Вышедшие номера
Резонансное кулоновское рассеяние на мелких донорах в квантовых ямах AlGaAs/n-GaAs/AlGaAs
Алешкин В.Я.1, Бурдейный Д.И.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 28 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2013 г.

Теоретически исследуются характеристики кулоновского рассеяния электронов проводимости на мелких донорных центрах в гетероструктурах AlxGa1-xAs/n-GaAs/AlxGa1-xAs с квантовыми ямами при учете влияния резонансных состояний. Резонансные состояния возникают под возбужденными подзонами размерного квантования вследствие наличия доноров. Найдены асимметричные резонансные особенности в спектрах полного и транспортного сечений кулоновского рассеяния в окрестности резонансных значений энергии. Показано, что особенности не являются малым эффектом: вблизи резонансных значений энергии сечения могут в несколько раз отличаться от соответствующих величин для нерезонансного случая.
  1. Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. Квантовая механика (нерелятивистская теория) (М., Наука, 1989)
  2. В.Я. Алешкин, Л.В. Гавриленко, М.А. Одноблюдов, И.Н. Яссиевич. ФТП, 42, 899 (2008)
  3. В.И. Кайданов, С.А. Немов. ФТП, 15, 542 (1981)
  4. В.И. Кайданов, С.А. Немов, Ю.И. Равич. ФТП, 26, 201 (1992)
  5. M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich, V.M. Chistyakov, K.A. Chao. Phys. Rev. B, 62, 2486 (2000)
  6. V.Ya. Aleshkin, D.I. Burdeiny. Semicond. Sci. Technol., 26, 095 003 (2011)
  7. F. Stern, W.E. Howard. Phys. Rev., 163, 816 (1967)
  8. I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan. J. Appl. Phys., 89, 5815 (2001)
  9. В. Карпус. ФТП, 20, 12 (1986)
  10. В. Карпус. ФТП, 22, 439 (1988)
  11. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.