"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дисперсионный транспорт водорода в МОП-структурах после ионизирующего облучения
Александров О.В.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Email: Aleksandr_ov@mail.ru
Поступила в редакцию: 6 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 29 апреля 2020 г.
Принята к печати: 22 мая 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.

Показано, что описание дисперсионного транспорта ионов H+ на основе модели многократного захвата позволяет количественно описать кинетику образования поверхностных состояний в МОП-структурах после ионизирующего облучения. Проведено моделирование временных зависимостей плотности поверхностных состояний от толщины подзатворного диэлектрика, напряженности и полярности электрического поля. Показано, что кинетика образования поверхностных состояний определяется уровнями локализованных состояний ионов водорода в диапазоне 0.76-0.98 эВ, концентрацией ловушек как в объeме, так и в приграничной к подложке области SiO2 и зависит от начального распределения ионов H+. Ключевые слова: дисперсионный транспорт, МОП-структура, ионизирующее облучение, поверхностные состояния, моделирование.
  1. T.R. Oldham, F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 50 (3), 483 (2003)
  2. К.И. Таперо, В.Н. Улимов, А.М. Членов. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения ( М., БИНОМ, 2012)
  3. О.В. Александров. ФТП, 49 (6), 793 (2015)
  4. F.B. McLean. IEEE Trans. Nucl. Sci., 27 (6), 1651 (1980)
  5. E. Cartier, J.H. Stathis, D.A. Buchanan. Appl. Phys. Lett., 63 (11), 1510 (1993)
  6. N.S. Saks, D.B. Brown. IEEE Trans. Nucl. Sci., 36 (6), 1848 (1989)
  7. D.B. Brown, N.S. Saks. J. Appl. Phys., 70 (7), 3734 (1991)
  8. M.R. Shaneyfelt, J.R. Schwank, D.M. Fleetwood, P.S. Winokur, K.L. Hughes, G.L. Hash, M.P. Connors. IEEE Trans. Nucl. Sci., 39 (6), 2244 (1992)
  9. H. Scher, E.W. Montrol. Phys. Rev. B, 12 (6), 2455 (1975)
  10. J. Noolandi. Phys. Rev. B, 16 (10), 4466 (1977)
  11. B. Hartenstein, A. Jakobs, K.W. Kehr. Phys. Rev. B, 54 (12), 8574 (1996)
  12. O.L. Curtis, J.R. Srour. J. Appl. Phys., 48 (9), 3819 (1977)
  13. Г.Я. Красников, Н.А. Зайцев. Система кремний-диоксид кремния субмикронных СБИС (М., Техносфера, 2003) c. 152
  14. H.A. Kurtz, S.P. Karna. IEEE Trans. Nucl. Sci., 46 (6), 1574 (1999)
  15. V.I. Arkhipov, A.I. Rudenko. Phill. Mag. B, 45 (2), 189, 209 (1982)
  16. S.R. Hofstein. IEEE Trans. Electron Dev., 14 (11), 749 (1967)
  17. J.J. Tzou, J.Y.-C. Sun, C.-T. Sah. Appl. Phys. Lett., 43 (9), 861 (1983)
  18. R.J. Krantz, L.W. Aukerman, T.C. Zietlow. IEEE Trans. Nucl. Sci., 34 (6), 1196 (1987)
  19. В.А. Гуртов, П.А. Райкерус, А.А. Сарен. Зарядоперенос в структурах с диэлектрическими слоями (Петрозаводск, ПетрГУ, 2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.