Вышедшие номера
Спектры фотолюминесценции квантовых ям InAs/GaInSb/InAs в среднем ИК диапазоне
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090304
Уточкин В.В.1,2, Фадеев М.А.1, Криштопенко С.C.3, Румянцев В.В.1,2, Алешкин В.Я.1,2, Дубинов А.А.1,2, Морозов С.В.1,2, Семягин Б.Р.4, Путято М.А.4, Емельянов Е.А.4, Преображенский В.В.4, Гавриленко В.И.1,2
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3Laboratoire Charles Coulimb, CNRS & Universite Montpellier, Montpellier, France
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: gavr@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Исследованы спектры фотолюминесценции волноводных гетероструктур с квантовыми ямами AlSb/InAs/GaInSb/InAs/AlSb, предназначенных для генерации излучения на межзонных переходах в среднем инфракрасном диапазоне. Обнаруженные спектральные линии сопоставляются с расчетами зонной структуры. Ключевые слова:: квантовая яма, InAs/GaInSb, фотолюминесценция, волноводная гетероструктура.