"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотолюминесценция с временным разрешением в гетероструктурах с квантовыми ямами InGaAs:Cr/GaAs
Президент РФ, Программа государственной поддержки молодых российских ученых - докторов наук, МД-1708.2019.2
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Стабильность, 20-38-70063
Дорохин М.В. 1, Демина П.Б. 1, Данилов Ю.А.1, Вихрова О.В.1, Кузнецов Ю.М. 1, Ведь М.В.1, Iikawa F.2, Balanta M.A.G.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Instituto do Fisica "Gleb Watagin", UNICAMP, 777 Sergio Buarque de Holanda Street --- Cidade Universitaria Zeferino Vaz, Barao Geraldo, Campinas, Brazil
Email: dorokhin@nifti.unn.ru, demina@phys.unn.ru, yurakz94@list.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

Представлены результаты исследования фотолюминесценции с разрешением по времени, выполненные для полупроводниковых гетероструктур, содержащих в матрице GaAs две невзаимодействующие квантовые ямы InGaAs --- нелегированную и однородно легированную атомами хрома (InGaAs:Cr). Показано, что введение Cr существенным образом влияет на рекомбинационное время жизни носителей в квантовых ямах. Изменение интенсивности фотолюминесценции начиная с момента возбуждения не описывается моноэкспоненциальной спадающей функцией, что объясняется изменением в квантовых ямах встроенного электрического поля поверхностного барьера вследствие экранирования фотовозбужденными носителями. Ключевые слова: фотолюминесценция, гетероструктуры, квантовые ямы, примесь Cr.
  1. H. Onho. J. Magn. Magn. Mater., 200, 110 (1999)
  2. A. Dakhama, B. Lakshmi, D. Heiman. Phys. Rev. B, 67, 115204 (2003)
  3. G.V. Astakhov, R.I. Dzhioev, K.V. Kavokin, V.L. Korenev, M.V. Lazarev, M.N. Tkachuk, Yu.G. Kusrayev, T. Kiessling, W. Ossau, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. Lett., 101, 076602 (2008)
  4. R. Schulz, T. Korn, D. Stich, U. Wurstbauer, D. Schuh, W. Wegscheider, G. Schuller. Physica E, 40, 2163 (2008)
  5. M.J. Papastamatiou, G.J. Papaioannou. J. Appl. Phys., 68, 1094 (1990)
  6. D.L. Budnitskii, V.A. Novikov, O.P. Tolbanov, I.A. Prudaev. Russ. Phys. J., 51, 531 (2008)
  7. H. Fritzsche. Phys. Rev., 99, 406 (1955)
  8. A.V. Kudrin, O.V. Vikhrova, Yu.A. Danilov, M.V. Dorokhin, I.L. Kalentyeva, A.A. Konakov, V.K. Vasiliev, D.A. Pavlov, Yu.V. Usov, B.N. Zvonkov. J. Magn. Magn. Mater., 478, 84 (2019)
  9. M. Jo, G. Duan, T. Mano, K. Sakoda. Nanoscale Res. Lett., 6, 76 (2011)
  10. О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, М.Н. Дроздов, Ю.Н. Дроздов, Б.Н. Звонков, П.А Юнин. Нанофизика и наноэлектроника. Матер.симп. (Нижний Новгород, Россия, 2014) т. 2, с. 446
  11. V.N. Astratov, Yu.A. Vlasov. Le J. de Physique IV, 3 (5), 277 (1993). https://doi.org/10.1051/jp4:1993555
  12. Э. Зенгуил. Физика поверхности (М., Мир, 1990)
  13. Ф. Шуберт. Светодиоды (М., Физматлит, 2008) с. 108
  14. F. Daiminger, A. Schmidt, F. Faller, A. Forchel. Proc. SPIE, 2139, 213 (1994)
  15. R. Zucca. J. Appl. Phys., 48, 1987 (1977)
  16. G. Schumm, T.K. Plant. Solid-State Electron., 30 (1), 109 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.