Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2020, выпуск 10 » Статья стр. 987
>>>
Влияние примеси никеля на гальваномагнитные свойства и электронную структуру PbTe
DOI: 10.21883/FTP.2020.10.49932.9417
Переводная версия: 10.1134/S1063782620100279
РФФИ, 16-02-00865
РФФИ, 19-02-00774
Скипетров Е.П. 1,2, Ковалев Б.Б. 1, Шевченко И.В.1, Кнотько А.В. 2,3, Слынько В.Е. 4
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
4Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Email: skip@mig.phys.msu.ru, kovalev@mig.phys.msu.ru, knotko@inorg.chem.msu.ru, slynko.vasily@gmail.com
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 20 апреля 2020 г.
Принята к печати: 27 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июля 2020 г.
PDF версия
Исследованы фазовый и элементный состав и гальваномагнитные свойства (в диапазоне температур 4.2≤ T≤300 K, в магнитных полях B≤7 Тл) сплавов Pb1-yNiyTe при вариации концентрации примеси никеля вдоль монокристаллического слитка, синтезированного методом Бриджмена-Стокбаргера. Показано, что растворимость никеля не превышает 0.35 мол%. Обнаружены аномальные температурные зависимости коэффициента Холла и температурные и полевые зависимости магнитосопротивления. Для объяснения результатов сделано предположение о возникновении инверсионного слоя n-типа проводимости на поверхности образцов и существовании нескольких конкурирующих механизмов проводимости в образцах. Предложена модель электронной структуры Pb1-yNiyTe, предполагающая пиннинг уровня Ферми в пределах примесной зоны Ni, расположенной на краю валентной зоны и смещающейся в глубь нее с ростом температуры. Ключевые слова: сплавы Pb1-yNiyTe, гальваномагнитные эффекты, электронная структура, примесная зона никеля.
  1. E.P. Skipetrov, A.V. Knotko, E.I. Slynko, V.E. Slynko. Low Temp. Phys., 41, 141 (2015)
  2. E.P. Skipetrov, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, E.I. Slynko, V.E. Slynko. J. Appl. Phys., 115, 133702 (2014)
  3. M.N. Vinogradova, E.A. Gurieva, V.I. Zharskii, S.V. Zarubo, L.V. Prokofeva, T.T. Dedegkaev, I.I. Kryukov. Sov. Phys. Semicond., 12, 387 (1978)
  4. A.A. Vinokurov, S.G. Dorofeev, O.I. Tananaeva, A.I. Artamkin, T.A. Kuznetsova, V.P. Zlomanov. Inorg. Mater., 42, 1318 (2006)
  5. V.D. Vulchev, L.D. Borisova, K. Dimitrova. Phys. Status Solidi A, 97, K79 (1986)
  6. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, E.I. Slynko, V.E. Slynko. Appl. Phys. Lett., 105, 022101 (2014)
  7. E.P. Skipetrov, B.B. Kovalev, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, V.E. Slynko. J. Alloys Compd., 775, 769 (2019)
  8. E.P. Skipetrov, B.B. Kovalev, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, V.E. Slynko. Low Temp. Phys., 45, 233 (2019)
  9. A.D. LaLonde, Y. Pei, H. Wang, G.J. Snyder. Mater. Today, 14, 526 (2011)
  10. J. Androulakis, I. Todorov, D.-Y. Chung, S. Ballikaya, G. Wang, C. Uher, M. Kanatzidis. Phys. Rev. B, 82, 115209 (2010)
  11. Y. Pei, X. Shi, A. LaLonde, H. Wang, L. Chen, G.J. Snyder. Nature, 473, 66 (2011)
  12. Y. Pei, H. Wang, G.J. Snyder. Adv. Mater., 24, 6125 (2012)
  13. L.-D. Zhao, V.P. Dravid, M.G. Kanatzidis. Energy Environ. Sci., 7, 251 (2014)
  14. X. Zhang, L.-D. Zhao. J. Materiomics, 1, 92 (2015)
  15. A.M. Dehkordi, M. Zebarjadi, J. He, T.M. Tritt. Mater. Sci. Eng. R, 97, 1 (2015)
  16. G.D. Mahan, J.O. Sofo. Proc. Natl. Acad. Sci. USA, 93, 7436 (1996)
  17. J.P. Heremans, V. Jovovic, E.S. Toberer, A. Saramat, K. Kurosaki, A. Charoenphakdee, S. Yamanaka, G.J. Snyder. Science, 321, 554 (2008)
  18. J.P. Heremans, B. Wiendlocha, A.M. Chamoire. Energy Environ. Sci., 5, 5510 (2012)
  19. B. Wiendlocha. Phys. Rev. B, 97, 205203 (2018)
  20. K.A. Kikoin, V.N. Fleurov. Transition Metal Impurities in Semiconductors: Electronic Structure and Physical Properties (Singapore, World Scientific, 1994)
  21. G.V. Lashkarev, M.V. Radchenko, V.V. Asotskiy, A.V. Brodovoy, A.I. Mirets, O.I. Tananaeva. Mater. Sci. Forum, 182- 184, 631 (1995)
  22. V.V. Asotskii, T.A. Kuznetsova, G.V. Lashkarev, M.V. Radchenko, O.I. Tananaeva, V.V. Teterkin. Semiconductors, 30, 88 (1996)
  23. T.A. Kuznetsova, V.P. Zlomanov, O.I. Tananaeva. Inorg. Mater., 34, 878 (1998)
  24. D. Lucovic, P.M. Nikolic, S. Vujatovic, S. Savic, D. Urosevic. Sci. Sintering, 39, 161 (2007)
  25. N. Romcevic, J. Trajic, T.A. Kuznetsova, M. Romcevic, B. Hadzic, D.R. Khokhlov. J. Alloys Compd., 442, 324 (2007)
  26. N. Romcevic, J. Trajic, M. Romcevic, D. Stojanovic, T.A. Kuznetsova, D.R. Khokhlov, W. Dobrowolski, R. Rudolf, I. Anzel. Acta Phys. Pol. A, 115, 805 (2009)
  27. N. Romcevic, J. Trajic, M. Romcevic, D. Stojanovic, T.A. Kuznetsova, D.R. Khokhlov, W.D. Dobrowolski. Optoelectronics Adv. Mater.-Rapid Commun., 4, 470 (2010)
  28. E.P. Skipetrov, O.V. Kruleveckaya, L.A. Skipetrova, A.V. Knotko, E.I. Slynko, V.E. Slynko. J. Appl. Phys., 118, 195701 (2015)
  29. V.E. Slyn'ko. Visn. Lviv Univ., Ser. Physic., No. 34, 291 (2001)
  30. V.E. Slynko, W. Dobrowolski. Visn. Lviv Polytec. Natl. Univ., Electronics, No. 681, 144 (2010)
  31. E.P. Skipetrov, N.A. Pichugin, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Low Temp. Phys., 37, 210 (2011)
  32. E.P. Skipetrov, A.N. Golovanov, A.V. Knotko, E.I. Slyn'ko, V.E. Slyn'ko. Semiconductors, 46, 741 (2012)
  33. G. Nimtz, B. Schlicht. In: Narrow-Gap Semiconductors [ Springer Tracts in Modern Physics (Springer, Berlin--Heidelberg--N.Y.--Tokyo, 1983) v. 98]
  34. V.V. Voronkov, E.V. Soloveva, M.I. Iglitsyn, M.N. Pivovarov. Sov. Phys. Semicond., 2, 1499 (1969)
  35. O.K. Gusev, V.P. Kireenko, A.A. Lomtev, V.B. Yarzhembitskii. Sov. Phys. Semicond., 17, 727 (1983)
  36. G.Y. Andersen, O.K. Gusev, F.A. Zaitov, V.P. Kireenko, V.B. Yarzhembitskii. Sov. Phys. Semicond., 25, 1205 (1991)
  37. G.I. Koltsov, Yu.V. Krutenyuk, E.P. Skipetrov. In: Ion Implantation Technology --- 94, ed. by S. Coffa, G. Ferla, F. Priolo, E. Rimini (Amsterdam, Elsevier Science B.V., 1995) p. 835
  38. E.W. Kreutz. Phys. Status Solidi A, 77, 583 (1983)
  39. N.B. Brandt, V.V. Dmitriev, E.A. Ladygin, E.P. Skipetrov. Sov. Phys. Semicond., 21, 315 (1987)
  40. E.P. Skipetrov, V.V. Dmitriev, G.I. Koltsov, E.A. Ladygin,. Fiz. Tekh. Poluprovodn., 21, 962 (1987)
  41. W. Scott, R.J. Hager. J. Appl. Phys., 42, 803 (1971).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme