"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs : Be
Буравлёв А.Д.1,2,3, Безнасюк Д.В.1,2, Гильштейн Е.П.1,2, Tchernycheva M.4, De Luna Bugallo A.4, Rigutti L.4, Yu L.5, Proskuryakov Yu.6, Штром И.В.2, Тимофеева М.А.2, Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Хребтов А.И.1, Цырлин Г.Э.1,2,3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Institut d'Electronique Fondamentale UMR CNRS, University Paris Sud 11, Orsay Cedex, France
5Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces (LPICM), Ecole Polytechnique, CNRS, Palaiseau, France
6Stephenson Institute for Renewable Energy, University of Liverpool, Liverpool, L69 7ZF, United Kingdom
Поступила в редакцию: 1 ноября 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложке GaAs(111)B синтезированы массивы нитевидных нанокристаллов GaAs : Be. Последовательное применение процессов фотолитографии, травления и металлизации позволило создать прототипы фотоэлектрических преобразователей, в которых выращенные массивы нитевидных нанокристаллов были использованы в качестве активных слоев. Исследование фотоэлектрических свойств полученных структур, проведенное с помощью эмулятора солнечного излучения, продемонстрировало, что эффективность преобразования солнечной энергии составляет порядка 0.1%. С учетом площади, занимаемой одиночным нитевидным нанокристаллом p-типа на поверхности подложки GaAs n-типа, пересчитанное значение эффективности преобразования достигает величины 1.1%.
  1. Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE), Germany
  2. E. Puyoo, G. Rey, E. Appert, V. Consonni, D. Bellet. J. Phys. Chem. C, 116, 18 117 (2012)
  3. J.H. Noh, B. Ding, H.S. Han, J.S. Kim, J.H. Park, S.B. Park, H.S. Jung, J.-K. Lee, K.S. Hong. Appl. Phys. Lett., 100, 084 104 (2012)
  4. S. Sarkar, A. Makhal, K. Lakshman, T. Bora, J. Dutta, S.K. Pal. J. Phys. Chem., 116, 14 248 (2012)
  5. M. McCune, W. Zhang, Y. Deng. Nano Lett., 12, 3656 (2012)
  6. S. Ren, L.-Y. Chang, S.-K. Lim, J. Zhao, M. Smith, N. Zhao, V. Bulovic, M. Bawendi, S. Gradecak. Nano Lett., 11, 3998 (2011)
  7. G.E. Cirlin, A.D. Bouravleuv, I.P. Soshnikov, Yu.B. Samsonenko, V.G. Dubrovskii, E.M. Arakcheeva, E.M. Tanklevskaya, P. Werner. Nanoscale Res. Lett., 5, 360 (2010)
  8. M. Tchernycheva, L. Rigutti, G. Jacopin, A. de Luna Bugallo, P. Lavenus, F.H. Julien, M. Timofeeva, A.D. Bouravleuv, G.E. Cirlin, V. Dhaka, H. Lipsanen, L. Largeau. Nanotechnology, 23, 265 402 (2012)
  9. R.S. Wagner, W.C. Ellis. Appl. Phys. Lett., 4, 89 (1964)
  10. Ю.Б. Самсоненко, Г.Э. Цырлин, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, Н.К. Поляков, В.П. Улин, В.Г. Дубровский, P. Werner. ФТП, 45, 441 (2011)
  11. B. Tian, X. Zheng, T.J. Kempa, Y. Fang, N. Yu, G. Yu, J. Huang, C.M. Lieber. Nature, 449, 885 (2007)
  12. A. Du Pasquier, D.D.T. Mastrogiovanni, L.A. Klein, T. Wang, E. Garfunkel. Appl. Phys. Lett., 91, 183 501 (2007)
  13. Y. Dong, B. Tian, T.J. Kempa, C.M. Lieber. Nano Lett., 9, 2183 (2009)
  14. Z. Feng, Q. Zhang, L. Lin, H. Guo, J. Zhou, Z. Lin. Chem. Mater., 22, 2705 (2010)
  15. A.L. Briseno, T.W. Holcombe, A.I. Boukai, E.C. Garnett, S.W. Shelton, J.J.M. Frechet, P. Yang. Nano Lett., 10, 334 (2010)
  16. C.P. Liu, Z.H. Chen, H.E. Wang, S.K. Jha, W.J. Zhang, I. Bello, J.A. Zapien. Appl. Phys. Lett., 100, 243 102 (2012)
  17. B. Tian, T.J. Kempa, C.M. Lieber. Chem. Soc. Rev., 38, 16 (2009)
  18. T.J. Kempa, J.F. Cahoona, S.-K. Kima, R.W. Daya, D.C. Bellc, H.-G. Park, C.M. Lieber. PNAS, 109, 1407 (2012)
  19. J.A. Czaban, D.A. Thompson, R.R. LaPierre. Nano Lett., 9, 148 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.