Поглощение и фотолюминесценция тройных наноструктурированных стеклообразных полупроводниковых систем Ge-S-Ga(In)
Бабаев А.А.1, Кудоярова В.Х.2
1Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 19 июня 2013 г.
Исследованы спектры фотолюминесценции, спектры возбуждения люминесценции, краевое, инфракрасное поглощение, поглощение стеклообразных полупроводниковых систем Ge-S-Ga(In). Наблюдаемые сдвиги края оптического поглощения, спектра фотолюминесценции (уменьшение полуширины спектра) и спектры возбуждения люминесценции в область меньших энергий при введении Ga или In в бинарные системы Ge-S связаны с тем, что Ga или In имеют тенденцию взаимодействовать скорее с серой, чем с германием. С ростом содержания Ga(In) в системе полоса поглощения, ответственная за колебания связи Ge-S, уменьшается.
- S.B. Gurevich, N.N. Ilyashenko, B.T. Kolomits, V.M. Lyubin, V.P. Shilo. Phys. Status Solidi A, 26, 127 (1974)
- В.М. Любин. Тр. VI Междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам, под ред. Б.Т. Коломийца (Л., Наука. Ленингр. отд-ние, 1976) с. 415
- Z.G. Ivanova, Е. Vateva. Thin Sol. Films, 120, 75 (1984)
- Z. Buchova, Mladenova, Z.G. Ivanova. J. Non-Cryst. Sol., 30, 147 (1978)
- V.Ch. Kudoyarova, Z.G. Ivanova. Thin Sol. Films, 196, 171 (1991)
- В.Х. Кудоярова, З.Г. Иванова. Матер. Междунар. конф. Некристаллические полупроводники 89 " (Ужгород, 1989) т. 2, с. 116
- А.А. Бабаев, В.Х. Кудоярова. Тез. докл. Всес. конф. Тройные полупроводники " (Кишинев, 1989) с. 48
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
