"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель роста наноостровков кремния на сапфире
Кривулин Н.О.1, Павлов Д.А.1, Шиляев П.А.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

Уточняется модель роста наноостровков кремния на сапфире в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что рост островков кремния происходит за счет диффузии материала из смачивающего слоя, при этом рост за счет прямого попадания атомов вклада практически не дает.
  1. P. Bettotti et al. J. Phys.: Condens. Matter, 14, 8253 (2002)
  2. S. Yanagiya, M. Ishida. J. Electron. Mater., 28 (5), 496 (1999)
  3. Y. Zhu, P.P. Ong. Surf. Rev. Lett., 8 (5), 559 (2001)
  4. О.П. Пчеляков, Ю.Б. Болховитянов, А.В. Двуреченский, Л.В. Соколов, А.И. Никифоров, А.И. Якимов, Б. Фойхтлендер. ФТП, 34 (11), 1281 (2000)
  5. Н.Н. Герасименко, Ю.Н. Пархоменко. Кремний --- материал наноэлектроники (М., Техносфера, 2007)
  6. Д.А. Павлов, П.А. Шиляев, Е.В. Коротков, Н.О. Кривулин. Письма ЖТФ, 36 (12), 15 (2010)
  7. Д.А. Павлов, П.А. Шиляев, Е.В. Коротков, Н.О. Кривулин, А.И. Бобров. Изв. РАН. Сер. физ., 76 (9), 1115 (2012)
  8. В.Г. Дубровский. Теоретические основы технологии полупроводниковых наноструктур (СПб., 2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.