"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние ионной обработки на свойства пленок In2O3 : Sn
Крылов П.Н.1, Закирова Р.М.1, Федотова И.В.1, Гильмутдинов Ф.З.2
1Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук, Ижевск, Россия
Поступила в редакцию: 1 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

Представлено изменение свойств пленок ITO, полученных методом реактивного ВЧ магнетронного напыления с одновременной ионной обработкой в зависимости от тока ионной обработки и температуры подложки. Ионная обработка растущей пленки в процессе напыления незначительно меняет относительное количество олова и индия, но существенно увеличивает электропроводность. Пленки, полученные при температуре ниже 50oC без ионной обработки, являются рентгеноаморфными. Ионная обработка и увеличение температуры конденсации приводят к кристаллизации пленок и сдвигу края оптического поглощения в сторону коротких длин волн. Увеличение тока ионной обработки вызывает появление текстуры.
  1. В.М. Ботнарюк, А.В. Коваль, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, А.В. Симашкевич, Д.А. Шербан. ФТП, 31 (7), 800 (1997)
  2. Д.А. Зуев, А.А. Лотин, О.А. Новодворский, Ф.В. Лебедев, О.Д. Храмова, И.А. Петухов, Ф.Н. Путилин, А.Н. Шатохин, М.Н. Румянцева, А.М. Гаськов. ФТП, 46 (3), 425 (2012)
  3. В.М. Ветошкин, Р.М. Закирова, П.Н. Крылов, И.А. Суворов. ВТТ, 21 (1), 57 (2011)
  4. М.В. Захватова, Ф.З. Гильмутдинов, Д.В. Сурнин. ФММ, 104 (2), 166 (2007)
  5. С.С. Горелик, Ю.А. Скаков, Л.Н. Расторгуев. Рентгенографический и электронно-оптический анализ (М., МИСИС, 2002)
  6. M. Nisha. Ph.D thesis in the field of material science (Kerala, India, 2006)
  7. M.K.M. Ali, K. Ibrahim, Osama S. Hamad, M.H. Eisa, M.G. Faraj, F. Azhari. Rom. J. Phys., 56 (5--6), 730 (2011)
  8. H. Kim, G.M. Gilmore, A. Pique, J.S. Horwitz, H. Mattoussi, H. Murata, Z.H. Kafafi, D.B. Chrisey. J. Appl. Phys., 86 (11), 6451 (1999)
  9. W. Wohlmuth, I. Adesida. Thin Sol. Films, 479, 223 (2005)
  10. I. Saadeddin. Ph.D thesis in the field of material science (Soutenue, 2007)
  11. G. Kiriakidis, H. Ouacha, N. Katsarakis. Rev. Adv. Mater. Sci., 4, 32 (2003)
  12. A. Pokaipisit, M. Horprathum, P. Limsuwan, J. Kasetsart. Nat. Sci., 42, 362 (2008)
  13. M. Rottmann, H. Henning, B. Ziemer, R. Kalahne, K.H. Heckner. J. Mater. Sci., 31, 6495 (1996)
  14. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой, под ред. Р. Бериша (М., Мир, 1986) вып. II
  15. Физико-химические свойства окислов, под ред. Г.В. Самсонова (М., Металлургия, 1978)
  16. H.J. Kim, J.W. Bae, J.S. Kim, K.S. Kim, Y.C. Jang, G.Y. Yeom, N.-E. Lee. Thin Sol. Films, 377--378, 115 (2000)
  17. M. Girtan, G.I. Rusu. Analele stintifice ale university "Al. I. Guza" Din iasi. s. Fizica Starii Condensate. XLV--XLVI, 166 (1999--2000)
  18. A.B. Kashyout, M. Fathy, M.B. Soliman. Hindawi Publishing Corporation International Journal of Photoenergy, 2011, Article ID 139374 (2011)
  19. М.П. Шаскольская. Кристаллография (М., Высш. шк., 1976)
  20. M. Chen, X. Bai, J. Gong, C. Sun, R. Huang, L. Wen. J. Mater. Sci. Technol., 16 (3), 281 (2000)
  21. Е.А. Зайцева, Р.М. Закирова, П.Н. Крылов, К.С. Лебедев, И.В. Федотова. Вестн. Удмуртского ун-та, Сер. Физика, химия, N 2 (2012)
  22. R.A. Ismail, D.N. Raouf, D.F. Raouf. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8 (4), 1443 (2006)
  23. В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк. ФТП, 44 (9), 1212 (2010)
  24. И.П. Суздалев. Физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов (М., КомКнига. 2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.