"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках a-Si : H
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

Проведены исследования температурных зависимостей темновой проводимости и фотопроводимости отожженных и предварительно освещенных нелегированных пленок a-Si : H в различных режимах изменения температуры. Исследована также кинетика изменения фотопроводимости и темновой проводимости пленок во время и после их освещения при разных температурах. Показано, что аномальный характер полученных зависимостей может быть обусловлен образованием двух типов фотоиндуцированных дефектов, имеющих разную энергию образования и термического отжига и энергетические уровни, расположенные в разных областях запрещенной зоны исследованных пленок.
  1. S. Nonomura, N. Yoshida, T. Gotoh, T. Sakamoto, M. Kondo et al. J. Non-Cryst. Sol., 266-269A, 474 (2000)
  2. Y. Zhao, DL. Zhang, DL. Kong, G. Pan, XB. Liao. Phys. Rev. Lett., 74, 558 (1995)
  3. C. Longeaud, D. Roy, O. Saadane. Phys. Rev. B, 65, 085 206 (2002)
  4. A. von Keudell, J.R. Abelson. J. Appl. Phys., 84, 489 (1998)
  5. I. Sakata, T. Kamei, M. Yamanaka. Phys. Rev. B, 76, 075 206 (2007)
  6. I. Sakata, T. Kamei, M. Yamanaka. J. Non-Cryst. Sol., in Press (2012)
  7. P. Stradins, M. Kondo, A. Matsuda. J. Non-Cryst. Sol., 354, 2144 (2008)
  8. N.M. Johnson, C. Herring, Chris G. Van de Walle. Phys. Rev. Lett., 73, 130 (1994)
  9. Qiming Li, R. Biswas. Phys. Rev. B, 52, 10 705 (1995)
  10. P. Kounavis. J. Appl. Phys., 97, 023 707 (2005)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.