"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур alpha-Si/SiO2 и alpha-Ge/SiO2 на подложках p-Si, отожженных при разных температурах
Сресели О.М.1, Елистратова М.А.1, Горячев Д.Н.1, Берегулин Е.В.1, Неведомский В.Н.1, Берт Н.А.1, Ершов А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: alvershov@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 июня 2020 г.
В окончательной редакции: 25 июня 2020 г.
Принята к печати: 25 июня 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

Исследованы свойства многослойных наноструктур alpha-Si(Ge)/SiO2, осажденных на подложки p-Si и отожженных при разных температурах. Общая толщина нанослоя не превышала 300-350 нм. Обнаружено, что, несмотря на образование кристаллов в нанослое, в фотоэлектрических свойствах гетероперехода нанослой--подложка в исследованном диапазоне 300-900 нм не проявляется квантово-размерный эффект. В то же время эффективность фототока (А/Вт) в этом диапазоне становится постоянной. Полученные результаты мы объясняем малой толщиной нанослоя. При приложении достаточно большого запорного смещения электрическое поле перехода нанослой--подложка достигает внешней границы нанослоя, что резко уменьшает поверхностную рекомбинацию носителей. Именно эта рекомбинация обычно подавляет чувствительность фотодетекторов в коротковолновой области спектра. Постоянная в широком спектральном диапазоне эффективность исследованных гетероструктур делает их привлекательными для использования в различных фотоэлектрических приборах. Ключевые слова: многослойные наноструктуры, нанокристаллы полупроводника в диэлектрической матрице, нанослой, эффективность фототока.
  1. B.T. Sullivan, D.J. Lockwood, H.J. Labbe, Z.-H. Lu. Appl. Phys. Lett., 69 (21), 3149 (1996)
  2. F. Priolo, T. Gregorkiewicz, T. Galli, T.F. Krauss. Nature Nanotechnology, 9, 19 (2014)
  3. O.S. Ken, D.A. Yavsin, P.A. Dementev, S.A. Gurevich, O.M. Sreseli. Phys. Status Solidi A, 213, 2906 (2016)
  4. А.В. Ершов, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум, А.И. Машин, Д.А. Павлов, А.В. Нежданов, А.И. Бобров, Д.А. Грачев. ФТП, 47 (4), 460 (2013)
  5. S. Cosentino, S. Mirabella, M. Miritello, G. Nicotra, R. Lo Savio, F. Simone, C. Spinella, A. Terrasi. Nanoscale Res. Lett., 6, 135 (2011)
  6. A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott. J. Appl. Phys., 82, 909 (1997)
  7. А.В. Ершов, Д.И. Тетельбаум, И.А. Чугров, А.И. Машин, А.Н. Михайлов, А.В. Нежданов, А.А. Ершов, И.А. Карабанова. ФТП, 45 (6), 747 (2011)
  8. О.С. Кен, Д.А. Андроников, Д.А. Явсин, А.В. Кукин, С.Н. Данилов, А.Н. Смирнов, О.М. Сресели, С.А. Гуревич. ФТП, 48 (11), 1555 (2014)
  9. О.М. Сресели, Н.А. Берт, В.Н. Неведомский, А.И. Лихачев, И.Н. Яссиевич, А.В. Ершов, А.В. Нежданов, А.И. Машин, Б.А. Андреев, А.Н. Яблонский. ФТП, 54 (2), 129 (2020)
  10. R. Zhang, X.Y. Chen, J.J. Lu, W.Z. Shen. J. App. Phys., 102, 123708 (2007)
  11. А.В. Ершов, Д.А. Павлов, Д.А. Грачев, А.И. Бобров, И.А. Карабанова, И.А. Чугров, Д.И. Тетельбаум. ФТП, 48 (1), 44 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.