"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Метод трехкомпонентной зонной плавки: моделирование концентрационного распределения компонентов в монокристаллах твердых растворов Ge-Si
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020032
Агамалиев З.А.1,2
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: zohrabagamaliyev@bsu.edu.az
Поступила в редакцию: 14 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 19 октября 2020 г.
Принята к печати: 19 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.

Дана концепция и теоретическая основа метода трехкомпонентной зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов с использованием затравок из составных компонентов. В пфанновском приближении решена задача аксиального концентрационного распределения компонентов в монокристаллах Ge-Si, выращенных при различных значениях операционных параметров, таких как длина расплавленной зоны и состав исходных макрооднородных стержней твердых растворов. Анализ полученных результатов определяет потенциал метода и оптимальные условия для выращивания монокристаллов с заданными однородным и градиентным составами во всем непрерывном ряду твердых растворов Ge-Si. Показана перспективность метода трехкомпонентной зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов. Ключевые слова: Полупроводниковые твердые растворы, распределение компонентов, материал затравки.
  1. J. Schilz, V.N. Romanenko. J. Mater. Sci.: Mater. Electr., 6, 265 (1995)
  2. A. Barz, P. Dold, U. Kerat, S. Recha, K.W. Benz, M. Franz, K. Pressel. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 1627 (1998)
  3. C. Marin, A.G. Ostrogorsky. J. Cryst. Growth, 211, 378 (2000)
  4. S. Adachi. J. Cryst. Growth, 280, 372 (2005)
  5. T.A. Campbell, M. Schweizer, P. Dold, A Croll, K.W Benz. J. Cryst. Growth, 226, 231 (2001)
  6. Г.Х. Аждаров, З.М. Зейналов, З.А. Агамалиев, А.И. Кязимова. Кристаллография, 55, 763 (2010)
  7. A. Varilci, T. Kucukomeroglu, G.Kh. Azhdarov. Chin. J. Phys., 41, 79 (2003)
  8. G.Kh. Azhdarov, T. Kucukomeroglu, A. Varilci, M. Altunbas, A. Kobya, P.G. Azhdarov. J. Cryst. Growth, 226, 437 (2001)
  9. N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, W. Thieme, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth, 174, 182 (1997)
  10. I. Yonenaga. J. Cryst. Growth, 275, 91 (2005)
  11. V.K. Kyazimova, Z.M. Zeynalov, Z.M. Zakhrabekova, G.Kh. Azhdarov. Crystallography Reports, 51 (1), 192 (2006)
  12. Г.Х. Аждаров, З.М. Зейналов, Л.А. Гусейнли. Кристаллография, 54 (1), 137 (2009)
  13. I. Yonenaga, T. Ayuzava. J. Cryst. Growth, 297, 14 (2006)
  14. P. Dold, A. Barz, S. Recha, K. Presse, M. Franzb, K.W. Benza. J. Cryst. Growth, 192 (1-2), 125 (1998)
  15. З.М. Захрабекова, З.М. Зейналов, В.К. Кязимова, Г.Х. Аждаров. Неорг. матер., 43 (1), 5 (2007)
  16. S. Bok-Cheol, K Kwang, L. Hong-Woo. J. Cryst. Growth, 290, 665 (2006)
  17. Г.Х. Аждаров, З.А. Агамалиев, Э.М. Исламзаде. Кристаллография, 59, 489 (2014)
  18. Z.A. Agamaliyev, E.M. Islamzade, G.Kh. Azhdarov. Crystallography Reports, 61, 327 (2016)
  19. M. Yildiz, S. Dost, B. Lent. J. Cryst. Growth, 280, 151 (2005)
  20. K. Nakajima, T. Kusunoki, Y. Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, T. Shishido, J. Cryst. Growth, 240, 373 (2002)
  21. В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
  22. I. Yonenaga. J. Cryst. Growth, 198/199, 404 (1999)
  23. П.Г. Аждаров, Н.А. Агаев. Неорг. матер., 35, 763 (1999)
  24. I. Kostylev, J.K. Woodaste, Y.P. Lee, P. Klages, D. Labrie, J. Cryst. Growth, 377, 147 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.