Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS2, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Кононов А.А.1, Кастро Арата Р.А.1, Главная Д.Д.1, Стожаров В.М.1, Долгинцев Д.М.1, Сайто Ю.2, Фонс П.2, Анисимова Н.И.1, Колобов А.В.1,2
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 30 Цукуба Централ 5, 1-1-1 Хигаси, Цукуба, Япония
Email: rakot1991@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2020 г.
В окончательной редакции: 17 января 2020 г.
Принята к печати: 17 января 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
Представлены результаты исследования поляризационных процессов в тонких слоях аморфного дисульфида молибдена MoS2 методом диэлектрической спектроскопии. Обнаружен процесс дипольно-релаксационной поляризации, произведен расчет микропараметров системы, определено время релаксации процесса дипольной поляризации, а также энергия активации релаксационного процесса Ea и энергия активации проводимости Esigma. Схожесть значений энергии активации релаксационного процесса Ea и процесса переноса заряда Esigma позволяет предположить, что оба процесса появляются в системе благодаря одному и тому же механизму переноса. Ключевые слова: дисульфид молибдена, дихалькогениды переходных металлов, процессы переноса.
- K.F. Mak, C. Lee, J. Home, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105 (13), 136805 (2010)
- X. Xu, W. Yao, D. Xiao, T.F. Heinz. Nature Phys., 10 (5), 343 (2014)
- K.F. Mak, K. He, J. Shan, T.F. Heinz. Nature Nanotechnol., 7 (8), 494 (2012)
- A.V. Kolobov, J. Tominaga. Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides (Springer, 2016) p. 538
- B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis. Nature Nanotechnol., 6 (3), 147 (2011)
- Y. Ye, Z.J. Wong, L. Xiufang, N. Xinghjie, Z. Hanyu, C. Xianhui, W,. Yuan, Z. Siang. Nature Photonics, 9, 733 (2015)
- R.A. Castro, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova. J. Non-Cryst. Sol., 352 (9-20), 1560 (2006)
- R.A. Castro, V.A. Bordovsky, G.I. Grabko. Glass Phys. Chem., 35 (1), 43 (2009)
- R.A. Castro, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimov, G.I. Grabko. Semiconductors, 43 (3), 365 (2009)
- K. Kremer, A. Schonhals. Broadband dielectric spectroscopy (Springer, Berlin Heidelberg, 2003) p. 729
- R. Diaz-Calleja. Macromolecules, 33 (24), 8924 (2000)
- N.A. Nikonorova, G.A. Polotskaya, A.A. Kononov, B.R. Hinderliter, K.L. Levine, R.A. Gastro. J. Non-Cryst. Sol., 483, 99 (2018)
- N.F. Mott, E.D. Davis. Electron Processes in Non Crystalline Materials (Clarendon, Oxford, 1979) v. 1, p. 368
- P.D. Tran, T.V. Tran, M. Orio. Nature Materials, 15, 640 (2016)
- S.R. Elliot. Adv. Phys., 36, 135 (1987)
- М.С. Гутенев. Физика и химия стекла, 9 (3), 291 (1983)
- F. Yakuphanoglu. Semiconductors, 3 (4), 468 (2004).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
