"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурно-зависимое интегральное поглощение экситонных поляритонов в полупроводниковых кристаллах
Переводная версия: 10.1134/S1063782620040156
Сейсян Р.П.1, Ваганов С.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: sv.exciton@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 октября 2019 г.
В окончательной редакции: 28 ноября 2019 г.
Принята к печати: 2 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

Данная работа выделяет экспериментальное использование температурного фактора при изучении интегрального поглощения как метода экспериментального подтверждения и исследования механизма экситон-поляритонного светопереноса вблизи края фундаментального поглощения в полупроводниковых кристаллах с пространственной дисперсией. Обобщены результаты экспериментальных исследований температурно-зависимого интегрального экситонного поглощения, приведены экспериментально определенные значения критической температуры, выше которой интегральное поглощение становится постоянным, соответствующие ему значения критического параметра затухания и продольно-поперечного расщепления для исследованных авторами полупроводников CdTe, GaAs, InP, ZnSe, ZnTe. Ключевые слова: экситонное поглощение, интегральное поглощение, температурно-зависимое поглощение, экситонный поляритон, полупроводниковые кристаллы.
  1. Н.Н. Ахмедиев. ЖЭТФ, 79, 1534 (1980)
  2. С.И. Пекар. ЖЭТФ, 33, 1022 (1957)
  3. J.J. Hopfield, D.G. Tomas. Phys. Rev., 132 (2), 563 (1963)
  4. А.С. Давыдов. Теория твердого тела (М., Наука, 1976)
  5. J. Voigt. Phys. Status Solidi B, 64 (2), 549 (1974)
  6. Н.Н. Ахмедиев, Г.П. Голубев, В.С. Днепровский, Е.А. Жуков. ФТТ, 25 (7), 2225 (1983)
  7. V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Semicond. Sci. Techn., 8, 1235 (1993)
  8. С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 38 (19), 9 (2012)
  9. G.N. Aliev, O.S. Coschug-Toates, V.A. Kosobukin, R.P. Seisyan, S.A. Vaganov. Proc. SPIE, 1985, 794 (1993)
  10. R.M. Datsiev, V.A. Kosobukin, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova. Proc. 3rd Int. Symp. on Excitonic Processes in Condensed Matter (EXCON'98), 98-25, 228 (1998)
  11. R. Passler, E. Griebl, H. Riepl, G. Lautner, S. Bauer, H. Preis, W. Gebhardt, B. Buda, D.J. As, D. Schikora, K. Lischka, K. Papagelis, S. Ves. J. App. Phys., 86 (8), 4403 (1999)
  12. M.A. Osman, A.A. Othman. J. Phys. B: Condens. Matter, 239 (3), 231 (1997)
  13. A.J. Fischer, W. Shan, J.J. Song, Y.C. Chang, R. Horning, B. Goldenberg. Appl. Phys. Lett., 71, 1981 (1997)
  14. I.S. Gorban', A.P. Krokhmal', Z.Z. Yanchuk. Phys. Solid State, 42 (9), 1625 (2000)
  15. V.M. Kramar, N.K. Kramar, B.M. Nitsovich. Proc. SPIE (6th Intern. Conf. on Correlation Optics), 5477, 242 (2004)
  16. С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. Письма ЖТФ, 38 (3), 39 (2012)
  17. R.P. Seisyan, V.A. Kosobukin, S.A. Vaganov, M.A. Markosov, T.S. Shamirzaev, K.S. Zhuravlev, A.K. Bakarov, A.I. Toropov. Phys. Status Solidi C, 2 (2), 900 (2005)
  18. С.А. Ваганов, Р.П. Сейсян. ФТП, 45 (1), 104 (2011)
  19. Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов (М., Наука, 1984)
  20. A.R. Goi, A. Cantarero, K. Syassen, M. Cardona. Phys. Rev. B, 41 (14), 10111 (1990)
  21. D.S. Gerber, G.N. Maracas. IEEE J. Quant. Electron., 29 (10), 2589 (1993)
  22. С.А. Марков, Р.П. Сейсян, В.А. Кособукин. ФТП, 38 (2), 230 (2004)
  23. C. Weisbuch, R.G. Ulbrich. Light Scattering in Solids III: Recent Results, ed. by M. Cardona, G. Guntherodt (Berlin--Heidelberg, Springer, 1982) p. 207
  24. S. Rudin, T.L. Reinecke, B. Segall. Phys. Rev. B, 42 (17), 11218 (1990)
  25. Р.П. Сейсян. ФТП, 58 (5), 833 (2016)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.