Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Теория и моделирование комбинированных механизмов ограничения области безопасной работы полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.
-1 Разработана обобщенная аналитическая модель процесса выключения биполярных переключателей с микрозатворами, учитывающая роль технологических и конструктивных несовершенств реальных структур в ограничении области их безопасной работы. На примере тиристорного микрочипа с внешним полевым управлением, работающего в схеме инвертора напряжения, проведено количественное определение границы области безопасной работы по выключаемому току. Установлено, что для неидеальной структуры эта граница в области низких напряжений определяется эффектом регенеративного отпирания катодного эмиттера, а со стороны высоких напряжений - возникновением локализации тока в "возмущенных" ячейках с участием динамического пробоя. Обсуждаются возможные применения разработанной модели для указания направлений оптимизации приборных структур с повышением их максимального коммутируемого тока. Адекватность результатов применения модели проверена с помощью имитационного компьютерного моделирования.
- А.В. Горбатюк. Письма ЖТФ, 34 (5), 54 (2008)
- K. Lilja, H. Gruning. 21st Annual IEEE Power Electron. Specialists Conf. Record. (San Antonio, USA, 1990) p. 398
- В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов (М., Энергоатомиздат, 1988)
- А.В. Горбатюк. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР (Л., 1985) N 962
- А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, Д.В. Гусин. ФТП, 44 (11), 1577 (2010)
- H. Benda, E. Spenke. Proc. IEEE, 55 (8), 1331 (1967)
- W. Feiler, W. Gerlach, U. Wiese. Solid-State Electron., 39 (1), 59 (1996)
- X. Li, A.Q. Huang, Y. Li. Microelectronics J., 34, 297 (2003)
- А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, Д.В. Гусин. Письма ЖТФ, 36 (20), 35 (2010)
- V.A.K. Temple. IEEE Trans. Electron. Dev., 33 (10), 1609 (1986)
- И.В. Грехов, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков, А.Г. Тандоев, Л.С. Костина. ЖТФ, 75 (7), 80 (2005)
- T. Stiasny, P. Streit. Proc. 17th Int. Symp. Power Semicond. Dev. Int. Circuits (Santa Barbara, USA, 2005) p. 203
- А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, Д.В. Гусин. ЖТФ, 82 (5), 57 (2012)
- Sentaurus Device User Guide. Version D-2010.03 (Synopsys, Inc., 2010)
- А.В. Кузьмин, В.Я. Павлик, В.И. Родов. РЭ, 20 (7), 1457 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
