"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания
Хабибуллин Р.А.1, Галиев Г.Б.1, Климов Е.А.1, Пономарев Д.С.1, Васильевский И.С.2, Кульбачинский В.А.3, Боков П.Ю.3, Авакянц Л.П.3, Червяков А.В.3, Маль цев П.П.1
1Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 11 декабря 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mue достигается в образце с толщиной барьерного слоя Lb=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mue от глубины залегания квантовой ямы.
  1. J.A. del Alamo. Nature, 479, 317 (2011)
  2. D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Electron Dev. Lett., 29 (8), 830 (2008)
  3. D.H. Kim, J. del Alamo. IEEE Trans. Electron. Dev., 55 (7), 1504 (2010)
  4. G.H. Jessen, R.C. Fitch, J.K. Gillespie, G. Via, A. Crespo, D. Langley, D.J. Denninghoff, M. Trejo, E.R. Heller. IEEE Trans. Electron. Dev., 54 (10), 2589 (2007)
  5. A. Endoh, Y. Yamashita, K. Shinohara, K. Hikosaka, T. Matsui, S. Hiyamizu, T. Mimura. Jpn. J. Appl. Phys., 42 (4), 2214 (2003)
  6. R. Chau, S. Datta, M. Doczy, B. Doyle, B. Jin, J. Kavalieros, A. Majumdar, M. Metz, M. Radosavljevic. IEEE Trans. Nanotechnology, 4 (2), 153 (2005)
  7. D. Esseni, A. Abramo, L. Selmi, E. Sangiorgi. IEEE Trans. Electron. Dev., 50 (12), 2445 (2003)
  8. N. Kharche, G. Klimeck, D.-H. Kim, J.A. del Alamo, M. Luisier. IEEE Trans. Electron. Dev., 58 (7), 1963 (2011)
  9. D.-H. Kim, J.A. del Alamo, P. Chen, W. Ha, M. Urteaga, B. Brar. IEEE Int. Electron. Dev. Meeting (2010) p. 692
  10. T.-W. Kim, R.J. Hill, C.D. Young, D. Veksler, J. Oh, C.Y. Kang, D.-H. Kim, J.A. del Alamo, C. Hobbs, P. Kirsch, R. Jammy. Symposium on VLSI Technology (Honolulu, 2012) p. 179
  11. T.-W. Kim, D.-H. Kim, J.A. del Alamo. IEEE Int. Electron. Dev. Meeting (2009) p. 483
  12. Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Е.А. Климов, Д.С. Пономарев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, А.Н. Клочков, Н.А. Юзеева. ФТП, 45 (5), 666 (2011)
  13. R.A. Khabibullin, I.S. Vasil'evskii, D.S. Ponomarev, G.B. Galiev, E.A. Klimov, L.P. Avakyanz, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov. J. Phys.: Conf. Ser., 345, 012 015 (2012)
  14. Л.П. Авакянц, П.Ю. Боков, А.В. Червяков. ЖТФ, 75 (10), 66 (2005)
  15. Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, В.П. Гладков, В.А. Кульбачинский, Н.А. Юзеева, Н.И. Каргин, М.Н. Стриханов. Ядерная физика и инжиниринг, 3 (2), 1 (2012)
  16. D.E. Aspnes, A.A. Studna. Phys. Rev. B, 7, 4605 (1973)
  17. L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75 (10), 4779 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.