Переводная версия: 10.21883/SC.2022.13.53904.9697

Ministry of Education and Science of the Russian Federation, FSRM, 2020-0008

Лазаренко А.А.¹, Шубина К.Ю.¹, Никитина Е.В.^1,2, Пирогов Е.В.¹, Мизеров А.М.¹, Соболев М.С.¹

¹Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Alferov Federal State Budgetary Institution of Higher Education and Science Saint Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

²Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Email: alexashpigun@yandex.ru

Поступила в редакцию: 8 июня 2021 г.

В окончательной редакции: 21 июня 2021 г.

Принята к печати: 21 июня 2021 г.

Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.

PDF версия

Исследуется влияние быстрого термического отжига тройных твердых растворов GaAs_1-xN_x/GaAs на распределение атомов азота в кристаллической решетке. Образцы исследуются методами фотолюминесценции и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Из-за несоответствия размеров и электроотрицательности атомов азота и мышьяка, азот встраивается неравномерно в кристаллическую решетку GaAs. Показаны варианты расположения атомов азота в кристаллической решетке GaAs до и после быстрого термического отжига. Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитксия, арсенид галлия, азот.

J.M. Luthera, S.W. Johnston, S.R. Kurtz, R.K. Ahrenkiel. Appl. Phys. Lett., 88, 263502 (2006)
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, N. Tansu, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 83, 2742 (2003)
V.K. Kalevich, M.M. Afanasiev, A.Yu. Shiryaev, A.Yu. Egorov. Phys. Rev. B, 85, 035205 (2012)
P.R.C. Kent, Alex Zunger. Phys. Rev. B, 64, 115208 (2001)
Markus Weyers, Michio Sato, Hiroaki Ando. Jpn. J. Appl. Phys., 31, L853 (1992)
S. Francoeur, G. Sivaraman, Y. Qiu, S. Nikishin, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 72, 1857 (1998)
H.A. McKay, R.M. Feenstra, T. Schmidtling, U.W. Pohl. Appl. Phys. Lett., 78, 82 (2001)
Z. Pan, L.H. Li, W. Zhang, Y.W. Lin, R.H. Wu. Appl. Phys. Lett., 77, 1280 (2000)
A.A. Lazarenko, E.V. Nikitina, M.S. Sobolev, E.V. Pirogov, D.V. Denisov, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 49, 479 (2015)
S.C, S.-Y. Huang, T.R. Yang. Phys. Rev. B, 64, 113312 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель