"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Метод определения степени компенсации электрически активных примесей в многодолинных полупроводниках
Баранский П.И.1, Гайдар Г.П.2
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2013 г.

Предложен метод определения степени компенсации k=Na/Nd для примесей мелкого залегания в кристаллах n-Si с невырожденным электронным газом. Приведены необходимые данные, которые обеспечивают удобство при практическом нахождении степени компенсации.
  1. P.A. Lee. Brit. J. Appl. Phys., 8, 340 (1957)
  2. В.О. Баррис, Э.Э. Клотыньш. Определение параметра локального уровня в полупроводниках (Рига, Зинатне, 1978)
  3. С. Herring. Bell Syst. Techn. J., 34 (2), 237 (1955)
  4. П.И. Баранский, И.В. Даховский, В.В. Коломоец, А.В. Федосов. ФТП, 10 (7), 1345 (1976)
  5. П.И. Баранский, И.С. Буда, И.В. Даховский, В.В. Коломоец. Электрические и гальваномагнитные явления в анизотропных полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.