Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование углеродных слоев методом термического разложения четыреххлористого углерода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии
Переводная версия: 10.1134/S106378262008028X 
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия 
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук, Фрязино, Россия
Email: vikhrova@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 15 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 21 апреля 2020 г.
Принята к печати: 21 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 11 мая 2020 г.
Разработан новый метод осаждения углеродных пленок термическим разложением четыреххлористого углерода (CCl4) в потоке водорода в реакторе МОС-гидридной эпитаксии при атмосферном давлении. Результаты исследования методом спектроскопии комбинационного рассеяния света позволяют предположить, что полученные этим методом углеродные слои представляют собой разупорядоченный нанокристаллический графит. Показана возможность использования такого углеродного слоя в технологическом цикле создания арсенид-галлиевых приборных структур оптоэлектроники (в частности, спиновых светоизлучающих диодов с инжектором CoPt). Ключевые слова: углеродные пленки, МОС-гидридная эпитаксия, GaAs приборные структуры.
- L. Wang, W. Liu, Y. Zhang, Z.-H. Zhang, S.T. Tan, X. Yi, G. Wang, X. Sun, H. Zhu, H.V. Demir. Nano Energy, 12, 419 (2015)
- B.-J. Kim, C. Lee, Y. Jung, K.H. Baik, M.A. Mastro, J.K. Hite, C.R. Eddy, jr., J. Kim. Appl. Phys. Lett., 99, 143101 (2011)
- X. Wang, L. Zhi, K. Mullen. Nano Lett., 8, 323 (2008)
- S.-I. Na, S.-S. Kim, J. Jo, D.-Y. Kim. Adv. Mater., 20, 4061 (2008)
- А.В. Бабичев, В.Ю. Бутко, М.С. Соболев, Е.В. Никитина, Н.В. Крыжановская, А.Ю. Егоров. ФТП, 46 (6), 815 (2012)
- A.V. Babichev, H. Zhang, P. Lavenus, F.H. Julien, A.Yu. Egorov, Y.T. Lin, L.W. Tu, M. Tchernycheva. Appl. Phys. Lett., 103, 201103 (2013)
- А.В. Бабичев, H. Zhang, N. Guan, А.Ю. Егоров, F.H. Julien, A. Messanvi, C. Durand, J. Eymery, M. Tchernycheva. ФТП, 50 (8), 1118 (2016)
- L.-B. Luo, H. Hu, X.-H. Wang, R. Lu, Y.-F. Zou, Y.-Q. Yu, F.-X. Liang. J. Mater. Chem. C, 3, 4723 (2015)
- J. Wu, Z. Yang, C. Qiu, Y. Zhang, Z. Wu, J. Yang, Y. Lu, J. Li, D. Yang, R. Hao, E. Li, G. Yuf, Sh. Lin. Nanoscale, 10, 8023 (2018)
- А.А. Мармалюк. Разработка процесса МОС-гидридной эпитаксии квантово-размерных гетероструктур на основе полупроводников AIIIBV для приборов оптоэлектроники и ИК-техники / Дис. докт. техн. наук (М., 2006)
- Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
- D.H. Seo, A.E. Rider, S. Kumar, L.K. Randeniya, K. Ostrikov. Carbon, 60, 221 (2013)
- K. Davami, J. Cortes, N. Hong, I. Bargatin. Mater. Res. Bull., 74, 226 (2016)
- A.C. Ferrari. Solid State Commun., 143, 47 (2007)
- A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B, 61 (20), 14095 (2000)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
