"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Структурные особенности текстурированных пленок оксида цинка, полученных методом ионного распыления
Переводная версия: 10.1134/S106378262103012X
Костишин В.Г.1, Миронович А.Ю.1, Тимофеев А.В.1, Исаев И.М.1, Шакирзянов Р.И.1, Риль А.И.2, Сергиенко А.А.1
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Email: drvgkostishyn@mail.ru, amironovich24@gmail.com, andtim2011@gmail.com, halfraf@mail.ru, ril_alexey@mail.ru
Поступила в редакцию: 26 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 30 октября 2020 г.
Принята к печати: 30 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 12 декабря 2020 г.

Исследовались текстурированные пленки ZnO, полученные на аморфных подложках методом ионно-лучевого распыления. Методами рентгеновской дифракции и атомно-силовой микроскопии показано, что полученные пленки обладают поликристаллической структурой сразу после напыления. Установлено, что при дальнейшем отжиге исследуемых образцов в интервале температур от 200 до 500oC происходит рекристаллизация, приводящая к изменению размера зерен и шероховатости поверхности. Обнаружена зависимость интенсивности кристаллизации от условий напыления, которая связана с количеством дефектов в неотожженных пленках. В пленках с изначально более совершенной структурой температурная обработка при 500oC привела к росту зерен более чем в 2 раза и уменьшению шероховатости на ~40%. Ключевые слова: оксид цинка, тонкие пленки, кристаллографическая текстура, отжиг, нанесение пленок ионно-лучевым распылением мишени, атомно-силовая микроскопия, рентгеновская дифрактометрия.
  1. Т.В. Бланк, Ю.А. Гольдберг. ФТП, 37 (9), 1025 (2003)
  2. M. Matsuoka, M. Naoe. IEEE Trans. Magn., 25 (5), 1474 (1985)
  3. E. Lacroix, P. Gerard, G. Marest, M. Dupuy. J. Appl. Phys., 69 (8), 4770 (1991)
  4. А.М. Глезер, Н.А. Шурыгина. Аморфно-нанокристаллические сплавы (М., Физматлит, 2013)
  5. М.Н. Волочаев, Ю.Е. Калинин, М.А. Каширин, В.А. Макагонов, С.Ю. Панков, В.В. Бассараб. ФТП, 53 (11), 1505 (2019)
  6. D. Mendil, F. Challali, T. Touam, A. Chelouche, A.H. Souici, S. Ouhenia, D. Djouadi. J. Luminesc., 215, 116631 (2019)
  7. P.C. Dorsey, C. Vittoria. J. Magn. Magn. Mater., 137, 89 (1994)
  8. W. Yang, J. Liu, M. Liu, Y. Liu, N. Wang, G. Shen, Z. Liu, X. He, C. Zhang, L. Hu, Y. Fu. Superlat. Microstruct., 136, 106291 (2019)
  9. W. Yang, J. Liu, Z. Guan, Z. Liu, B. Chen, L. Zhao, Y. Li, X. Cao, X. He, C. Zhang, Q. Zeng, Y. Fu. Ceram. Int., 46, 6605 (2020)
  10. P. Murkute, H. Ghadi, S. Sreedhara, S. Chakrabarti. Superlat. Microstruct., 136, 106310 (2019)
  11. A. Kumar, M. Prasad, V. Janyani, R.P. Yadav. J. Electron. Mater., 48, 5693 (2019)
  12. Х.А. Абдуллин, Л.В. Гриценко, С.Е. Кумеков, А.А. Мархабаева, Е.И. Теруков. ФТП, 52 (2), 189 (2018)
  13. В.В. Ратников, Р.Н. Кютт, С.В. Иванов, М.П. Щеглов, A. Baar. ФТП, 44 (2), 265 (2010)
  14. N.V. Rumak, V.V. Khatko, V.N. Plotnikov. Phys. Status Solidi A, 86, 93 (1984)
  15. X. Zhang, Y. Duan, X. Dai, T. Li, Y. Xia, P. Zheng, H. Li, Y. Jiang. Appl. Surf. Sci., 504, 144437 (2020)
  16. A.A. Camacho-Berri osa, V.M. Pantojas, W. Otano. Thin Sol. Films, 692, 137641 (2019)
  17. X. Zhang, P. Wang, X. Liu, W. Zhang, Y. Zhong, H. Zhao, S. Shi, S. Jin, Y.W.R. Amarasinghe. Surf. Coat. Technol., 361, 123 (2019)
  18. J. Bruncko, A. Vincze, M. Netrvalova, P. Sutta, D. Hasko, M. Michalka. Thin Sol. Films, 520, 866 (2011)
  19. В.А. Смирнов, Р.В. Томинов, В.И. Авилов, Н.И. Алябьева, З.Е. Вакулов, Е.Г. Замбург, Д.А. Хахулин, О.А. Агеев. ФТП, 53 (1), 77 (2019)
  20. Л.В. Кожитов, С.Г. Емельянов, В.Г. Косушкин, С.С. Стрельченко, Ю.Н. Пархоменко, В.В. Козлов, С.Л. Кожитов. Технология материалов микро- и наноэлектроники (Курск, изд-во ЮЗГУ, 2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.