"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Непрерывное стимулированное излучение в области 10-14 мкм при оптической накачке в структурах с квантовыми ямами HgCdTe/CdHgTe с квазирелятивистским законом дисперсии
Уточкин В.В.1, Алёшкин В.Я.1, Дубинов А.А.1, Гавриленко В.И.1, Куликов Н.С.1, Фадеев М.А.1, Румянцев В.В.1, Михайлов Н.Н.2, Дворецкий С.А.2, Разова А.А.1, Морозов С.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: xenonum@bk.ru
Поступила в редакцию: 10 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 17 июня 2020 г.
Принята к печати: 17 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

В двух волноводных гетероструктурах с массивами квантовых ям Hg0.892Cd0.108Te/Cd0.63Hg0.37Te толщиной 6.1 нм и Hg0.895Cd0.105Te/Cd0.66Hg0.34Te толщиной 7.4 нм при 8 K впервые получено стимулированное излучение на длинах волн 10.3 и 14 мкм при непрерывном оптическом возбуждении. Показано, что благодаря наличию Cd в квантовых ямах уменьшается влияние флуктуаций толщины квантовых ям на энергию межзонных переходов в ней, что в итоге может являться причиной существенного уменьшения пороговой интенсивности для генерации стимулированного излучения. Ключевые слова: HgCdTe, квантовые ямы, стимулированное излучение, непрерывная генерация.
  1. M.S. Vitiello, G. Scalari, B. Williams, P.De Natale. Opt. Express, 23, 5167 (2015)
  2. J.O. Dimmock, I. Melngailis, A.J. Strauss. Phys. Rev. Lett., 16, 1193 (1966)
  3. В.В. Румянцев, Н.С. Куликов, А.М. Кадыков, М.А. Фадеев, А.В. Иконников, А.С. Казаков, М.С. Жолудев, В.Я. Алешкин, В.В. Уточкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко. ФТП, 52 (11), 1263 (2018)
  4. V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich. Nonradiative Recombination in Semiconductors (Elsevier Science, 1991)
  5. G. Alymov, V. Vyurkov, V. Ryzhii, A. Satou, D. Svintsov. Phys. Rev. B, 97, 205411 (2018)
  6. B. Buttner, C.X. Liu, G. Tkachov, E.G. Novik, C. Brune, H. Buhmann, E.M. Hankiewicz, P. Recher, B. Trauzettel, S.C. Zhang, L.W. Molenkamp. Nature Physics, 7, 418 (2011)
  7. D.N. Talwar, M. Vandevyver. J. Appl. Phys., 56 (6), 1601 (1984)
  8. N.N. Mikhailov, R.N. Smirnov, S.A. Dvoretsky, Y.G. Sidorov, V.A. Shvets, E.V. Spesivtsev, S.V. Rykhlitski. Int. J. Nanotechnology, 3 (1), 120 (2006)
  9. J.M. Arias, M. Zandian, R. Zucca, J. Singh. Semicond. Sci. Technol., 8 (1S), S255 (1993)
  10. Bleuse, J., J. Bonnet-Gamard, G. Mula, N. Magnea, P. Jean-Louis. J. Cryst. Growth, 197 (3), 529 (1999)
  11. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 108, 92104 (2016)
  12. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 111, 192101 (2017)
  13. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, K.V. Maremyanin, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett., 105 (2), 022102 (2014)
  14. M. Zholudev, F. Teppe, M. Orlita, C. Consejo, J. Torres, N. Dyakonova, M. Czapkiewicz, J. Wrobel, G. Grabecki, N. Mikhailov, S. Dvoretskii, A. Ikonnikov, K. Spirin, V. Aleshkin, V. Gavrilenko, W. Knap. Phys. Rev. B, 86, 205420 (2012)
  15. В.В. Уточкин, В.Я. Алёшкин, А.А. Дубинов, В.И. Гавриленко, Н.С. Куликов, М.А. Фадеев, В.В. Румянцев, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.В. Морозов. ФТП, 53 (9), 1178 (2019)
  16. M.A. Fadeev, V.V. Rumyantsev, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, A.V. Antonov, K.E. Kudryavtsev, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Opt. Express, 26, 12755 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.