Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn8S12.5
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Email: chemzav@bsuir.by
Поступила в редакцию: 11 января 2021 г.
В окончательной редакции: 2 апреля 2021 г.
Принята к печати: 16 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.
Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn8S12.5. Методом рентгеноспектрального анализа определен состав полученных монокристаллов, методом рентгеновской дифракции - кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны, которая с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: метод Бриджмена, монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
- К. Чопра, С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы (М., Мир, 1986)
- Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т. Коутса, Дж. Микина (М., Мир, 1988)
- K.W. Mitchel, C. Eberspacher, J. Ermer, D. Pier. Conf. Rec. IEEE Photovoltaic Spec. Conf., 20 (2), 1384 (1988)
- W. Chen, J.-O. Bovin, A.G. Joly, Sh. Wang, F. Su, G. Li. J. Phys. Chem. B, 108, 11927 (2004)
- S. Sebentritt. Solar Energy, 77, 767 (2004)
- B. Asenjo, A.M. Chaparro, M.T. Gutierrez, J. Hererro, J. Klaer. Solar Energy Mater. Solar Cells, 87, 151 (2005)
- T. Schulmeyer, A. Klein, R. Kniese, M. Powalla. Appl. Phys. Lett., 85 (6), 961 (2004)
- И.В. Боднарь, Е.А. Кудрицкая, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32 (9), 1043 (1998)
- И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33 (7), 805 (1999)
- I.V. Bodnar, I.A. Victorov, V.M. Dabranski, M.A. Osipova. Phys. Status Solidi C, 6 (5), 1130 (2009)
- И.В. Боднарь, Чан Бинь Тхан. Докл. БГУИР, N 1, 57 (2018)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- С.И. Рембеза. Методы измерения основных параметров полупроводников (Воронеж, ВГУ, 1989)
- Р. Уиллардсон. Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
