"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Effect of Total Ionizing Dose Damage on 8-Transistor CMOS Star Sensor Performance
Полная версия: 10.1134/S1063782621010073
Feng J.1,2, Li Y.-D.1,2,3, Fu J.1,2,3, Wen L.1,2,3, He C.-F.1,2,3, Guo Q.1,2,3
1Xin jiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Urumqi, China
2Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Material and Device, Urumqi, China
3University of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China
Email: fengjie@ms.xjb.ac.cn
Поступила в редакцию: 28 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 12 октября 2020 г.

The effects of total ionizing dose (TID) radiation from 60Co gamma-rays on an 8-transistor global shutter exposure complementary metal-oxide semiconductor image sensor (CIS) within a star sensor is presented to analyze the sources of star sensor performance degradation and the decrease of attitude measurement accuracy. The dark current, dark signal non-uniformity, and photon response non-uniformity versus the TID are investigated. The signal-to-noise ratio, star diagonal distance accuracy, and star point centroid positioning accuracy of the star sensor versus the TID are also analyzed. By establishing the correlation between space radiation, CIS noise, and star sensor performance parameters, the transfer mechanism of CIS parameter degradation to star sensor parameter degradation is revealed. Keywords: star sensor, 8-transistor CIS, total ionizing dose effect, performance degradation.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.