"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Многоуровневая запись в тонких пленках Ge2Sb2Te5
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040065
Фефелов С.А. 1, Казакова Л.П. 1,2, Богословский Н.А. 1, Былев А.Б. 2, Якубов А.О. 3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный лесотехнический университет им. С.М. Кирова, Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия
Email: s.fefelov@list.ru, ljudakaz@yandex.ru, nikitabogoslovskiy@gmail.com, ab_bylev@mail.ru
Поступила в редакцию: 31 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 25 ноября 2019 г.
Принята к печати: 25 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

Проведены исследования вольт-амперных характеристик, полученных на тонких пленках Ge2Sb2Te5 в токовой моде. Установлен эффект многоуровневой записи при последовательной подаче на образец импульсов тока с возрастающим максимальным значением. Показано, что этот эффект может быть связан с расширением канала памяти. Получена оценка размера канала памяти. Сделан вывод о возможности использования пленок Ge2Sb2Te5 в качестве мемристора. Ключевые слова: халькогенидные стеклообразные полупроводники, эффект переключения, фазовая память, шнур тока, многоуровневая запись.
  1. A. Athmanathan, M. Stanisavljevic, N. Papandreou, H. Pozidis, E. Eleftheriou. IEEE JETCAS, 6, 87 (2016)
  2. T. Nirschl, J.B. Philipp, T.D. Happ, G.W. Burr, B. Rajendran, M.-H. Lee, A. Schrott, M. Yang, M. Breitwisch, C.-F. Chen, E. Joseph, M. Lamorey, R. Cheek, S.-H. Chen, S. Zaidj, S. Raoux, Y.C. Chen, Y. Zhu, R. Bergmann, H.-L. Lung, C. Lam. Techn. Dig. Int. Electron Dev. Meet (IEDM --- Washington, December 10--12, United States, 2007) p. 461.
  3. С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, С.А. Яковлев, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин. Тр. Междунар. симп. МФГФП-1 "Физика межфазных границ и фазовые переходы" (Ростов-н/Д., Россия, 2011) с. 155
  4. С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, С.А. Козюхин, К.Д. Цэндин, Д. Арсова, В. Памукчиева. ЖТФ, 84, 80 (2014)
  5. Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 43 (10), 1378 (2009)
  6. N.A. Bogoslovskij, K.D. Tsendin. J. Non-Cryst. Sol., 357, 992 (2011)
  7. N. Bogoslovskiy. Phys. Status Solidi B, 250 (8), 1563 (2013)
  8. N. Bogoslovskiy, K. Tsendin. Solid-State Electron., 129, 10 (2017)
  9. С.А. Фефелов, Л.П. Казакова, Н.А. Богословский, К.Д. Цэндин. ФТП, 52 (12), 1503 (2018)
  10. T. Kato, K. Tanaka. Jpn. J. Appl. Phys., 44 (10), 7340 (2005).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.