"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Комбинация плазмохимического и жидкостного травления как способ оптимизации рельефа на поверхности AlGaInN-гетероструктур
Марков Л.К.1, Смирнова И.П.1, Кукушкин М.В.1, Павлюченко А.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: l.markov@mail.ioffe.ru
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

Комбинированным методом, при котором плазмохимическое травление применяется в паре с жидкостным (в растворах KOH или соляной кислоты), создавался рельеф на поверхности GaN, предварительно освобожденной от ростовой подложки. Изучалась зависимость получаемого рельефа от последовательности применяемых операций. Показано, что травление в растворе KOH с последующей стадией реактивного ионного травления обеспечивает появление на поверхности усеченных пустотелых конусов. В экспериментах также была обнаружена способность раствора соляной кислоты к травлению исключительно наноразмерных элементов рельефа GaN, возникающих при плазмохимическом травлении поверхности. Как следствие, плазмохимическое травление образца с последующим погружением в раствор соляной кислоты создает на его поверхности объекты цилиндрической формы, переходящие в основании в конические или сильно искаженные пирамидальные структуры. Появление рельефа такого вида может быть объяснено превалированием химической составляющей плазмохимического травления по мере удаления от поверхности образца. Дальнейшая оптимизация параметров рельефа, получаемого в результате комбинированного травления, возможна благодаря варьированию режимов применяемых операций. Ключевые слова: нитрид галлия, рельеф, реактивное ионное травление, жидкостное травление, светоизлучающий диод, светоизлучающий кристалл.
  1. H. Jia, L. Guo, W. Wang, H. Chen. Adv. Mater., 21, 4641 (2009)
  2. J.K. Sheu, S.J. Chang, C.H. Kuo, Y.K. Su, L.W. Wu, Y.C. Lin, W.C. Lai, J.M. Tsai, G.C. Chi, R.K. Wu. IEEE Photon. Technol. Lett., 15, 18 (2003)
  3. M.C. Schmidt, K.C. Kim, R.M. Farrell, D.F. Feezell, D.A. Cohen, M. Saito, K. Fujito, J.S. Speck, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys., Pt 2, Lett., 46, L190 (2007)
  4. Y.-C. Chi, D.-H. Hsieh, C.-T. Tsai, H.-Y. Chen, H.-C. Kuo, G.-R. Lin. Opt. Express, 23, 13051 (2015)
  5. T. Kachi. Jpn. J. Appl. Phys., 53, 100210 (2014)
  6. A.M. Armstrong, A.A. Allerman, A.J. Fischer, M.P. King, M.S. Van Heukelom, M.W. Moseley, R.J. Kaplar, J.J. Wierer, M.H. Crawford, J.R. Dickerson. Electron. Lett., 52, 1170 (2016)
  7. F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida. Jpn. J. Appl. Phys., 57, 086502 (2018)
  8. N. Asai, H. Ohta, F. Horikiri, Y. Narita, T. Yoshida, T. Mishima. Jpn. J. Appl. Phys., 58, SCCD05 (2019)
  9. D. Ge, X. Huang, J. Wei, P. Qian, L. Zhang, J. Ding, S. Zhu. Mater. Res. Express, 6, 086201 (2019)
  10. H.H. Yen, H.C. Kuo, W.Y. Yeh. Phys. Status Solidi C, 5, 2152 (2008)
  11. J.H. Kang, J.H. Ryu, H.K. Kim, H.Y. Kim, N. Han, Y.J. Park, P. Uthirakumar, C.-H. Hong. Opt. Express, 19, 3637 (2011)
  12. R.H. Horng, C.C. Yang, J.Y. Wu, S.H. Huang, C.E. Lee, D.S. Wuu. Appl. Phys. Lett., 86, 221101 (2005)
  13. H. Huang, J. Hu, H. Wang. J. Semicond., 35, 084006 (2014)
  14. M.J. Park, C.U. Kim, S.B. Kang, S.H. Won, J.S. Kwak, C.-M. Kim, K.J. Choi. Adv. Opt. Mater., 5, 1600684 (2017)
  15. Л.К. Марков, А.С. Павлюченко, И.П. Смирнова. ФТП, 53, 181 (2019)
  16. Y.J. Lee, J.M. Hwang, T.C. Hsu, M.H. Hsieh, M.J. Jou, B.J. Lee, T.C. Lu, H.C. Kuo, S.C. Wang. IEEE Photon. Technol. Lett., 18, 1152 (2006)
  17. S.-M. Jeong, S. Kissinger, D.-W. Kim, S. Jae Lee, J.-S. Kim, H.-K. Ahn, C.-R. Lee. J. Cryst. Growth, 312, 258 (2010)
  18. Y.J. Sung, M.-S. Kim, H. Kim, S. Choi, Y.H. Kim, M.-H. Jung, R.-J. Choi, Y.-T. Moon, J.-T. Oh, H.-H. Jeong, G.Y. Yeom, H.-H. Jeong, G.Y. Yeom, G.Y. Yeom, G.Y. Yeom. Opt. Express, 27, 29930 (2019)
  19. T. Fujii, Y. Gao, R. Sharma, E.L. Hu, S.P. DenBaars, S. Nakamura. Appl. Phys. Lett., 84, 855 (2004)
  20. D.W. Kim, H.Y. Lee, M.C. Yoo, G.Y. Yeom. Appl. Phys. Lett., 86, 052108 (2005)
  21. J.J. Wierer, D.A. Steigerwald, M.R. Krames, J.J. O'Shea, M.J. Ludowise, G. Christenson, Y.-C. Shen, C. Lowery, P.S. Martin, S. Subramanya, W. Gotz, N.F. Gardner, R.S. Kern, S.A. Stockman. Appl. Phys. Lett., 78, 3379 (2001)
  22. S. Zhou, X. Liu, H. Yan, Z. Chen, Y. Liu, S. Liu. Opt. Express, 27, A669 (2019)
  23. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, А.С. Павлюченко, М.В. Кукушкин, Е.Д. Васильева, А.Е. Черняков, А.С. Усиков. ФТП, 47, 386 (2013)
  24. X. Liu, Y. Mou, H. Wang, R. Liang, X. Wang, Y. Peng, M. Chen. Appl. Optics, 57, (2018)
  25. Q. Chen, H. Zhang, J. Dai, S. Zhang, S. Wang, J. He, R. Liang, Z.H. Zhang, C. Chen. IEEE Photon. J., 10, (2018)
  26. Y. Muramoto, M. Kimura, S. Nouda. Semicond. Sci. Technol., 29, 084004 (2014)
  27. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, М.В. Кукушкин, А.С. Павлюченко. ФТП, 6, 564 (2020)
  28. Y.Y. Lai, S.C. Hsu, H.S. Chang, Y.C.S. Wu, C.H. Chen, L.Y. Chen, Y.J. Cheng. Res. Chem. Intermed., 43, 3563 (2017)
  29. M. Itoh, T. Kinoshita, C. Koike, M. Takeuchi, K. Kawasaki, Y. Aoyagi. Jpn. J. Appl. Phys., 45, 3988 (2006)
  30. H. Wan, B. Tang, N. Li, S. Zhou, C. Gui, S. Liu. Nanomaterials, 9, 365 (2019)
  31. Л.К. Марков, И.П. Смирнова, М.В. Кукушкин, А.С. Павлюченко. ФТП, 6, 564 (2020).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.