Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние быстрого термического отжига на распределение атомов азота в GaAsN/GaAs
Переводная версия: 10.21883/SC.2022.13.53904.9697 
Ministry of Education and Science of the Russian Federation, FSRM, 2020-0008
1Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия 
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alexashpigun@yandex.ru
Поступила в редакцию: 8 июня 2021 г.
В окончательной редакции: 21 июня 2021 г.
Принята к печати: 21 июня 2021 г.
Выставление онлайн: 7 августа 2021 г.
Исследуется влияние быстрого термического отжига тройных твердых растворов GaAs1-xNx/GaAs на распределение атомов азота в кристаллической решетке. Образцы исследуются методами фотолюминесценции и высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Из-за несоответствия размеров и электроотрицательности атомов азота и мышьяка, азот встраивается неравномерно в кристаллическую решетку GaAs. Показаны варианты расположения атомов азота в кристаллической решетке GaAs до и после быстрого термического отжига. Ключевые слова: разбавленные нитриды, гетероструктуры, молекулярно-пучковая эпитксия, арсенид галлия, азот.
- J.M. Luthera, S.W. Johnston, S.R. Kurtz, R.K. Ahrenkiel. Appl. Phys. Lett., 88, 263502 (2006)
- I. Vurgaftman, J.R. Meyer, N. Tansu, L.J. Mawst. Appl. Phys. Lett., 83, 2742 (2003)
- V.K. Kalevich, M.M. Afanasiev, A.Yu. Shiryaev, A.Yu. Egorov. Phys. Rev. B, 85, 035205 (2012)
- P.R.C. Kent, Alex Zunger. Phys. Rev. B, 64, 115208 (2001)
- Markus Weyers, Michio Sato, Hiroaki Ando. Jpn. J. Appl. Phys., 31, L853 (1992)
- S. Francoeur, G. Sivaraman, Y. Qiu, S. Nikishin, H. Temkin. Appl. Phys. Lett., 72, 1857 (1998)
- H.A. McKay, R.M. Feenstra, T. Schmidtling, U.W. Pohl. Appl. Phys. Lett., 78, 82 (2001)
- Z. Pan, L.H. Li, W. Zhang, Y.W. Lin, R.H. Wu. Appl. Phys. Lett., 77, 1280 (2000)
- A.A. Lazarenko, E.V. Nikitina, M.S. Sobolev, E.V. Pirogov, D.V. Denisov, A.Yu. Egorov. Semiconductors, 49, 479 (2015)
- S.C, S.-Y. Huang, T.R. Yang. Phys. Rev. B, 64, 113312 (2001)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
