"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
РФФИ, 19-32-90091
Семакова А.А. 1, Смирнов А.М.1, Баженов Н.Л. 2, Мынбаев К.Д. 2, Пивоварова А.А. 2, Черняев А.В.2,3,4, Кижаев С.С. 3, Стоянов Н.Д. 3
1Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Микросенсор Технолоджи", Санкт-Петербург, Россия
4Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
Email: antonina.semakova@itmo.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, s.kizhayev@ledmicrosensor.com, ns@ledmicrosensor.com
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 15 апреля 2021 г.
Принята к печати: 15 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

Приведены результаты исследований оптических и структурных свойств эпитаксиальных слоев InAs, выращенных на подложке n-InAs, и спектральных и электрических свойств светоизлучающих гетероструктур с активным слоем из InAs и различным дизайном и химическим составом барьерных слоев. Исследования свойств гетероструктур проведены в диапазоне 4.2-300 K. Показано влияние степени легирования подложки и свойств интерфейсов в гетероструктурах на вид их спектров излучения и мощностные характеристики. Исследованы механизмы протекания тока через гетероструктуры, и показано преобладание диффузионной составляющей тока при температурах выше 200 K и присутствие туннельной составляющей при более низких температурах. Ключевые слова: InAs, гетероструктуры, люминесценция, рекомбинация.
  1. D. Jung, S. Bank, M.L. Lee, D. Wasserman. J. Opt., 19, 123001 (2017)
  2. C.L. Tan, H. Mohseni. Nanophotonics, 7, 169 (2018)
  3. С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный. ФТП, 53, 147 (2019)
  4. М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 53, 291 (2019)
  5. М. Айдаралиев, Н.В. Зотова, С.А. Карандашев, Н.М. Стусь. ФТП, 23, 592 (1989)
  6. B.A. Matveev, N.V. Zotova, N.D. Il'inskaya, S.A. Karandashev, M.A. Remenyi, N.M. Stus', A.P. Kovchavtsev, G.L. Kuryshev, V.G. Polovinkin. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 891, 9 (2006)
  7. S. Adachi. J. Appl. Phys., 61, 4869 (1987)
  8. V.A. Markov, A.V. Semencha, M.V. Kurushkin, D.V. Kurushkin, V.A. Klinkov, A.A. Petukhov. Infr. Phys. Technol., 78, 167 (2016)
  9. A. Green, D. Gevaux, C. Roberts, C. Philips. Physica E, 20, 531 (2004)
  10. Ю.М. Задиранов, Н.В. Зотова, Н.Д. Ильинская, С.А. Карандашев, Б.А. Матвеев, М.А. Ременный, Н.М. Стусь, А.А. Усикова. Письма ЖТФ, 34 (10), 1 (2008)
  11. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, А.А. Семакова, М.П. Михайлова, Н.Д. Стоянов, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, А.П. Астахова, А.В. Черняев, H. Lipsanen, В.Е. Бугров. ФТП, 51, 247 (2017)
  12. А.А. Семакова, С.Н. Липницкая, К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, С.С. Кижаев, А.В. Черняев, Н.Д. Стоянов, H. Lipsanen. Письма ЖТФ, 46 (3), 51 (2020)
  13. M. Sopanen, T. Koljonen, H. Lipsanen, T. Tuomi. J. Cryst. Growth, 145, 492 (1994)
  14. A.A. Semakova, V.V. Romanov, K.D. Moiseev, N.L. Bazhenov, K.D. Mynbaev. J. Phys. Conf. Ser., 1482, 012023 (2020)
  15. Н.П. Есина, Н.В. Зотова. ФТП, 14, 316 (1980)
  16. Y. Lacroix, C.A. Tran, S.P. Watkins, M.L.W. Thewalt. J. Appl. Phys., 80, 6416 (1996)
  17. Е.А. Гребенщикова, Н.В. Зотова, С.С. Кижаев, С.С. Молчанов, Ю.П. Яковлев. ЖТФ, 71 (9), 58 (2001)
  18. B. Matveev, N. Zotova, N. Il'inskaya, S. Karandashev, N. Stus'. Phys. Status Solidi C, 2, 927 (2005)
  19. K.D. Mynbaev, N.L. Bazhenov, A.A. Semakova, A.V. Chernyaev, S.S. Kizhaev, N.D. Stoyanov, V.E. Bougrov, H. Lipsanen, Kh.M. Salikhov. Infr. Phys. Technol., 85, 246 (2017)
  20. Б.Л. Шарма, Р.К. Пурохит. Полупроводниковые гетеропереходы, пер. с англ. под ред. Ю.В. Гуляева (М., Сов. радио, 1979)
  21. A. Krier, Y. Mao. Infr. Phys. Technol., 38, 397 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.