"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Теория и моделирование комбинированных механизмов ограничения области безопасной работы полупроводниковых переключателей силовой микроэлектроники
Горбатюк А.В.1,2, Гусин Д.В.1,2, Иванов Б.В.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 апреля 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

-1 Разработана обобщенная аналитическая модель процесса выключения биполярных переключателей с микрозатворами, учитывающая роль технологических и конструктивных несовершенств реальных структур в ограничении области их безопасной работы. На примере тиристорного микрочипа с внешним полевым управлением, работающего в схеме инвертора напряжения, проведено количественное определение границы области безопасной работы по выключаемому току. Установлено, что для неидеальной структуры эта граница в области низких напряжений определяется эффектом регенеративного отпирания катодного эмиттера, а со стороны высоких напряжений --- возникновением локализации тока в "возмущенных" ячейках с участием динамического пробоя. Обсуждаются возможные применения разработанной модели для указания направлений оптимизации приборных структур с повышением их максимального коммутируемого тока. Адекватность результатов применения модели проверена с помощью имитационного компьютерного моделирования.
  1. А.В. Горбатюк. Письма ЖТФ, 34 (5), 54 (2008)
  2. K. Lilja, H. Gruning. 21st Annual IEEE Power Electron. Specialists Conf. Record. (San Antonio, USA, 1990) p. 398
  3. В.П. Григоренко, П.Г. Дерменжи, В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов (М., Энергоатомиздат, 1988)
  4. А.В. Горбатюк. Препринт ФТИ им. А.Ф. Иоффе АН СССР (Л., 1985) N 962
  5. А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, Д.В. Гусин. ФТП, 44 (11), 1577 (2010)
  6. H. Benda, E. Spenke. Proc. IEEE, 55 (8), 1331 (1967)
  7. W. Feiler, W. Gerlach, U. Wiese. Solid-State Electron., 39 (1), 59 (1996)
  8. X. Li, A.Q. Huang, Y. Li. Microelectronics J., 34, 297 (2003)
  9. А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, Д.В. Гусин. Письма ЖТФ, 36 (20), 35 (2010)
  10. V.A.K. Temple. IEEE Trans. Electron. Dev., 33 (10), 1609 (1986)
  11. И.В. Грехов, Т.Т. Мнацаканов, С.Н. Юрков, А.Г. Тандоев, Л.С. Костина. ЖТФ, 75 (7), 80 (2005)
  12. T. Stiasny, P. Streit. Proc. 17th Int. Symp. Power Semicond. Dev. Int. Circuits (Santa Barbara, USA, 2005) p. 203
  13. А.В. Горбатюк, И.В. Грехов, Д.В. Гусин. ЖТФ, 82 (5), 57 (2012)
  14. Sentaurus Device User Guide. Version D-2010.03 (Synopsys, Inc., 2010)
  15. А.В. Кузьмин, В.Я. Павлик, В.И. Родов. РЭ, 20 (7), 1457 (1975)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.