Вышедшие номера
Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs
РФФИ, 19-32-90091
Семакова А.А. 1, Смирнов А.М.1, Баженов Н.Л. 2, Мынбаев К.Д. 2, Пивоварова А.А. 2, Черняев А.В.2,3,4, Кижаев С.С. 3, Стоянов Н.Д. 3
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Микросенсор Технолоджи, Санкт-Петербург, Россия
4Военная академия связи им. Маршала Советского Союза С.М. Буденного, Санкт-Петербург, Россия
Email: antonina.semakova@itmo.ru, mynkad@mail.ioffe.ru, s.kizhayev@ledmicrosensor.com, ns@ledmicrosensor.com
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 15 апреля 2021 г.
Принята к печати: 15 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

Приведены результаты исследований оптических и структурных свойств эпитаксиальных слоев InAs, выращенных на подложке n-InAs, и спектральных и электрических свойств светоизлучающих гетероструктур с активным слоем из InAs и различным дизайном и химическим составом барьерных слоев. Исследования свойств гетероструктур проведены в диапазоне 4.2-300 K. Показано влияние степени легирования подложки и свойств интерфейсов в гетероструктурах на вид их спектров излучения и мощностные характеристики. Исследованы механизмы протекания тока через гетероструктуры, и показано преобладание диффузионной составляющей тока при температурах выше 200 K и присутствие туннельной составляющей при более низких температурах. Ключевые слова: InAs, гетероструктуры, люминесценция, рекомбинация.