Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Метод трехкомпонентной зонной плавки: моделирование концентрационного распределения компонентов в монокристаллах твердых растворов Ge-Si
Переводная версия: 10.1134/S1063782621020032 
1Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан 
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Email: zohrabagamaliyev@bsu.edu.az
Поступила в редакцию: 14 октября 2020 г.
В окончательной редакции: 19 октября 2020 г.
Принята к печати: 19 октября 2020 г.
Выставление онлайн: 11 ноября 2020 г.
Дана концепция и теоретическая основа метода трехкомпонентной зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов с использованием затравок из составных компонентов. В пфанновском приближении решена задача аксиального концентрационного распределения компонентов в монокристаллах Ge-Si, выращенных при различных значениях операционных параметров, таких как длина расплавленной зоны и состав исходных макрооднородных стержней твердых растворов. Анализ полученных результатов определяет потенциал метода и оптимальные условия для выращивания монокристаллов с заданными однородным и градиентным составами во всем непрерывном ряду твердых растворов Ge-Si. Показана перспективность метода трехкомпонентной зонной плавки для выращивания монокристаллов полупроводниковых твердых растворов. Ключевые слова: Полупроводниковые твердые растворы, распределение компонентов, материал затравки.
- J. Schilz, V.N. Romanenko. J. Mater. Sci.: Mater. Electr., 6, 265 (1995)
- A. Barz, P. Dold, U. Kerat, S. Recha, K.W. Benz, M. Franz, K. Pressel. J. Vac. Sci. Technol. B, 16, 1627 (1998)
- C. Marin, A.G. Ostrogorsky. J. Cryst. Growth, 211, 378 (2000)
- S. Adachi. J. Cryst. Growth, 280, 372 (2005)
- T.A. Campbell, M. Schweizer, P. Dold, A Croll, K.W Benz. J. Cryst. Growth, 226, 231 (2001)
- Г.Х. Аждаров, З.М. Зейналов, З.А. Агамалиев, А.И. Кязимова. Кристаллография, 55, 763 (2010)
- A. Varilci, T. Kucukomeroglu, G.Kh. Azhdarov. Chin. J. Phys., 41, 79 (2003)
- G.Kh. Azhdarov, T. Kucukomeroglu, A. Varilci, M. Altunbas, A. Kobya, P.G. Azhdarov. J. Cryst. Growth, 226, 437 (2001)
- N.V. Abrosimov, S.N. Rossolenko, W. Thieme, A. Gerhardt, W. Schroder. J. Cryst. Growth, 174, 182 (1997)
- I. Yonenaga. J. Cryst. Growth, 275, 91 (2005)
- V.K. Kyazimova, Z.M. Zeynalov, Z.M. Zakhrabekova, G.Kh. Azhdarov. Crystallography Reports, 51 (1), 192 (2006)
- Г.Х. Аждаров, З.М. Зейналов, Л.А. Гусейнли. Кристаллография, 54 (1), 137 (2009)
- I. Yonenaga, T. Ayuzava. J. Cryst. Growth, 297, 14 (2006)
- P. Dold, A. Barz, S. Recha, K. Presse, M. Franzb, K.W. Benza. J. Cryst. Growth, 192 (1-2), 125 (1998)
- З.М. Захрабекова, З.М. Зейналов, В.К. Кязимова, Г.Х. Аждаров. Неорг. матер., 43 (1), 5 (2007)
- S. Bok-Cheol, K Kwang, L. Hong-Woo. J. Cryst. Growth, 290, 665 (2006)
- Г.Х. Аждаров, З.А. Агамалиев, Э.М. Исламзаде. Кристаллография, 59, 489 (2014)
- Z.A. Agamaliyev, E.M. Islamzade, G.Kh. Azhdarov. Crystallography Reports, 61, 327 (2016)
- M. Yildiz, S. Dost, B. Lent. J. Cryst. Growth, 280, 151 (2005)
- K. Nakajima, T. Kusunoki, Y. Azuma, N. Usami, K. Fujiwara, T. Ujihara, G. Sazaki, T. Shishido, J. Cryst. Growth, 240, 373 (2002)
- В.М. Глазов, В.С. Земсков. Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
- I. Yonenaga. J. Cryst. Growth, 198/199, 404 (1999)
- П.Г. Аждаров, Н.А. Агаев. Неорг. матер., 35, 763 (1999)
- I. Kostylev, J.K. Woodaste, Y.P. Lee, P. Klages, D. Labrie, J. Cryst. Growth, 377, 147 (2013)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
