Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Оптоэлектронные свойства гетеронаноструктур с комбинированными слоями квантовых ям и точек In(Ga)As/GaAs

Волкова Н.С.¹, Горшков А.П.¹, Здоровейщев А.В.¹, Вихрова О.В.¹, Звонков Б.Н.¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 22 апреля 2013 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2013 г.

PDF версия

Проведен анализ влияния встраивания квантовой ямы InGaAs в структуры с квантовыми точками InAs/GaAs, выращенными газофазной эпитаксией в режиме с увеличенным временем прерывания роста, на их оптоэлектронные свойства. Установлено, что энергетический спектр квантовых точек слабо чувствителен к изменениям толщины и состава двойного покровного слоя InGaAs/GaAs. Нанесение квантовой ямы на слой квантовых точек снижает эффективную высоту эмиссионного барьера в них. Определены условия, при которых квантовая яма может быть использована для защиты активного слоя квантовых точек от проникновения дефектов, возникающих при анодном окислении поверхности структуры.

F. Heinrichsdorff, Ch. Ribbat, M. Grundmann, D. Bimberg. Appl. Phys. Lett., 76, 556 (2000)
Y.D. Qi, H. Liang, W. Tang, Z.D. Lu, K.M. Lau. J. Cryst. Growth., 272, 333 (2004)
K. Nishi, H. Saito, Sh. Sugou, J.-S. Lee. Appl. Phys. Lett., 74, 1111 (1999)
И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, Д.О. Филатов, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.М. Некоркин. Поверхность, N 11, 27 (2000)
И.А. Карпович, Б.Н. Звонков, С.Б. Левичев, Н.В. Байдусь, С.В. Тихов, Д.О. Филатов, А.П. Горшков, С.Ю. Ермаков. ФТП, 38, 448 (2004)
Y. Gu, T. Yang, H. Ji, P. Xu, Zh. Wang. J. Appl. Phys., 109, 064 320 (2011)
Б.Н. Звонков, И.А. Карпович, Н.В. Байдусь, Д.О. Филатов, С.В. Морозов. ФТП, 35, 92 (2001)
А.В. Здоровейщев, П.Б. Демина, Б.Н. Звонков. Письма ЖТФ, 35, 15 (2009)
И.А. Карпович, А.В. Здоровейщев, С.В. Тихов, П.Б. Демина, О.Е. Хапугин. ФТП, 39, 45 (2005)
И.А. Карпович, Д.О. Филатов. ФТП, 30, 1745 (1996)
Sh. Datta, S. Ghosh, B.M. Arora. Rev. Sci. Instrum., 72, 177 (2001)
Н.С. Волкова, А.П. Горшков. Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер. физ.-мат. науки, 3, 63 (2010)
А.Ф. Вяткин, А.Г. Итальянцев, Н.В. Конецкий, В.Н. Мордкович, Э.М. Темпер. Поверхность, N 11, 67 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель