Вышедшие номера
Метод трехкомпонентной зонной плавки: моделирование концентрационного распределения компонентов в монокристаллах твердых растворов Ge-Si
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020032
Агамалиев З.А.1,2
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: zohrabagamaliyev@bsu.edu.az
Поступила в редакцию: 14 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 19 октября 2020 г.
Принята к печати: 19 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

Дана концепция и теоретическая основа метода трехкомпонентной зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов с использованием затравок из составных компонентов. В пфанновском приближении решена задача аксиального концентрационного распределения компонентов в монокристаллах Ge-Si, выращенных при различных значениях операционных параметров, таких как длина расплавленной зоны и состав исходных макрооднородных стержней твердых растворов. Анализ полученных результатов определяет потенциал метода и оптимальные условия для выращивания монокристаллов с заданными однородным и градиентным составами во всем непрерывном ряду твердых растворов Ge-Si. Показана перспективность метода трехкомпонентной зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов. Ключевые слова: Полупроводниковые твердые растворы, распределение компонентов, материал затравки.