"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость ширины запрещенной зоны монокристаллов AgIn8S12.5
Боднарь И.В.1, Фещенко А.А.1, Хорошко В.В.1, Павловский В.Н.2, Свитенков И.Е.2, Яблонский Г.П.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
Email: chemzav@bsuir.by
Поступила в редакцию: 11 января 2021 г.
В окончательной редакции: 2 апреля 2021 г.
Принята к печати: 16 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2021 г.

Вертикальным методом Бриджмена выращены монокристаллы AgIn8S12.5. Методом рентгеноспектрального анализа определен состав полученных монокристаллов, методом рентгеновской дифракции - кристаллическая структура. Показано, что выращенные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в интервале температур 10-320 K определена ширина запрещенной зоны, которая с понижением температуры возрастает. Ключевые слова: метод Бриджмена, монокристаллы, кристаллическая структура, спектры пропускания, ширина запрещенной зоны.
  1. К. Чопра,  С. Дас. Тонкопленочные солнечные элементы  (М., Мир, 1986)
  2. Современные проблемы полупроводниковой фотоэнергетики, под ред. Т. Коутса, Дж. Микина  (М., Мир, 1988)
  3. K.W. Mitchel, C. Eberspacher, J. Ermer, D. Pier. Conf. Rec. IEEE Photovoltaic Spec. Conf.,  20 (2), 1384 (1988)
  4. W. Chen, J.-O. Bovin, A.G. Joly, Sh. Wang, F. Su, G. Li. J. Phys. Chem. B, 108, 11927 (2004)
  5. S. Sebentritt. Solar Energy, 77, 767 (2004)
  6. B. Asenjo, A.M. Chaparro, M.T. Gutierrez, J. Hererro, J. Klaer. Solar Energy Mater. Solar Cells, 87, 151 (2005)
  7. T. Schulmeyer, A. Klein, R. Kniese, M. Powalla. Appl. Phys. Lett., 85 (6), 961 (2004)
  8. И.В. Боднарь, Е.А. Кудрицкая, И.К. Полушина, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 32 (9), 1043 (1998)
  9. И.В. Боднарь, В.Ф. Гременок, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь. ФТП, 33 (7), 805 (1999)
  10. I.V. Bodnar, I.A. Victorov, V.M. Dabranski, M.A. Osipova. Phys. Status Solidi C, 6 (5), 1130 (2009)
  11. И.В. Боднарь, Чан Бинь Тхан. Докл. БГУИР, N 1, 57 (2018)
  12. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  13. С.И. Рембеза. Методы измерения основных параметров полупроводников (Воронеж, ВГУ, 1989)
  14. Р. Уиллардсон. Оптические свойства полупроводников (М., Мир, 1970)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.