"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности транспорта в топологической фазе Hg0.87Cd0.13Te в условиях терагерцового фотовозбуждения
Переводная версия: 10.1134/S1063782620090109
РНФ, 19-12-00034
РФФИ, 19-32-90259
Elite Network of Bavaria, K-NW-2013-247
Volkswagen Stiftung Program, 97738
Галеева А.В.1, Казаков А.С.1, Артамкин А.И.1, Дворецкий С.А.2, Михайлов Н.Н.2, Банников М.И.3, Данилов С.Н.4, Рябова Л.И.5, Хохлов Д.Р.1,3
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4Университет Регенсбурга, Регенсбург, Германия
5Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
Email: galeeva@physics.msu.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 июня 2020 г.

Изучена фотопроводимость, индуцированная мощным лазерным излучением с частотой 2 ТГц, в эпитаксиальных структурах на основе Hg0.87Cd0.13Te. Анализ экспериментальных данных, полученных для образцов с варьируемыми геометрическими параметрами, позволил выявить особенности кинетики фотоотклика, обусловленного транспортом в объеме, и нелокального отклика. Показано, что задержанный характер фотопроводимости обеспечивается неравновесными процессами с участием объемных носителей. Ключевые слова: фотопроводимость, топологическая фаза, теллурид кадмия-ртути, терагерцовый диапазон спектра.
  1. M. Weiler (eds R. Willardson \& A. Beer). Semicond. Semimet., 16, 119 (1981)
  2. Н.Н. Берченко, В.М. Пашковский. УФН, 119, 223 (1976)
  3. M. Orlita, D.M. Basko, M.S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V.I. Gavrilenko, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.-L. Barra, G. Martinez, M. Potemski. Nature Physics, 10, 233 (2014)
  4. M.Z. Hasan, L.C. Kane. Rev. Mod. Phys., 82, 3045 (2010)
  5. S. Dvoretsky, N. Mikhailov, Yu. Sidorov, V. Shvets, S. Danilov, B. Wittman, S. Ganichev. J. Electron. Mater., 39, 918 (2010)
  6. V.S. Varavin, S.A. Dvoretsky, V.I. Liberman, N.N. Mikhailov, Yu.G. Sidorov. J. Cryst. Growth, 159, 1161 (1996)
  7. A. Rogalski. Rep. Prog. Phys., 68, 2267 (2005)
  8. C. Downs, T.E. Vandervelde. Sensors, 13, 5054 (2013)
  9. A. Rogalski. Opto-Electron. Rev., 20 (3), 279 (2012)
  10. D. Yavorskiy, K. Karpierz, M. Baj, M.M. Bak, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko, W. Knap, F. Teppe, J. usakowski. Sensors, 18, 4341 (2018)
  11. А.В. Галеева, А.И. Артамкин, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.Н. Данилов, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. Письма ЖЭТФ, 106 (3), 156 (2017)
  12. A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, A.S. Kazakov, S.N. Danilov, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mikhailov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Beilstein J. Nanotechnol., 9, 1035 (2018)
  13. A.V. Galeeva, A.S. Kazakov, A.I. Artamkin, L.I. Ryabova, S.A. Dvoretsky, N.N. Mikhailov, M.I. Bannikov, S.N. Danilov, D.R. Khokhlov. Sci. Rep., 10, 2377 (2020)
  14. S.D. Ganichev, W. Prettl, P.G. Huggard. Phys. Rev. Lett., 71, 3882 (1993)
  15. S.D. Ganichev, P. Schneider, V.V. Bel'kov, E.L. Ivchenko, S.A. Tarasenko, W. Wegscheider, D. Weiss, D. Schuh, B.N. Murdin, P.J. Phillips, C.R. Pidgeon, D.G. Clarke, M. Merrick, P. Murzyn, E.V. Beregulin, W. Prettl. Phys. Rev. B, 68, 081302 (2003)
  16. S.D. Ganichev, S.N. Danilov, V.V. Bel'kov, S. Giglberger, S.A. Tarasenko, E.L. Ivchenko, D. Weiss, W. Jantsch, F. Schaffler, D. Gruber, W. Prettl. Phys. Rev. B, 75, 155317 (2007)
  17. W. Weber, L.E. Golub, S.N. Danilov, J. Karch, C. Reitmaier, B. Wittmann, V.V. Bel'kov, E.L. Ivchenko, Z.D. Kvon, N.Q. Vinh, A.F.G. van der Meer, B. Murdin, S.D. Ganichev. Phys. Rev. B, 77, 245304 (2008)
  18. V. Lechner, L.E. Golub, P. Olbrich, S. Stachel, D. Schuh, W. Wegscheider, V.V. Bel'kov, S.D. Ganichev. Appl. Phys. Lett., 94, 242109 (2009)
  19. A.S. Kazakov, A.V. Galeeva, A.I. Artamkin, S.A. Dvoretskiy, N.N. Mikhailov, M.I. Bannikov, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Proc. 44th Int. Conf. on Infrared, Millimeter and Terahertz Waves (Paris, France, 2019) p. 1228
  20. А.А. Кононов, Э.В. Девятов. Письма ЖЭТФ, 104 (11), 831 (2016)
  21. З.Д. Квон, К.-М. Дантшер, К. Цот, Д.А. Козлов, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, С.Д. Ганичев. Письма ЖЭТФ, 99 (5), 333 (2014)
  22. М.К. Шейнкман, А.Я. Шик. ФТП, 10 (2), 209 (1976)
  23. P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
  24. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов. УФН, 172 (8), 875 (2002)
  25. V.V. Rumyantsev, S.V. Morozov, A.V. Antonov, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, V.I. Gavrilenko, S.A. Dvoretskii, N.N. Mikhailov. Semicond. Sci. Technol., 28, 125007 (2013)
  26. В.А. Волков, В.В. Еналдиев. ЖЭТФ, 149 (3), 702 (2016)
  27. S. Tchoumakov, V. Jouffrey, A. Inhofer, E. Bocquillon, B. Placais, D. Carpentier, M.O. Goerbig. Phys. Rev. B, 96, 201302(R) (2017)
  28. G. Tomaka, J. Grendysa, P. Sliz, C.R. Becker, J. Polit, R. Wojnarowska, A. Stadler, E.M. Sheregii. Phys. Rev. B, 93, 205419 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.