"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучательные свойства гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAsSb-InGaAs)/GaAs
Звонков Б.Н.1, Некоркин С.М.1, Вихрова О.В.1, Дикарева Н.В.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Исследованы особенности излучательных характеристик GaAs-гетероструктур с двухслойной квантовой ямой (GaAs-xSbx-InyGa1-yAs), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. С учетом анализа литературных данных для процесса выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии экспериментально были определены температурный диапазон (560-580oC), соотношение потоков источников элементов V и III групп (≤sssim1) и порядок выращивания слоев для создания активной области лазерной гетероструктуры GaAs/InGaP, представляющей собой двухслойную квантовую яму GaAs0.75Sb0.25-In0.2Ga0.8As. Для этой структуры наблюдалось электролюминесцентное излучение на длине волны 1075 нм, связанное с непрямыми переходами между валентной зоной слоя GaAs0.75Sb0.25 и зоной проводимости слоя In0.2Ga0.8As. Увеличение тока непрерывной накачки приводило к падению интенсивности данного излучения и возникновению устойчивой генерации лазерного излучения на прямых в координатном пространстве переходах на длине волны 1022 нм при плотности порогового тока 1.4 кА/см2 при комнатной температуре.
  1. J.R. Pesetto, G.B. Stringfellow. J. Cryst. Growth, 62, 1 (1983)
  2. M. Peter, K. Winkler, M. Maier, N. Herres, J. Wagner, D. Fekete, K.H. Bachem, D. Richards. Appl. Phys. Lett., 67 (18), 2639 (1995)
  3. Z.C. Niu, X.H. Xu, H.Q. Ni, Y.Q. Xu, Z.H. He, Q. Han, R.H. Wu. J. Cryst. Growth, 278, 558 (2005)
  4. J.F. Klem, O. Blum, S.R. Kurtz, I.J. Fritz, K.D. Choquette. J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (3), 1605 (2000)
  5. M. Pristovsek, M. Zorn, U. Zeimer, M. Weyers. J. Cryst. Growth, 276, 347 (2005)
  6. C.T. Wan, Y.K. Su, R.W. Chuang, C.Y. Huang, Y.S. Wang, W.C. Chen, H.C. Yu. J. Cryst. Growth, 310, 4854 (2008)
  7. Y.K. Su, C.T. Wan, R.W. Chuang, C.Y. Huang, W.C. Chen, Y.S. Wang, H.C. Yu. J. Cryst. Growth, 310, 4850 (2008)
  8. M.J. Cherng, G.B. Stringfellow, R.M. Cohen. Appl. Phys. Lett., 44, 677 (1984)
  9. С.В. Морозов, Д.И. Крыжков, В.Я. Алешкин, В.И. Гавриленко, Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.Г. Садофьев. Тр. XVI Междунар. симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (2012) т. 1, с. 316
  10. R. Kudrawiec, G. Sek, K. Ryczko, J. Misiewicz, J.C. Harmand. Appl. Phys. Lett., 84 (18), 3453 (2004)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.