Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Терагерцовая электролюминесценция сверхрешеток Фибоначчи

Малышев К.В.¹

¹Московский государственный технический университет им. Н.Э. Баумана, Москва, Россия Bauman Moscow State Technical University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 27 июня 2012 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Теоретически исследована электролюминесценция в терагерцовом диапазоне фибоначчиевых AlGaAs-сверхрешеток. В электрических полях F=11-13 кВ/см в диапазоне частот f=2-4 ТГц обнаружено линейное поведение коэффициента оптического усиления G и многоцветное излучение с пиками G выше 20 1/см без сопутствующих пиков поглощения. Параметрами пиков удобно управлять с помощью электрического поля, а также меняя толщину слоев сверхрешетки. Такие излучатели на квазипериодических сверхрешетках перспективны для "терагерцовой технологии".

A. Rostami, H. Rasooli, H. Baghban. Terahertz Technology. Fundamentals and Applications (N.Y., Springer, 2011) p. 2--16
F. Rossi. Theory of Semiconductor Quantum Devices. Microscopic Modeling and Simulation Strategies (N.Y., Springer, 2011)
В.А. Кукушкин. ФТП, 44, 1483 (2010)
E. Macia. Rep. Progr. Phys., 75, 036 502 (2012)
L. Mahler, A. Tredicucci, F. Beltram et al. Nature Photon., 4 (3), 165 (2012)
L. Schrottke, M. Giehler, M. Wienold et al. Semicond. Sci. Technol., 25, 045 025 (2010)
D. Indjin, P. Harrison, R.W. Kelsall, Z. Ikonic. J. Appl. Phys., 91, 9019 (2002)
E. Cassan. J. Appl. Phys., 87, 7931 (2000)
H. Luo, S.R. Laframboise, Z.R. Wasilewski et al. Appl. Phys. Lett., 90, 041 112 (2007)
E. Macia. Aperiodic Structures in Condensed Matter: Fundamentals and Applications (N.Y., CRC Press, 2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель