Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Поляризационные процессы в тонких слоях аморфного MoS2, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления
Переводная версия: 10.1134/S1063782620050073 
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия 
2Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 30 Цукуба Централ 5, 1-1-1 Хигаси, Цукуба, Япония
2Национальный институт передовых промышленных наук и технологий, 30 Цукуба Централ 5, 1-1-1 Хигаси, Цукуба, Япония
Email: rakot1991@mail.ru
Поступила в редакцию: 13 января 2020 г.
В окончательной редакции: 17 января 2020 г.
Принята к печати: 17 января 2020 г.
Выставление онлайн: 26 марта 2020 г.
Представлены результаты исследования поляризационных процессов в тонких слоях аморфного дисульфида молибдена MoS2 методом диэлектрической спектроскопии. Обнаружен процесс дипольно-релаксационной поляризации, произведен расчет микропараметров системы, определено время релаксации процесса дипольной поляризации, а также энергия активации релаксационного процесса Ea и энергия активации проводимости Esigma. Схожесть значений энергии активации релаксационного процесса Ea и процесса переноса заряда Esigma позволяет предположить, что оба процесса появляются в системе благодаря одному и тому же механизму переноса. Ключевые слова: дисульфид молибдена, дихалькогениды переходных металлов, процессы переноса.
- K.F. Mak, C. Lee, J. Home, J. Shan, T.F. Heinz. Phys. Rev. Lett., 105 (13), 136805 (2010)
- X. Xu, W. Yao, D. Xiao, T.F. Heinz. Nature Phys., 10 (5), 343 (2014)
- K.F. Mak, K. He, J. Shan, T.F. Heinz. Nature Nanotechnol., 7 (8), 494 (2012)
- A.V. Kolobov, J. Tominaga. Two-Dimensional Transition-Metal Dichalcogenides (Springer, 2016) p. 538
- B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis. Nature Nanotechnol., 6 (3), 147 (2011)
- Y. Ye, Z.J. Wong, L. Xiufang, N. Xinghjie, Z. Hanyu, C. Xianhui, W,. Yuan, Z. Siang. Nature Photonics, 9, 733 (2015)
- R.A. Castro, G.A. Bordovsky, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimova. J. Non-Cryst. Sol., 352 (9-20), 1560 (2006)
- R.A. Castro, V.A. Bordovsky, G.I. Grabko. Glass Phys. Chem., 35 (1), 43 (2009)
- R.A. Castro, V.A. Bordovsky, N.I. Anisimov, G.I. Grabko. Semiconductors, 43 (3), 365 (2009)
- K. Kremer, A. Schonhals. Broadband dielectric spectroscopy (Springer, Berlin Heidelberg, 2003) p. 729
- R. Diaz-Calleja. Macromolecules, 33 (24), 8924 (2000)
- N.A. Nikonorova, G.A. Polotskaya, A.A. Kononov, B.R. Hinderliter, K.L. Levine, R.A. Gastro. J. Non-Cryst. Sol., 483, 99 (2018)
- N.F. Mott, E.D. Davis. Electron Processes in Non Crystalline Materials (Clarendon, Oxford, 1979) v. 1, p. 368
- P.D. Tran, T.V. Tran, M. Orio. Nature Materials, 15, 640 (2016)
- S.R. Elliot. Adv. Phys., 36, 135 (1987)
- М.С. Гутенев. Физика и химия стекла, 9 (3), 291 (1983)
- F. Yakuphanoglu. Semiconductors, 3 (4), 468 (2004).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
