О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках a-Si : H
Курова И.А.1, Ормонт Н.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Поступила в редакцию: 30 июля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.
Проведены исследования температурных зависимостей темновой проводимости и фотопроводимости отожженных и предварительно освещенных нелегированных пленок a-Si : H в различных режимах изменения температуры. Исследована также кинетика изменения фотопроводимости и темновой проводимости пленок во время и после их освещения при разных температурах. Показано, что аномальный характер полученных зависимостей может быть обусловлен образованием двух типов фотоиндуцированных дефектов, имеющих разную энергию образования и термического отжига и энергетические уровни, расположенные в разных областях запрещенной зоны исследованных пленок.
- S. Nonomura, N. Yoshida, T. Gotoh, T. Sakamoto, M. Kondo et al. J. Non-Cryst. Sol., 266-269A, 474 (2000)
- Y. Zhao, DL. Zhang, DL. Kong, G. Pan, XB. Liao. Phys. Rev. Lett., 74, 558 (1995)
- C. Longeaud, D. Roy, O. Saadane. Phys. Rev. B, 65, 085 206 (2002)
- A. von Keudell, J.R. Abelson. J. Appl. Phys., 84, 489 (1998)
- I. Sakata, T. Kamei, M. Yamanaka. Phys. Rev. B, 76, 075 206 (2007)
- I. Sakata, T. Kamei, M. Yamanaka. J. Non-Cryst. Sol., in Press (2012)
- P. Stradins, M. Kondo, A. Matsuda. J. Non-Cryst. Sol., 354, 2144 (2008)
- N.M. Johnson, C. Herring, Chris G. Van de Walle. Phys. Rev. Lett., 73, 130 (1994)
- Qiming Li, R. Biswas. Phys. Rev. B, 52, 10 705 (1995)
- P. Kounavis. J. Appl. Phys., 97, 023 707 (2005)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.