"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Терагерцовая фотопроводимость в графене в магнитном поле
Переводная версия: 10.1134/S106378262004020X
Васильев Ю.Б.1, Новиков С.Н.2, Данилов С.Н.3, Ганичев С.Д.3,4
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Aalto University, Tietotie 3, Espoo, Finland
3Terahertz Center TerZ, University of Regensburg, Regensburg, Germany
4CENTERA Laboratories, Institute of High Pressure Physics, Polish Academy of Sciences, 01-142 Warsaw, Poland
Email: yu.vasiliev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 ноября 2019 г.
В окончательной редакции: 5 декабря 2019 г.
Принята к печати: 5 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

Изучается терагерцовая фотопроводимость в магнитном поле в эпитаксиальном графене, выращенном на подложке SiC. Проведены исследования зависимости амплитуды сигнала фотоотклика от величины магнитного поля при разных значениях концентрации электронов, тока смещения, интенсивности терагерцового излучения. Механизм фотопроводимости, основанный на нагреве электронов терагерцовым излучением, хорошо объясняет экспериментальные результаты. С увеличением величины магнитного поля обнаружен сильный рост сигнала фотопроводимости из-за увеличения времени релаксации вследствие подавления электрон-электронного рассеяния. Ключевые слова: графен, фотопроводимость, терагерцовое излучение, магнитное поле.
  1. F.H.L. Koppens, T. Mueller, Ph. Avouris, A.C. Ferrari, M.S. Vitiello, M. Polini. Nature Nanotechnol., 9, 780 (2014)
  2. J. Yan, M.-H. Kim, J.A. Elle, A.B. Sushkov, G.S. Jenkins, H.M. Milchberg, M.S. Fuhrer, H.D. Drew. Nature Nanotechnol., 7, 472 (2012)
  3. Q. Han, T. Gao, R. Zhang, Y. Chen, J. Chen, G. Liu, Y. Zhang, Z. Liu, X. Wu, D. Yu. Sci. Rep., 3, 3533 (2013)
  4. Yu.B. Vasilyev, G.Yu. Vasileva, Yu.L. Ivanov, S. Novikov, S.N. Danilov. Appl. Phys. Lett., 105, 171105 (2014)
  5. G.Yu. Vasileva, D. Smirnov, Yu.B. Vasilyev, M.O. Nestoklon, N.S. Averkiev, S. Novikov, I.I. Kaya, R.J. Haug. Appl. Phys. Lett., 110, 113104 (2017)
  6. S.D. Ganichev, J. Diener, I.N. Yassievich, W. Prettl, B.K. Meyer, K.W. Benz. Phys. Rev. Lett., 75, 1590 (1995)
  7. P. Olbrich, J. Karch, E.L. Ivchenko, J. Kamann, B. Marz, M. Fehrenbacher, D. Weiss, S.D. Ganichev. Phys. Rev. B, 83, 165320 (2011)
  8. K.-M. Dantscher, D.A. Kozlov, P. Olbrich, C. Zoth, P. Faltermeier, M. Lindner, G.V. Budkin, S.A. Tarasenko, V.V. Belkov, Z.D. Kvon, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, D. Weiss, B. Jenichen, S.D. Ganichev. Phys. Rev. B, 92, 165314 (2015)
  9. S.D. Ganichev, Ya.V. Terent'ev, I.D. Yaroshetskii. Sov. Tech. Phys. Lett., 11, 20 (1985)
  10. C. Drexler, N. Dyakonova, P. Olbrich, J. Karch, M. Schafberger, K. Karpierz, Yu. Mityagin, M.B. Lifshits, F. Teppe, O. Klimenko, Y.M. Meziani, W. Knap, S.D. Ganichev. J. Appl. Phys., 111, 124504 (2012)
  11. S. Kopylov, A. Tzalenchuk, S. Kubatkin, V.I. Fal'ko. Appl. Phys. Lett., 97, 112109 (2010)
  12. S. Lara-Avila, K. Moth-Poulsen, R. Yakimova, T. Bj rnholm, V. Fal'ko, A. Tzalenchuk, S. Kubatkin. Adv. Mater., 23, 878 (2011)
  13. Y. Kawano, Y. Hisanaga, H. Takenouchi, S. Komiyama. J. Appl. Phys., 89, 4037 (2001)
  14. D. Sun, Z.K. Wu, C. Divin, X. Li, C. Berger, W.A. deHeer, P.N. First, T.B. Norris. Phys. Rev. Lett., 101, 157402 (2008)
  15. K.J. Tielrooij, J.C.W. Song, S.A. Jensen, A. Centeno, A. Pesquera, A. Zurutuza Elorza, M. Bonn, L.S. Levitov, F.H.L. Koppens. Nature Phys., 9, 248 (2013)
  16. P. Plochocka, P. Kossacki, A. Golnik, T. Kazimierczuk, C. Berger, W.A. de Heer, M. Potemski. Phys. Rev. B, 80, 245415 (2009)
  17. M. Mittendorff, F. Wendler, E. Malic, A. Knorr, M. Orlita, M. Potemski, C. Berger, W.A. de Heer, H. Schneider, M. Helm. Nature Phys., 11, 75 (2015)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.